Herstellung und Charakterisierung von silberhaltigen dünnen Germanium-Selen Schichten

在一种化学气相沉积法中，锗硒的银多晶非晶合金的前体可通过金属有机锗和硒的前体进行化学气相沉积，获得良好的韦尔登特性。首先，在金属有机物气相沉积（MOCVD）中，通过银热扩散或光扩散，将一种硅化物通过一种金属有机物的银原子结构分解成一种硅化物，从而形成一种硅化物。这些材料的特性可以使其具有更好的结构、纳米结构、形态学和电输运特性。通过一个惰性电极、一个硅化的锗硒电极和一个S über-Elektrode，测试了韦尔登电极中硅化物漂移对电极影响的特性。一个最重要的数据库是在CBRAM（导电桥接随机存取存储器）中建立的。

Im Rahmen des beantragten Vorhabens sollen dünne Schichten Silber-dotierter amorpher Schichten aus Germanium-Selen in einer chemischen Gasphasenabscheidung unter Verwendung metallorganischer Germanium und Selen Precursoren niedergeschlagen und charakterisiert werden. Zuerst soll eine Dotierung der Schichten mit Silber thermisch oder durch Photodiffusion aus einer unmittelbar nach der Synthese ebenfalls in einer metallorganischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) abgeschiedenen dünnen Silberschicht später durch Einbau von Silberatomen aus einer metallorganischen Quelle während der Niederschlagung der Schichten erfolgen. Die Charakterisierung der hergestellten Materialien erfolgt ortsaufgelöst hinsichtlich ihrer Zusammensetzung, ihrer Nanostruktur, ihrer Morphologie und ihrer elektrischen Transporteigenschaften. Speziell zur Charakterisierung der Drift von Silberionen unter Einfluss eines elektrischen Feldes in diesen Germanium-Selen Dünnschichten werden fein-strukturierte Testbauelemente bestehend aus einem Stapel dünner Schichten, aus einer inerten Elektrode, einer Silberdotierten Germanium-Selen Schicht und einer S über-Elektrode, untersucht. Eine mögliche bedeutende Anwendung dieser Schichten ist in den sogenannten CBRAMs (Conductive Bridging Random Access Memory) gegeben.