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Diamond disk micro-electro-mechanical transducers, CDISK

Diamond disk micro-electro-mechanical transducers, CDISK
金刚石圆盘微机电换能器，CDISK
批准号：
317885617
负责人：
Professor Dr. Oliver Ambacher
金额：
$0.0万
依托单位：
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2017
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-12-31 至 2019-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/317885617?language=en
关键词：
Diamonddiskmicroelectromechanical

项目摘要

项目成果

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Here, we propose a novel approach to achieve high Q-factors for electro-acoustic oscillators. Such systems require low impedance and high tunability, which is compatible with emerging front-end schemes. Within this project, we develop new types of tunable piezo-capacitive micro-electro-mechanical oscillators. The proposed transducers employ
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会议论文
Quality Assessment of In Situ Plasma‐Etched Diamond Surfaces for Chemical Vapor Deposition Overgrowth
用于化学气相沉积过度生长的原位等离子蚀刻金刚石表面的质量评估
DOI： 10.1002/pssa.202100035
发表时间： 2021
期刊： physica status solidi (a)
影响因子： --
作者： [J. Langer, V. Cimalla, M. Prescher, J. Ligl, B. Tegetmeyer, C. Schreyvogel, O. Ambacher]
通讯作者： O. Ambacher
Temperature Cross-Sensitivity of AlN-Based Flexural Plate Wave Sensors
DOI： 10.1109/jsen.2018.2853644
发表时间： 2018-10
期刊： IEEE Sensors Journal
影响因子： 4.3
作者： [M. Reusch;K. Holc;V. Lebedev;N. Kurz;A. Žukauskaitė;O. Ambacher]
通讯作者： M. Reusch;K. Holc;V. Lebedev;N. Kurz;A. Žukauskaitė;O. Ambacher
Microstructural and optical emission properties of diamond multiply twinned particles
DOI： 10.1063/1.5127170
发表时间： 2020-01
期刊： arXiv: Applied Physics
影响因子： --
作者： [V. Lebedev;Taro Yoshikawa;Christoph Schreyvogel;L. Kirste;J. Weippert;M. Kunzer;A. Graff;O. Ambacher]
通讯作者： V. Lebedev;Taro Yoshikawa;Christoph Schreyvogel;L. Kirste;J. Weippert;M. Kunzer;A. Graff;O. Ambacher
Nanodiamond resonators fabricated on 8″ Si substrates using adhesive wafer bonding
使用晶圆粘合技术在 8â3 Si 基板上制造纳米金刚石谐振器
DOI： 10.1088/1361-6439/aa6e76
发表时间： 2017
期刊： Journal of Micromechanics and Microengineering
影响因子： 2.3
作者： [V. Lebedev, T. Lisec, T. Yoshikawa, M. Reusch, D. Iankov, C. Giese, A. Žukauskaitė, V. Cimalla, O. Ambacher]
通讯作者： O. Ambacher
共 7 条
    Investigations of GaN-based vertical field effect transistors for applications in high-power electronics
    High-Q-Power-GaN - Development of transistors for high-power electronics on low-defect free-standing gallium nitride substrates
    AlScN - a novel barrier material for GaN based rf transistors
    Seebeck gas sensors
    海外基金