Development of devices and systems toward realization of high-capacity wireless communications by terahertz waves

开发太赫兹波实现大容量无线通信的设备和系统

基本信息

  • 批准号:
    21226010
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 136.53万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009-05-11 至 2014-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Toward realization of high-capacity wireless communications in the undeveloped terahertz frequency region, we investigated oscillation and modulation of terahertz waves, and wireless data transmission. For the oscillation device, we achieved room-temperature oscillation at 1.55 THz using resonant tunneling diodes with reduced electron delay, which is the highest frequency of semiconductor electron devices. High-power oscillation and high-speed direct modulation of these oscillators were achieved with the structure optimization of the integrated micro-antennas. Modulators for terahertz waves with optical signal and transistors with high current drivability for modulation were also obtained. Wireless data transmission was demonstrated with the resonant- tunneling-diode transmitter and Schottky-barrier-diode receiver, and feasibility of high-capacity communication was obtained.
为了在未开发的太赫兹频段实现高容量的无线通信,我们研究了太赫兹波的振荡和调制,以及无线数据传输。对于振荡器件,我们使用共振隧穿二极管实现了1.55THz的室温振荡,降低了电子延迟,这是半导体电子器件中最高的频率。通过对集成微天线的结构优化,实现了这些振荡器的高功率振荡和高速直接调制。还得到了具有光信号的太赫兹波调制器和可用于调制的大电流驱动晶体管。利用共振隧穿二极管发射机和肖特基势垒二极管接收机进行了无线数据传输,得出了实现大容量通信的可行性。

项目成果

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专利数量(0)
Fundamental oscillation up to 915GHz in InGaAs/AlAs resonant tunneling diodes integrated with slot antennas
Fundamental Oscillation up to 1.42 THz in Resonant Tunneling Diodes by Optimized Collector Spacer Thickness
Increaseoi Cut-off Frequency and Responsivity Measurement of Ni-InP Schottky Barrier Diode Integrated with a Bow-Tie Antenna
增加与蝴蝶结天线集成的 Ni-InP 肖特基势垒二极管的截止频率和响应度测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Takase;et al.;K.Maruyama
  • 通讯作者:
    K.Maruyama
BCB貼り付け法によるSi基板上GaInAsP細線1×2MMIの作製
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sakai Y;Inoue S;Harada A;Shimazaki K and Takagi S;船水尚行;Kazuhiko Komatsu;李智恩
  • 通讯作者:
    李智恩
Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with Buried SiO2 Wires
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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.5
  • 作者:
    N.Takebe;T.Kobayashi;H.Suzuki;Y.Miyamoto;K.Furuya
  • 通讯作者:
    K.Furuya
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    $ 136.53万
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    24686012
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 136.53万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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    $ 136.53万
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知道了