Study of terahertz electron devices with high power in wide frequency range using quantum nanostructures

利用量子纳米结构研究宽频率范围高功率太赫兹电子器件

• 批准号: 18206040
• 负责人: ASADA Masahiro
• 金额: $ 28.95万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206040/
• 关键词: テラヘルツデバイス; 共鳴トンネルダイオード; 集積スロットアンテナInGaAs; AlAs; InP; 発振素子; アレイ構造; 集積スロットアンテナ; InGaAs; 高調波テラヘルツ発振; 電圧制御発振; オフセット給電アンテナ

未開拓周波数であるテラヘルツ周波数帯に対して、高出力・広周波数域の発振・増幅デバイスの実現を目標として、共鳴トンネルダイオードと微細アンテナを集積したテラヘルツ発振素子において、室温の単体電子デバイスでは最高周波数の831GHz での基本波発振を得るとともに、二次元電子ガスの速度変調を用いた三端子増幅素子においては、ミリ波帯での基本動作を得ることにより、テラヘルツ帯での動作が可能であることを明らかにした。

Undeveloped cycle number, high output, high frequency, high frequency Two-dimensional electron velocity modulation is used in the three-terminal amplitude modulation element. The basic motion of the three-terminal amplitude modulation element is obtained.

项目成果

Two Models for Electro-Magnetic Wave Amplifier by Utilizing Travelling Electron Beam

利用行波电子束的电磁波放大器的两种模型

• 发表时间: 2008
• 作者: H. Fares;M. Yamada;Y. Kawamura;M. Asada
• 通讯作者: M. Asada

Sub-THz and THz Oscillators at Room Temperature Using Electron Devices

使用电子器件在室温下制作亚太赫兹和太赫兹振荡器

• 发表时间: 2008
• 作者: B.;Gelloz;H.;Koyama;N.;Koshida;越田 信義;M. Asada;M. Asada
• 通讯作者: M. Asada

共鳴トンネルダイオードを用いた室温テラヘルツ発振器

使用谐振隧道二极管的室温太赫兹振荡器

• 发表时间: 2007
• 作者: K.atsunari Sato;Kazuto Kamiyama;Hideaki Nii;Naoki;Kawakami and Susumu Tachi;浅田雅洋;篠田裕之;浅田雅洋
• 通讯作者: 浅田雅洋

Proposal of Resonant Tunneling Diode Oscillators withOffset-Fed Slot Antennas in THz and Sub-THz Range

太赫兹和亚太赫兹范围内带有偏置馈电缝隙天线的谐振隧道二极管振荡器的提案

• 发表时间: 2006
• 作者: S. Suzuki;K. Hanashima and M. Asada
• 通讯作者: K. Hanashima and M. Asada

GaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの831GHz基本波発振

GaInAs/AlAs 谐振隧道二极管的 831GHz 基波振荡

• 发表时间: 2009
• 作者: Kometani;K. et al;鈴木左文
• 通讯作者: 鈴木左文