Untersuchung von InN-basierenden Transistorstrukturen

In den letzten Jahren ist das Interesse am Halbleitermaterial In erheblich gewachsen。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1][1] [1] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0]Daraus resultieren große Erwartungen zum Potential von InN als Material f<e:1> r超通道晶体管和光电子器件。与此同时，研究人员也在研究<s:1>电晶体与电晶体之间的关系，研究<s:1>电晶体与电晶体之间的关系。斯特尔先生说：“这是我的计划。”[3]伏尔哈本的研究进展与特性分析。大津solsolen <s:1>晶体管结构研究中心-晶体管异质结构研究中心，特性研究中心，晶体管结构研究中心。本征结构与本征结构的异质结构。这位Ziele苏珥Erreichung了drei Fachgebiete der图尔(技术物理学Nanotechnologie Festkorperelektronik, I), deren Arbeiten天改Gebieten Epitaxie,德国和Hochfrequenztransistoren窝站der大幅减退mitbestimmen, eng miteinander kooperieren和folgende Forschungsschwerpunkte bearbeiten:——理论、模拟和设计冯InN-Heterostrukturen。- Epitaktisches Wachstum von inn -异质结构晶体管- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -insbesonere werden die Schichtqualität, die Elektronenakkumulation and InN-Grenzflächen und under Elektronentransport in InN untersucht。-基于InN-Basis的晶体管演示的设计、分析和特性分析。在电子元件方面，我们有两个项目，一个是德国项目，一个是德国项目，一个是德国项目，一个是德国项目，一个是德国项目。

In den letzten Jahren ist das Interesse am Halbleitermaterial InN erheblich gewachsen. Die Forschungen waren zunächst vornehmlich der Epitaxie von InN, der Verbesserung der Schichtqualität und der Bestimmung grundlegender Materialeigenschaften gewidmet. Die Ergebnisse zeigen u.a. hervorragende Transporteigenschaften für Elektronen (höchste Driftgeschwindigkeit aller bekannten Halbleiter, sehr hohe Beweglichkeit) und eine Bandlücke von etwa 0.7 eV. Daraus resultieren große Erwartungen zum Potential von InN als Material für ultraschnelle Transistoren und optoelektronische Bauelemente. Mittlerweile gibt es erste Arbeiten zu InN-Bauelementen und kürzlich wurde der erste funktionsfähige InN-Transistor vorgestellt. An dieser Stelle setzt das beantragte Projekt an. Die Ziele des Vorhabens sind die Realisierung und Charakterisierung von InN-Feldeffekttransistoren. Dazu sollen für Transistoren geeignete InN-Heterostrukturen gewachsen, charakterisiert und zu Transistoren prozessiert werden. Besondere Aufmerksamkeit wird der Bestimmung der für Transistoren relevanten Eigenschaften der InN-Heterostrukturen gewidmet. Zur Erreichung dieser Ziele werden drei Fachgebiete der TU Ilmenau (Nanotechnologie, Festkörperelektronik, Technische Physik I), deren Arbeiten auf den Gebieten Epitaxie, Analytik und Hochfrequenztransistoren den Stand der Forschung mitbestimmen, eng miteinander kooperieren und folgende Forschungsschwerpunkte bearbeiten: - Theorie, Simulation und Design von InN-Heterostrukturen. - Epitaktisches Wachstum von InN-Heterostrukturen für Transistoren. - Umfassende experimentelle Untersuchung der InN-Heterostrukturen und Bestimmung der für Feldeffekttransistoren relevanten Eigenschaften. Insbesondere werden die Schichtqualität, die Elektronenakkumulation an InN-Grenzflächen und der Elektronentransport in InN untersucht. - Entwurf, Prozessierung und Charakterisierung von Transistordemonstratoren auf InN-Basis. Als Ergebnis des beantragten Projekts erwarten die Antragsteller eine erhebliche Erweiterung des internationalen Wissensstandes zum Material InN und zu seiner Anwendung in elektronischen Bauelementen.