manufacturing of nano pores for handling of a DNA molecule

制造用于处理 DNA 分子的纳米孔

• 批准号: 24651114
• 负责人: KIMURA Kenji
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24651114/
• 关键词: ナノ細孔; フラーレンイオン; スパッタリング; イオントラック; シリコン窒化膜

Amorphous silicon nitride (SiN) films (thickness 20 nm) were irradiated with 120 - 5000 keV C60 ions and observed using transmission electron microscopy (TEM). The ion tracks produced by the irradiation were clearly observed by TEM. For semi-quantitative analysis the ion tracks were also observed using high-angle annular dark field scanning transmission electron microscopy. The density of the track was found to be reduced by 30%.The sputtering yield of SiN bombarded with 540 keV C60 ions was measured using high-resolution Rutherford backscattering spectroscopy. The yield is as large as 5400. These results suggest that nano pores may be directly produced in the SiN film by optimizing the irradiation conditions.

用120 ~ 5000 keV的C60离子辐照厚度为20 nm的非晶态氮化硅（SiN）薄膜，并用透射电镜（TEM）对其进行观察。通过透射电镜观察到辐照产生的离子轨迹。采用高角环形暗场扫描透射电子显微镜对离子轨迹进行了半定量分析。轨道的密度被发现减少了30%。采用高分辨率卢瑟福后向散射光谱法测量了540 keV C60离子轰击后的SiN溅射产率。产量高达5400吨。这些结果表明，通过优化辐照条件，可以直接在SiN薄膜上形成纳米孔。

项目成果

C_<60>イオン照射によって形成された非晶質SiN薄膜中のイオントラックの膜厚依存性

C_<60>离子照射形成的非晶SiN薄膜中离子轨迹的膜厚依赖性

• 发表时间: 2013
• 作者: A. Yurtsever;Y. Sugimoto;H. Tanaka;M. Abe;S. Morita;M. Ondráček;P. Pou;R. Pérez;and P. Jelínek;中嶋薫,森田陽亮,北山巧,鈴木基史,木村健二,鳴海一雅,斎藤勇一,辻本将彦,磯田正二
• 通讯作者: 中嶋薫,森田陽亮,北山巧,鈴木基史,木村健二,鳴海一雅,斎藤勇一,辻本将彦,磯田正二

Transmission secondary ion mass spectrometry using 5MeV C60 + ions

使用 5MeV C60 离子的透射二次离子质谱法

• DOI: 10.1063/1.4868655
• 发表时间: 2014
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: K. Nakajima;K. Nagano;M. Suzuki;K. Narumi;Y. Saitoh;K. Hirata;and K. Kimura
• 通讯作者: and K. Kimura

非晶質Si_3N_4薄膜中のイオントラックのHAADF-STEM観察

非晶Si_3N_4薄膜中离子轨迹的HAADF-STEM观察

• 发表时间: 2013
• 作者: A. Sweetman;A. Stannard;Y. Sugimoto;M. Abe;S. Morita;and P. Moriarty;森田陽亮,中嶋薫,鈴木基史,木村健二,鳴海一雅,斎藤勇一,辻本政彦,磯田正二
• 通讯作者: 森田陽亮,中嶋薫,鈴木基史,木村健二,鳴海一雅,斎藤勇一,辻本政彦,磯田正二

C60イオン照射によって形成された非晶質SiN薄膜中のイオントラックの膜厚依存性

C60离子照射形成的非晶SiN薄膜中离子轨迹的膜厚依赖性

• 发表时间: 2013
• 作者: Yoshiaki Sugimoto;Martin Ondracek;Masayuki Abe;Pablo Pou;Seizo Morita;Ruben Perez;Fernando Flores;and Pavel Jelinek;中嶋薫，森田陽亮，北山巧，鈴木基史，木村健二，鳴海一雅，斎藤勇一，辻本将彦，磯田正二
• 通讯作者: 中嶋薫，森田陽亮，北山巧，鈴木基史，木村健二，鳴海一雅，斎藤勇一，辻本将彦，磯田正二

Ion Tracks Produced by Sub-MeV C60 Ions in Amorphous Si_3N_4

非晶 Si_3N_4 中亚 MeV C60 离子产生的离子径迹

• 发表时间: 2012
• 作者: Y. Morita;K. Nakajima;M. Suzuki;K. Narumi;Y. Saitoh;N. Ishikawa;K. Hojou;M. Tsujimoto;S. Isoda;K. Kimura
• 通讯作者: K. Kimura