電子ビーム露光レジストの現像によるクラック防止対策
電子ビーム露光レジストの現像によるクラック防止対策
批准号:
16H00369
负责人:
田村 茂雄
金额:
$0.35万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016 至 --
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英文摘要
電子ビーム露光用ポジ型レジストZEP520Aは、高解像度と高感度を併せ持つレジストであり微細加工プロセスに多く用いられている。しかし、リフトオプロセス等、厚膜がレジストに要求される場合、ZEP520Aは、膜厚約0.4μm以上ではクラックが発生しやすくなる。クラックは、レジストをウェーハに塗布後に残留溶媒の除去、レジストの密着性の向上、残留溶媒の除去等のためにおこなわれるプリベークによるレジスト内部の応力や現像により発生するケミカルクラック等いくつかの要因により発生すると思われる。ZEP520AをSiウェーハにスピンコーターにより1.4μm塗布し、恒温槽で20分、ホットプレートでは2分それぞれ80℃~180℃まで変化させてプリベークした。露光は加速電圧100kVの電子ビーム露光装置(JBX6300SJ)によりビーム電流15nA、露光量400μC/㎠で行い、現像はキシレン、リンスはIPAで行った。露光パターンは、クラックが発生しやすい45°90°をもつ図形とした。レジストを180℃で恒温槽によりプリベークしたとき露光、現像後コーナーにクラックが発生する。恒温槽では、レジスト表面から加熱されるため表面近傍の溶媒濃度が低下し、それに伴う体積収縮によりレジスト表面には、硬化層が形成されレジスト内部の軟化領域との間に応力が発生する。その結果、現像時にパターンにクラックが発生すると思われる。恒温槽の温度を下げて80℃でプリベークしたときも同様にクラックが発生した。レジストを140℃でホットプレートによりプリベークしたところ、露光、現像後クラックが発生している。しかし、120℃のときには、クラックの発生は見られなかった。ホットプレートでは、レジストはウェーハとの接触面である底面から加熱され溶媒が蒸発し溶媒濃度が低下するためレジスト表面硬化層の形成が抑えられ、応力が低減されていることが原因と思われる。クラックは、いくつかの要因で発生すると思われるが、プリベークの方法、温度について検討した結果、ホットプレートを使用した120℃でのプリベークにより1.4μmの厚膜でクラックが入らないパターン形成を可能にした。
期刊论文(1)
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科研奖励(0)
会议论文
電子ビーム露光ポジ型レジストの現像によるクラック防止対策
通过暴露在电子束下显影正抗蚀剂来防止裂纹的措施
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[関 啓亮, 土岐 仁, 中辻秀憲, 田村茂雄]
通讯作者:
田村茂雄
UV光照射によるネガ型レジストの電子ビーム露光での感度向上
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批准号:24H02555
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.29万
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财政年份:2024
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负责人:田村 茂雄
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依托单位:
UV光照射ポジ型レジストによる電子ビーム露光感度の向上
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批准号:18H00269
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.34万
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财政年份:2018
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负责人:田村 茂雄
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依托单位:
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批准号:26918010
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.38万
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财政年份:2014
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负责人:田村 茂雄
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依托单位:
電子ビーム露光による回折格子周期のナノメートルサイズ精密制御
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批准号:20920015
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.36万
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财政年份:2008
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负责人:田村 茂雄
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依托单位:
レジストの超臨界点乾燥処理によるナノメートル構造の形成技術
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批准号:17918025
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.47万
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财政年份:2005
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负责人:田村 茂雄
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依托单位:
半導体多層量子薄膜の極微細加工技術
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批准号:06919032
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.13万
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财政年份:1994
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负责人:田村 茂雄
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依托单位:
三次元量子薄膜活性層形成のための極微細線加工技術
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批准号:63918029
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.14万
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财政年份:1988
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负责人:田村 茂雄
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依托单位:
海外基金