Creation of High-Carrier-Concentration and High-Mobility Artificial Crystal of Group IV Semiconductors by Atomically Controlled CVD Processing
通过原子控制 CVD 工艺制备高载流子浓度和高迁移率的 IV 族半导体人造晶体
基本信息
- 批准号:19206032
- 负责人:
- 金额:$ 30.45万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
N atomic-layer doping in SiGe by SiGe deposition on a thermally nitrided SiGe surface and highly concentrated P atomic-layer doping by lowering temperature of Si deposition on a P atomic layer already formed strained SiGe surface were achieved. Moreover, by lowering temperature of B and subsequent Si depositions on a Si surface, B atomic-layer doped Si with higher carrier concentration was achieved. Additionally, it was clarified that suppression of intermixing and strain relaxation by C atomic-layer doping at a strained SiGe/Si heterointerface and that, in thermal CVD of SiGe and B doped Si epitaxial films, strain significantly influences upon surface reaction, segregation, solid solubility limit and electrical activity of impurity.
通过在热氮化SiGe表面沉积SiGe,实现了SiGe中N原子层的掺杂;通过降低Si沉积温度,在已形成的应变SiGe表面沉积P原子层,实现了高浓度P原子层的掺杂。此外,通过降低B的温度和随后在Si表面沉积Si,可以获得具有更高载流子浓度的掺杂Si的B原子层。此外,还阐明了在应变SiGe/Si异质界面上掺杂C原子层抑制混合和应变弛豫的作用,以及在SiGe和B掺杂Si外延膜的热CVD中,应变对杂质的表面反应、偏析、固溶极限和电活性有显著影响。
项目成果
期刊论文数量(100)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Evolution of the Hydrogen Terminated Structure of the Si(100) Surface and Its Interaction with H_2 at 20-800℃
20-800℃下Si(100)表面氢封端结构的演化及其与H_2的相互作用
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax;J.Murota
- 通讯作者:J.Murota
Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)(Invited Paper)
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- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:X. Zhou;K. Uchida;H. Mizuta;S. Oda;M. Sakuraba
- 通讯作者:M. Sakuraba
Adsorption and Desorption of Hydrogen on Si(100) in H_2 or Ar Heat Treatment
H_2或Ar热处理中氢在Si(100)上的吸附与脱附
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax;J.Murota
- 通讯作者:J.Murota
Instability of a SiGe/Si-hetereo-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating(Invited Paper)
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- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:P.Homhuan;T.Nabatame;T.Chikyow;S.Tungasmita;J.Ohta;T. Tsuchiya
- 通讯作者:T. Tsuchiya
Atomically Controlled Processing for Impurity Doping in Si-Based CVD Epitaxial Growth
硅基 CVD 外延生长中杂质掺杂的原子控制工艺
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J.Murota、M.Sakuraba;B.Tillack
- 通讯作者:B.Tillack
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Creation of Artificial Crystal with Atomically-Controlled Group-IV Semiconductor Heterostructures
用原子控制的 IV 族半导体异质结构制造人造晶体
- 批准号:
15206031 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 30.45万 - 项目类别:
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23H01865 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 30.45万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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基于 IV 族半导体的光子波导器件,用于多功能脉冲数据处理
- 批准号:
20F20374 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 30.45万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Formation of directly-bonded interface between gallium oxide and group-IV semiconductor for power device application
用于功率器件应用的氧化镓和 IV 族半导体之间的直接键合界面的形成
- 批准号:
19H02182 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 30.45万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Low temperature formation of orientation controlled crystalline group IV semiconductor on insulating substrate by using metal induced crystallization method
金属诱导晶化法在绝缘衬底上低温形成取向控制晶体IV族半导体
- 批准号:
17K06363 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 30.45万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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半金属(金属)介导的IV族半导体纳米结构形成及其在下一代基础器件技术中的应用
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17K06338 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 30.45万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)