Development of SiGe System MOS-HBT Technology for Fabrication of High Integrated Communication System

用于高集成通信系统制造的SiGe系统MOS-HBT技术的开发

基本信息

  • 批准号:
    11694123
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.86万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    1999
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1999 至 2001
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In this scientific research, in order to realize the high speed and large capacitance mobile communication system with low working voltage and low power consumption, a new mobile communication System-On-Chip which is mainly integrated by SiGe-based MOS and HBT have been developed under the 3-year-plan from 1999 with the co-work of the Innovation for High Performance Microelectronics (IHP), Germany. In the last year of the 3 years, the study on the ultra-small structure formation of SiGe and the ultra-high speed mobile-communication device fabrication was conducted. The study on the ultra-small SiGe structure formation includes the realization of the exact control of impurity-doped SiGe(C) thin film deposition, of the exact anisotropy etching control of ultra-small structure SiGe(C)-based semiconductor, of the integration of the adsorption/reaction constant for source gas molecules in CVD process, of the database development of the atomic layer growth and the atomic layer plasma process … More , of the heavily P-doped semiconductor, and of atomic order nitridation and atomic order nitrogen doping control. Moreover, the study on the ultra-high speed device fabrication includes the development and the investigation of highly controllable process technology, of ultra-large scale integrated circuit fabrication process, of the ultra-high speed device structure, and the evaluation of the fabricated devices. From these studies, especially, the CMOS applicability of 0.1-μm MOSFETs with super self-aligned ultra-shallow junction formed by selective B-doped SiGe epitaxy, the excellent low frequency noise characteristics of SiGe-channel pMOSFET, the device fabrication process and the structure of 100GHz-HBT, the metallization technology with ultra-low contact resistance, and the exact control of B- or P-doped SiGe(C) epitaxial growth have been reported. Furthermore, highly exact evaluation process of the ultra-small SiGe(C) structure, which is extremely important to device application, was developed. Less
为了实现低工作电压、低功耗的高速大容量移动通信系统,本课题在1999年开始的三年计划中,与德国高性能微电子创新组织(IHP)合作,开发了一种以SiGe为基础的MOS和HBT为主体的新型移动通信系统片上。在过去的三年中,我们开展了SiGe超微结构的形成和超高速移动通信器件的制作研究。对超小尺寸SiGe结构形成的研究包括实现掺杂SiGe(C)薄膜沉积的精确控制、超小结构SiGe(C)基半导体的精确各向异性刻蚀控制、CVD工艺中源气体分子吸附/反应常数的积分、原子层生长和原子层等离子体工艺…数据库的开发此外,对重磷掺杂半导体,以及原子有序氮化和原子有序氮掺杂进行了控制。此外,超高速器件制造的研究还包括高度可控工艺技术、超大规模集成电路制造工艺、超高速器件结构的开发和研究,以及对已制造器件的评价。通过这些研究,特别是对采用选择性B掺杂SiGe外延形成的超自对准超浅结0.1μm MOSFET的适用性,SiGe沟道pMOSFET优异的低频噪声特性,100 GHz异质结晶体管的制作工艺和结构,超低接触电阻的金属化技术,以及对B或P掺杂SiGe(C)外延生长的精确控制等方面进行了报道。此外,还开发了对器件应用极为重要的超小型SiGe(C)结构的高精度评估过程。较少

项目成果

期刊论文数量(318)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
D. Lee et al.: "Phosphorus Doping in Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Growth by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition Using a SiH_4GeH_4-CH_3SiH_3-PH_3-H_2 Gas System"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol. 40, No. 4B. 2697-2700 (2001)
D.Lee等人:“使用SiH_4GeH_4-CH_3SiH_3-PH_3-H_2气体系统通过低压化学气相沉积在Si_<1-x-y>Ge_xC_y外延生长中掺杂磷”Jpn。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T. Kanetsuna et al.: "Surface Adsorption and Reaction of Chlorine on Impurity Doped Si Using an ECR Plasma"197th Meeting of the Electrochemical Society, Toronto, Canada, May 14-18. Abs. No. 294. (2000)
T. Kanetsuna 等人:“使用 ECR 等离子体在杂质掺杂硅上进行氯的表面吸附和反应”电化学协会第 197 届会议,加拿大多伦多,5 月 14 日至 18 日。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y, Shimamune et al.: "Atomic-Layer Doping in Si by Alternately Supplied PH_3 and SiH_4"2000 Spring Meeting, The European Materials Research Society (E-MRS), Strasbourg, France, May 30-Jun. 2. Abs. No. F-IV.3. (2000)
Y, Shimamune 等人:“Atomic-Layer Doping in Si by Alternately Supplied PH_3 and SiH_4”2000 年春季会议,欧洲材料研究学会 (E-MRS),法国斯特拉斯堡,5 月 30 日至 6 月。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y. Yamamoto et al.: "Surface Adsorption of WF_6 on Si and SiO_2 in Selective W-CVD"Proceedings of the 15th International Conference on Chemical Vapor Deposition: CVD XV, (M. D. Allendorf, T. M. Bessman, M. L. Hitchman, M. Robinson, Y. Shimogaki, F. Teyssa
Y. Yamamoto等人:“选择性W-CVD中Si和SiO_2上的WF_6的表面吸附”第15届化学气相沉积国际会议论文集:CVD XV,(M. D. Allendorf,T. M. Bessman,M. L. Hitchman,M. Robinson,
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J. Murota et al.: "Atomically Controlled Processing for Fabrication of Si-based Ultimate-Small Devices"Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology (29th IUVSTA Workshop), 2nd International Workshop on De
J. Murota 等人:“用于制造硅基终极小型器件的原子控制处理”应用于 ULSI 技术的选择性和功能薄膜沉积技术研讨会(第 29 届 IUVSTA 研讨会),第二届国际研讨会
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知道了