Atomlagenabscheidung von Germanium-Antimon-Tellurid

碲化锗锑的原子层沉积

• 批准号: 188543373
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
• 金额: --
• 依托单位: Technische Hochschule Wildau
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2014-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/188543373?language=en
• 关键词: Atomlagenabscheidung; von; Germanium; Antimon; Tellurid

Germanium-Antimon-Tellurid-Schichten zeigen eine hohe, mehrere Größenordnungen betragende Änderung des Schichtwiderstands bei Übergang von der kristallinen in die amorphe Phase und umgekehrt. Diese Eigenschaft lässt sich zur nicht-flüchtigen Speicherung von Informationen benutzen. Eine mögliche bedeutende Anwendung dieser Schichten ist in den sogenannten PCRAMs (Phase Change Random Access Memory) gegeben. Im Rahmen des beantragten Vorhabens sollen dünne Schichten aus Germanium- Antimon-Tellurid (Ge2Sb2Te5, abgekürzt: GST) mittels Atomlagenabscheidung unter Verwendung von neu für diesen Prozess zu entwickelnder Germanium-, Antimon- und Tellur- Precursoren auf Amidinat- und Guanidinatbasis niedergeschlagen und charakterisiert werden. Die Charakterisierung der hergestellten Materialien erfolgt hinsichtlich ihrer Zusammensetzung, ihrer Struktur, ihrer Morphologie und ihrer elektrischen Eigenschaften. Zur Charakterisierung des Übergangs von der amorphen zur kristallinen bzw. von der kristallinen zur amorphen Phase und des Speichereffekts sollen fein strukturierte Testbauelemente bestehend aus Metall/GST-Schicht/Metall-Widerstandsstrukturen untersucht werden.

锗-反碲化物-Schichten是一个很好的例子，因为Schichtwiderstats的Größe不容易被非晶相和非晶相的结晶所破坏。这一特性使信息的传播变得不那么容易。相变随机存取存储器（Phase Change Random Access Memory，简称PCRAM）是一种存储器。Im Rahmen des beantragten Vorhabens sollen dünne Schichten aus Germanium- Antimon-Tellurid（Ge2Sb2Te5，abgekürzt：GST）mittels Atomlagenabscheidung unter Verwendung von neu für diesen Prozess zu entwickelnder Germanium-，Antimon-and Tellur- Precursoren auf Amidinat- und Guanidinatbasis niedergeschlagen und charakterisiert韦尔登.这些材料的特性决定了它们的结构、形态和电气特性。Zur Charakterisierung des ubergangs von der amorphen zur kristallinen bzw.通过对金属/GST-Schicht/Metall-Widerstandsstrukturen韦尔登合金的非晶相和特殊性能的分析，确定了最佳的测试结构。

项目成果

Di-μ-oxido-bis[bis(diisopropylacetamidinato)-κN;κ2 N,N′-germanium(IV)]

二-γ-氧化-双[双(二异丙基乙脒)-γN;γ2 N,Nβ-锗(IV)]

• DOI: 10.1107/s1600536813032133
• 发表时间: 2013
• 期刊: Acta Crystallographica Section E: Structure Reports Online
• 作者: Ronny Syre;Nancy Frenzel;Cristian-G. Hrib;Edmund P. Burte;Frank T. Edelmann
• 通讯作者: Frank T. Edelmann

The First Aziridinylguanidinates: New Precursors for Potentially Volatile Metal Guanidinates*

第一个氮丙啶基胍盐：潜在挥发性金属胍盐的新前体*

• DOI: 10.1071/ch14228
• 发表时间: 2014
• 期刊: Australian Journal of Chemistry
• 影响因子: 1.1
• 作者: Peter Tutacz;Ronny Syre;Cristian G. Hrib;Liane Hilfert;Nancy Frenzel;Edmund P. Burte;Frank T. Edelmann
• 通讯作者: Frank T. Edelmann