Creation of High-Carrier-Concentration and High-Mobility Artificial Crystal of Group IV Semiconductors by Atomically Controlled CVD Processing

通过原子控制 CVD 工艺制备高载流子浓度和高迁移率的 IV 族半导体人造晶体

基本信息

  • 批准号:
    19206032
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 30.45万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

N atomic-layer doping in SiGe by SiGe deposition on a thermally nitrided SiGe surface and highly concentrated P atomic-layer doping by lowering temperature of Si deposition on a P atomic layer already formed strained SiGe surface were achieved. Moreover, by lowering temperature of B and subsequent Si depositions on a Si surface, B atomic-layer doped Si with higher carrier concentration was achieved. Additionally, it was clarified that suppression of intermixing and strain relaxation by C atomic-layer doping at a strained SiGe/Si heterointerface and that, in thermal CVD of SiGe and B doped Si epitaxial films, strain significantly influences upon surface reaction, segregation, solid solubility limit and electrical activity of impurity.
通过在热氮化SiGe表面沉积SiGe,实现了SiGe中N原子层的掺杂;通过降低Si沉积温度,在已形成的应变SiGe表面沉积P原子层,实现了高浓度P原子层的掺杂。此外,通过降低B的温度和随后在Si表面沉积Si,可以获得具有更高载流子浓度的掺杂Si的B原子层。此外,还阐明了在应变SiGe/Si异质界面上掺杂C原子层抑制混合和应变弛豫的作用,以及在SiGe和B掺杂Si外延膜的热CVD中,应变对杂质的表面反应、偏析、固溶极限和电活性有显著影响。

项目成果

期刊论文数量(100)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Evolution of the Hydrogen Terminated Structure of the Si(100) Surface and Its Interaction with H_2 at 20-800℃
20-800℃下Si(100)表面氢封端结构的演化及其与H_2的相互作用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax;J.Murota
  • 通讯作者:
    J.Murota
Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)(Invited Paper)
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    X. Zhou;K. Uchida;H. Mizuta;S. Oda;M. Sakuraba
  • 通讯作者:
    M. Sakuraba
Adsorption and Desorption of Hydrogen on Si(100) in H_2 or Ar Heat Treatment
H_2或Ar热处理中氢在Si(100)上的吸附与脱附
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax;J.Murota
  • 通讯作者:
    J.Murota
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    P.Homhuan;T.Nabatame;T.Chikyow;S.Tungasmita;J.Ohta;T. Tsuchiya
  • 通讯作者:
    T. Tsuchiya
Atomically Controlled Processing for Impurity Doping in Si-Based CVD Epitaxial Growth
硅基 CVD 外延生长中杂质掺杂的原子控制工艺
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J.Murota、M.Sakuraba;B.Tillack
  • 通讯作者:
    B.Tillack
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  • 通讯作者:
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    $ 30.45万
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