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GaN-based nanostructures for new generation of BIOmolecular ultra-sensitive Sensors for monitoring of biochemical reactions

用于监测生化反应的新一代生物分子超灵敏传感器的GaN基纳米结构

基本信息

批准号：
182786469
负责人：
Professor Dr. Oliver Ambacher
金额：
--
依托单位：
Institut für Nachhaltige Technische Systeme (INATECH)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2012
资助国家：
德国
起止时间：
2011-12-31 至 2014-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/182786469?language=en
关键词：
GaN based nanostructures new generation

项目摘要

Techniken, die eine markerfreie Detektion biologischer Stoffe ermöglichen, sind gegenwärtig von großem Interesse. Auf Nanodrähten basierende Feld-Effekt-Transistoren detektieren aufgrund ihres nanoskaligen Kanals die Anbindung eines Stoffes mit einer gesteigerten Empfindlichkeit. Dadurch sind Kleinstmengen organischer Stoffe elektronisch detektierbar. Selektivität wird hier durch photo- / elektro-chemische Funktionalisierung erreicht. Unsere Forschungsziele bestehen im Verständnis der Anbindung spezifischer molekularer Schichten an Halbleiteroberflächen, der Identifikation der Einflussfaktoren auf ihre Stabilität in Elektrolyten und auf der Abschätzung ihres Einflusses auf den 1D Elektronentransport, um die Sensorantwort interpretieren zu können. Dieses Wissen wird mit einer tieferen Einsicht in die elektronischen, die Oberflächen- und Transporteigenschaften bio-modifizierter 1D Strukturen gewonnen, die in diesem hier neu vorgestellten Ansatz im Nanomaßstab hergestellt werden. Unsere Arbeit wird aus der Simulation und der Herstellung neuer 1D Sensoren, sowie der Entwicklung neuer experimenteller Techniken für deren Charakterisierung bestehen. Auf diesen Studien aufbauend folgt der Aufbau ultra-sensitiver Sensoren zur markerfreien Detektion von DNA, die als proof-of-concept in diesem Programm stehen sollen. Es wird erwartet, dass sich durch diese Forschung neue Richtungen für das Screening mit integrierten Nanosensoren zur Moleküldetektion ergeben.

Techniken, die eine markerfreie detection biologischer Stoffe ermöglichen, and gegenwärtig von großem Interesse。【关键词】场效应晶体管（field - effet - transistor）；纳米电导率；纳米电导率；德国慕尼黑的组织者Stoffe elektronisch detektierbar说。Selektivität wind hier durch photo- / elektro-chemische functionalisierung erreicht。Unsere Forschungsziele besteen Verständnis der Anbindung spezifischer molecular Schichten and Halbleiteroberflächen, der identification der infusfaktoren aufhre Stabilität in Elektrolyten and aufder Abschätzung ihres infusfes aufden 1D Elektronentransport, um die Sensorantwort interpretien zu können。deeswissenwind在die electroniconischen， die Oberflächen- and Transporteigenschaften bio- modifiziter, die in diesem hier new vorgestellten Ansatz im Nanomaßstab hergestellt werden。在此基础上，建立了三维仿真和三维传感系统，建立了三维仿真和三维传感系统，建立了三维仿真和三维传感系统。aufdeen学生aufdeen folfolder Aufbau超灵敏的Sensoren zur标记物检测DNA，并在sodeen sollen项目中进行了概念验证。在此基础上，提出了一种基于纳米传感器的分子检测技术。

项目成果

期刊论文数量（6）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Thermal functionalization of GaN surfaces with 1-alkenes.

1-烯烃对 GaN 表面进行热功能化

DOI：
10.1021/la304406w
发表时间：
2013
期刊：
Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
影响因子：
0
作者：
S.U. Schwarz;V. Cimalla;G. Eichapfel;M. Himmerlich;St. Krischok;O. Ambacher
通讯作者：
O. Ambacher

CIP (cleaning-in-place) stability of AlGaN/GaN pH sensors.

DOI：
10.1016/j.jbiotec.2012.08.004
发表时间：
2013-02
期刊：
Journal of biotechnology
影响因子：
4.1
作者：
S. Linkohr;Wilfried Pletschen;S. U. Schwarz;J. Anzt;V. Cimalla;Oliver Ambacher
通讯作者：
S. Linkohr;Wilfried Pletschen;S. U. Schwarz;J. Anzt;V. Cimalla;Oliver Ambacher

Sips adsorption model for DNA sensing with AlGaN/GaN high electron mobility transistors

使用 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管进行 DNA 传感的 Sips 吸附模型