Diamond nucleation and epitaxy in the organic liquid
有机液体中的金刚石成核和外延
基本信息
- 批准号:26620197
- 负责人:
- 金额:$ 1.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
有機液体中でのカーボンナノ材料の成長に及ぼす硫黄の添加効果
添加硫对有机液体中碳纳米材料生长的影响
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:白石 理沙;白石 美佳;本間 匠;堀 央祐;斉藤 健太;安藤 寿浩;小室 修二;蒲生西谷 美香
- 通讯作者:蒲生西谷 美香
有機液体中での炭素薄膜の成長に及ぼす硫黄の添加効果
添加硫对有机液体中碳薄膜生长的影响
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:白石 理沙;白石 美佳;佐藤 凌;安藤 佳祐;安藤 寿浩;小室 修二;蒲生西谷 美香
- 通讯作者:蒲生西谷 美香
有機液体中でのアモルファスカーボン薄膜の合成
有机液体中无定形碳薄膜的合成
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:白石理沙;太田拓;高橋香織;小峰真里子;白石美佳;安藤寿浩;蒲生西谷美香
- 通讯作者:蒲生西谷美香
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Nishitani-Gamo Mikka其他文献
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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$ 1.33万 - 项目类别:
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Vertical cubic GaN LEDs on 150mm 3C-SiC substrates
150mm 3C-SiC 基板上的垂直立方 GaN LED
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