Weiterentwicklung des spektroskopisch-ellipsometrischen Messverfahrens im Hinblick auf die Charakterisierung von Halbleitern mit großer Bandlücke

进一步发展光谱-椭偏测量方法来表征大带隙半导体

基本信息

  • 批准号:
    40096253
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    德国
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    德国
  • 起止时间:
    2006-12-31 至 2008-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Das Ziel des Vorhabens ist die Weiterentwicklung des spektroskopisch-ellipsometrischen (SE-) Messverfahrens im Hinblick auf die Anwendung für Halbleitern mit großer Bandlücke. Es sollen ein Modell der Dielektrischen Funktion (DF) sowie eine modellgestützte Software zur Auswertung der SEDaten entwickelt werden, wobei die Komplexität der Bandstruktur und der exzitonischen Effekte sowie deren Modifizierung unter dem Einfluss von Dotierung, mechanischer Verspannung und in Mischkristallen berücksichtigt wird. Die Beschreibung der DF basiert auf der Theorie der exzitonischen Absorption von Elliott sowie der Berechnung der Bandstruktur und Übergangswahrscheinlichkeiten im Rahmen der kp- Theorie. Die Anpassung der berechneten DF an die experimentellen Daten für Modellsubstanzen, als welche die binären Halbleiter ZnO und GaN sowie die Mischkristalle AlGaN, ZnMgO und ZnOS gewählt werden, soll die Gültigkeit des Modells bestätigen bzw. bestimmte empirische Tendenzen zum Vorschein bringen. Die zu gewonnenen Kenntnisse sollen zur Grundlagenforschung wesentlich beitragen und als Grundlage zur detaillierten SE-Charakterisierung von Schichten und Schichtsystemen auf der Basis von III-V- und II-VI-Halbleitern mit großer Bandlücke dienen.
Das Ziel des Vorhabens ist die Weiterentwickung des Spektroskopisch-lipsmetrischen(SE-)Messverfahrens im Hinblick auf die Anwendung für Halbleitern MIT groüer Bandlücke.我们为所有的软件建立了最大的模型,并在此基础上提出了一种新的解决方案,即在DEM的基础上进行修改和修改,以及在密歇根州的Verspannung进行机械设计。在此基础上,我们提出了一种新的理论--吸收理论,以此为基础。在此基础上,我们进行了一系列的实验,包括实验、实验、实验等。在三-五-和二-六-哈布利特和麻省理工学院的基础上,这是一个很好的基础。

项目成果

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