Herstellung ultraflacher pn-Übergänge in Silizium durch Kurzzeit-Diffusion aus einer durch Atomic Layer Deposition abgeschiedenen Dotierstoffquelle

通过一氧化锑的氧化，在气相中用锑或硼对半导体硅进行掺杂的方法。硼氧化物在韦尔登中实现了原子层沉积，并在硅中实现了对硅中的硅化物的预处理。这一过程的构造和安装是在两种硅基材料的多晶化过程中进行的，或者是三维地形图，以便在约1000米的范围内进行平面扫描。10 nm bis 70 um Tiefe.这种器件的封装工艺提供了一种替代方案，即采用增强和结构自由的方法，在硅基场效应晶体管的源极/漏极扩展区进行封装，并在具有超结的器件上实现。也可以将方法应用于硅质材料的门的制造。因此，开发这一工艺的方法将有助于锑氧化物的研究.硼氧化物-Schichten bei edrigen Temperaturen sowie die Untersuchung der Abhängigkeit des Schichtwiderstandes，der Oberflächenkonzentration and des Dotierprofils von den Parameter des Dotierschrittes breiten Raum einnehmen.我们韦尔登人用电气和分析的方法来确定Schichtwiderstandes bzw的特性。多蒂耶斯托夫人的档案。Besondere Aufmerksamkeit ist dabei auf die Homogenität der DotierstofÜVerteilung bezüglich der gesamten Oberfläche der Siliziumsubstrate und auf die Tiefe der pnÜbergänge zu richten. Erzeugte pn-Übergänge韦尔登anhand der elektrischen Eigenschaften von Testbauelementen charakterisiert und bewertet.

Im Rahmen des beantragten Vorhabens soll die Entwicklung eines Prozesses zur Dotierung des Halbleiters Silizium mit Antimon oder Bor aus der Gasphase durch Aufwachsen einer dünnsten Antimonoxid- bzw. Boroxidschicht mittels Atomic Layer Deposition und anschließendem Eintreiben des Dotierstoffes in das Silizium in einer Kurzzehprozessanlage (RTF-Anlage) vorgenommen werden. Die Aufgabenstellung und Anwendung dieser Prozesse liegt an erster Stelle in der Dotierung von einkristallinen Siliziumschichtbereichen zwei- oder dreidimensionaler Topographien zur Erzeugung flachster pn-Übergänge im Bereich von ca. 10 nm bis 70 um Tiefe. Dieser Ansatz eines Gasphasendotierungsprozesses soll eine alternative, wenig aufwendige und strukturdefektfreie Methode zur Herstellung von Source-/Drain- Extension-Bereichen von Silizium-Feldeffekttransistoren und zur Realisierung von Bauelementen mit so genannten ¿Superjunctions darstellen. Darüber hinaus zielt die Methode auch auf die Dotierung von Gate-Bereichen aus porykristallinem Silizium. Neben der Entwicklung der Methode für diesen Prozessansatz wird die Untersuchung des Wachstums der Antimonoxid - bzw. Boroxid-Schichten bei niedrigen Temperaturen sowie die Untersuchung der Abhängigkeit des Schichtwiderstandes, der Oberflächenkonzentration und des Dotierprofils von den Parametern des Dotierschrittes breiten Raum einnehmen. Dabei werden das Schichtwachstum charakterisierende Verfahren sowie elektrische und analytische Methoden, zur Bestimmung des Schichtwiderstandes bzw. des Dotierstoffprofils zum Einsatz kommen. Besondere Aufmerksamkeit ist dabei auf die Homogenität der DotierstofÜVerteilung bezüglich der gesamten Oberfläche der Siliziumsubstrate und auf die Tiefe der pnÜbergänge zu richten. Erzeugte pn-Übergänge werden anhand der elektrischen Eigenschaften von Testbauelementen charakterisiert und bewertet.