Weiterentwicklung des spektroskopisch-ellipsometrischen Messverfahrens im Hinblick auf die Charakterisierung von Halbleitern mit großer Bandlücke

Das Ziel des Vorhabens ist die Weiterentwicklung des spektroskopisch-ellipsometrischen (SE-) Messverfahrens im Hinblick auf die Anwendung fbr halbletern mit grose ßer bandl<e:1> cke。(3)模型与模型与函数（DF）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型与函数（ddf）模型。在此基础上，研究吸收理论，研究吸收理论，研究吸收理论，研究吸收理论，研究吸收理论，研究吸收理论，研究吸收理论。Die Anpassung der berechneten DF和Die experimentale Daten fendelmodel - substanzen，也welche Die binären Halbleiter ZnO和GaN， Die Mischkristalle AlGaN， ZnMgO和ZnOS gewählt werden， soll Die ggltigkeit des models bestätigen bzw。最好的经验主义趋势和发展趋势。在此之前，我曾说过：“我希望我的孩子们能够更好地理解我的孩子，我希望我的孩子们能够更好地理解我的孩子，我希望我的孩子能够更好地理解我的孩子，我希望我的孩子能够更好地理解我的孩子。”

Das Ziel des Vorhabens ist die Weiterentwicklung des spektroskopisch-ellipsometrischen (SE-) Messverfahrens im Hinblick auf die Anwendung für Halbleitern mit großer Bandlücke. Es sollen ein Modell der Dielektrischen Funktion (DF) sowie eine modellgestützte Software zur Auswertung der SEDaten entwickelt werden, wobei die Komplexität der Bandstruktur und der exzitonischen Effekte sowie deren Modifizierung unter dem Einfluss von Dotierung, mechanischer Verspannung und in Mischkristallen berücksichtigt wird. Die Beschreibung der DF basiert auf der Theorie der exzitonischen Absorption von Elliott sowie der Berechnung der Bandstruktur und Übergangswahrscheinlichkeiten im Rahmen der kp- Theorie. Die Anpassung der berechneten DF an die experimentellen Daten für Modellsubstanzen, als welche die binären Halbleiter ZnO und GaN sowie die Mischkristalle AlGaN, ZnMgO und ZnOS gewählt werden, soll die Gültigkeit des Modells bestätigen bzw. bestimmte empirische Tendenzen zum Vorschein bringen. Die zu gewonnenen Kenntnisse sollen zur Grundlagenforschung wesentlich beitragen und als Grundlage zur detaillierten SE-Charakterisierung von Schichten und Schichtsystemen auf der Basis von III-V- und II-VI-Halbleitern mit großer Bandlücke dienen.