Atomic layer deposited dopant oxide films for doping of germanium and silicon-germanium substrates: Deposition – Flash Lamp Annealing – SIMS metrology
用于掺杂锗和硅-锗衬底的原子层沉积掺杂剂氧化物薄膜:沉积 → 闪光灯退火 → SIMS 计量
基本信息
- 批准号:397771392
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2018
- 资助国家:德国
- 起止时间:2017-12-31 至 2022-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Within the frame of the proposed research project atomic layer deposition processes of boron oxide, indium oxide, phosphorus oxide, and antimony oxide will be developed and analysed. For these processes germanium and silicon germanium substrates will be used. The grown layers serve as diffusion sources for homogeneous doping of these semiconductor materials. The proposed process is especially useful for doping of three-dimensional surfaces. The SiGe and Ge semiconducting films that will be used for the doping experiments will be epitaxially grown. These structures will be prepared and analysed particularly with regard to the later characterisation of the dopant profiles and the diffusion processes. Drive-in and activation of the dopants will be carried out by flash lamp annealing, which will be extensively investigated and optimised for the purpose of dopant diffusion into SiGe and Ge from atomic layer deposited solid surface layers. Furthermore, metrology investigation in the field of secondary ion mass spectrometry (SIMS) will be carried out in-depth because of its vital importance for the precise analysis of the dopant concentration profiles in the semiconductor materials. The analysis of the aimed steep profiles with high surface concentration of dopants will be scientifically and technically challenging.
在拟议的研究项目的框架内,将开发和分析氧化硼,氧化铟,氧化磷和氧化锑的原子层沉积工艺。对于这些工艺,将使用锗和硅锗衬底。生长的层用作这些半导体材料的均匀掺杂的扩散源。所提出的工艺对于三维表面的掺杂特别有用。将用于掺杂实验的SiGe和Ge半导体膜将外延生长。将准备和分析这些结构,特别是关于掺杂剂分布和扩散过程的后续表征。驱动和激活的掺杂剂将进行闪光灯退火,这将被广泛研究和优化的目的,掺杂剂扩散到SiGe和Ge从原子层沉积的固体表面层。此外,二次离子质谱(西姆斯)领域的计量学研究将进行深入,因为它是在半导体材料中的掺杂浓度分布的精确分析至关重要。分析具有高表面浓度掺杂剂的目标陡峭轮廓将在科学和技术上具有挑战性。
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Formation of Thin NiGe Films by Magnetron Sputtering and Flash Lamp Annealing
磁控溅射和闪光灯退火形成镍锗薄膜
- DOI:10.3390/nano10040648
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:5.3
- 作者:V. Begeza;E. Mehner;H. Stöcker;Y. Xie;A. García;R. Hübner;D. Erb;S. Zhou;L. Rebohle
- 通讯作者:L. Rebohle
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte其他文献
Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte', 18)}}的其他基金
Atomic Layer Deposition of Germanium-Antimony-Telluride
碲化锗锑的原子层沉积
- 批准号:
288136928 - 财政年份:2016
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Capacitive and ohmic microelectromechanical switches with bridges made of spring stell, especially for application in high frequency systems
带有弹簧钢桥的电容式和欧姆微机电开关,特别适用于高频系统
- 批准号:
233756290 - 财政年份:2013
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Chemische Gasphasenabscheidung von super-harten Ruthenium-Diborid-Schichten
超硬二硼化钌层的化学气相沉积
- 批准号:
216711612 - 财政年份:2012
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Atomlagenabscheidung von Germanium-Antimon-Tellurid
碲化锗锑的原子层沉积
- 批准号:
188543373 - 财政年份:2011
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
MOCVD von Strotium-Bismut-Tantalat / Bismut-Tantalat-Niobat - Schichten und ferroelektrische Speicherkondensatoren
锶铋钽酸铋铌酸铋层和铁电存储电容器的 MOCVD
- 批准号:
129002737 - 财政年份:2010
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Entwurf, Optimierung, CMOS-kompatible Herstellung und Charakterisierung von abstimmbaren planaren/koplanaren DGS-Filtern
可调谐平面/共面 DGS 滤波器的设计、优化、CMOS 兼容制造和表征
- 批准号:
130543330 - 财政年份:2009
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Ruthenium-Nanostäbe als Bodenelektrode für dreidimensional aufgebaute Kondensatoren
钌纳米棒作为三维电容器的底部电极
- 批准号:
53470039 - 财政年份:2008
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Herstellung und Charakterisierung von silberhaltigen dünnen Germanium-Selen Schichten
含银锗硒薄层的制备和表征
- 批准号:
25145806 - 财政年份:2006
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Metallorganische Gasphasenabscheidung von dünnen Germanium-Antimon-Tellurid-Schichten
薄锗碲化锑层的有机金属气相沉积
- 批准号:
21358569 - 财政年份:2006
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Herstellung ultraflacher pn-Übergänge in Silizium durch Kurzzeit-Diffusion aus einer durch Atomic Layer Deposition abgeschiedenen Dotierstoffquelle
通过从原子层沉积的掺杂剂源进行短期扩散来生产硅中的超平坦 pn 结
- 批准号:
21481364 - 财政年份:2005
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
相似国自然基金
TGFβ-SMAD信号通路对干细胞分化的调控机制
- 批准号:31771512
- 批准年份:2017
- 资助金额:63.0 万元
- 项目类别:面上项目
OVOL1/2介导的MET过程对体外肝上皮和肠组织分化的调控
- 批准号:31701183
- 批准年份:2017
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
丘脑POm核团投射信息在第一躯体感觉皮层Layer 5a锥形细胞上的整合机制
- 批准号:31200816
- 批准年份:2012
- 资助金额:23.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
协同中继系统跨层资源分配与优化调度的理论及方法
- 批准号:60972070
- 批准年份:2009
- 资助金额:33.0 万元
- 项目类别:面上项目
流体湍流运动的相关数学分析
- 批准号:10971174
- 批准年份:2009
- 资助金额:25.0 万元
- 项目类别:面上项目
多跳无线 MESH 网络中 QoS 保障算法的研究设计和性能分析
- 批准号:60902041
- 批准年份:2009
- 资助金额:20.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
下一代无线通信系统自适应调制技术及跨层设计研究
- 批准号:60802033
- 批准年份:2008
- 资助金额:16.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
不可压流体力学方程中的一些问题
- 批准号:10771177
- 批准年份:2007
- 资助金额:17.0 万元
- 项目类别:面上项目
S-layer细胞表面展示纳米级屋尘螨融合蛋白免疫治疗的实验研究
- 批准号:30660166
- 批准年份:2006
- 资助金额:23.0 万元
- 项目类别:地区科学基金项目
相似海外基金
Neural Electrodes with Enhanced Charge Injection and Reduced Interfacial Impedance Using Graphenated Carbon Nanotubes Coated With Atomic Layer-Deposited Platinum Nanoparticles
使用原子层沉积铂纳米粒子涂覆的石墨化碳纳米管增强电荷注入并降低界面阻抗的神经电极
- 批准号:
9924896 - 财政年份:2020
- 资助金额:
-- - 项目类别:
GOALI: Ultra-Low Wear Plasma Enhanced Atomic Layer Deposited Nitride Thin Films: Exploring Processing, Structure, Properties and Mechanisms
GOALI:超低磨损等离子体增强原子层沉积氮化物薄膜:探索加工、结构、性能和机制
- 批准号:
1826251 - 财政年份:2019
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Standard Grant
EExploring the optical properties of atomic-layer-deposited transparent conductive oxides
E探索原子层沉积透明导电氧化物的光学性质
- 批准号:
525216-2018 - 财政年份:2018
- 资助金额:
-- - 项目类别:
University Undergraduate Student Research Awards
Silicon Metal-Insulator-Semiconductor Photovoltaics with Atomic Layer Deposited Interfacial Layers
具有原子层沉积界面层的硅金属-绝缘体-半导体光伏
- 批准号:
1605129 - 财政年份:2016
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Standard Grant
Manipulating Material Properties of Atomic Layer Deposited Oxide Thin Films by Electric Field: Experimental and Computational Design (ALDBIAS)
通过电场操纵原子层沉积氧化物薄膜的材料特性:实验和计算设计 (ALDBIAS)
- 批准号:
319413903 - 财政年份:2016
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Priority Programmes
Engineering Atomic Layer Deposited Contact Interfaces to Low-Dimensional Nanomaterials for Improved Scaled Transistor Performance
将原子层沉积接触界面设计为低维纳米材料,以提高晶体管的性能
- 批准号:
1508573 - 财政年份:2015
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Standard Grant
I-Corps: Atomic Layer Deposited Films for Protection of Precious Silver Objects
I-Corps:用于保护贵重银制品的原子层沉积薄膜
- 批准号:
1509534 - 财政年份:2014
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Standard Grant
SCIART: Collaborative Research: Protection of Silver Objects from Corrosion using Atomic Layer Deposited Barrier Coatings
SCIART:合作研究:使用原子层沉积阻挡涂层保护银制品免受腐蚀
- 批准号:
1041803 - 财政年份:2010
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Standard Grant
SCIART: Collaborative Research: Protection of Silver Objects from Corrosion using Atomic Layer Deposited Barrier Coatings
SCIART:合作研究:使用原子层沉积阻挡涂层保护银制品免受腐蚀
- 批准号:
1041809 - 财政年份:2010
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Continuing Grant
Research of reliable Ge transistor having atomic layer deposited gate dielectrics
具有原子层沉积栅极电介质的可靠Ge晶体管的研究
- 批准号:
19360164 - 财政年份:2007
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)