Complementary vertical tunnel FET aiming for low voltage and high speed operation by heterostructure design and miniaturization
Complementary vertical tunnel FET aiming for low voltage and high speed operation by heterostructure design and miniaturization
批准号:
26249046
负责人:
MIYAMOTO Yasuyuki
金额:
$26.54万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2017-03-31
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Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
AlTiO/AlGaN/GaN 金属-绝缘体-半导体异质结场效应晶体管中的低频噪声
DOI:
10.1063/1.4952386
发表时间:
2016
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[S. P. Le, T. Ui, T. Q. Nguyen, H.-A. Shih, and T. Suzuki]
通讯作者:
and T. Suzuki
Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs
高性能 InGaAs MOSFET 的生长工艺
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, T. Irisawa, M. Oda, and T. Tezuka]
通讯作者:
and T. Tezuka
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター鈴木研究室ホームページ
日本先进科学技术研究所纳米材料技术中心铃木实验室主页
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain
具有再生源极/漏极的 InGaAs 沟道 FinFET 的栅极可控性与鳍片宽度的关系
DOI:
10.1016/j.sse.2016.09.009
发表时间:
2016
期刊:
Solid-State Electronics
影响因子:
1.7
作者:
[N. Kise,H. Kinoshita, A. Yukimachi, T. Kanazawa and Y. Miyamoto]
通讯作者:
T. Kanazawa and Y. Miyamoto
An InAs/high-k/low-k structure: electron transport and interface analysis
InAs/高 k/低 k 结构:电子传输和界面分析
DOI:
10.1063/1.4983176
发表时间:
2017
期刊:
AIP Advances
影响因子:
1.6
作者:
[T. Ui, R. Mori, S. P. Le, Y. Oshima, and T. Suzuki.]
通讯作者:
and T. Suzuki.
共 41 条
Research on vertical InP-related hot electron transistors with insulated gate
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批准号:19206038
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.21万
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财政年份:2007
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负责人:MIYAMOTO Yasuyuki
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依托单位:
Research for ultra-fast operation of InP HBT by ballistic transportation in collector
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批准号:16360170
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.54万
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财政年份:2004
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负责人:MIYAMOTO Yasuyuki
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依托单位:
Ultrafine/High-speed electron devices based on buried nano-metal-wires in compound semiconductors
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批准号:14350182
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.66万
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财政年份:2002
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负责人:MIYAMOTO Yasuyuki
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依托单位:
Improving Crystal Conditions of Compound Semiconductors Laterally Grown on Metal Wire
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批准号:11450006
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$8.83万
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财政年份:1999
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负责人:MIYAMOTO Yasuyuki
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依托单位:
Ultra High-Speed Operation of Ultra-Fine GaInAs/InP HBT by Suppressing Recombination Current at Mesa Sidewall
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批准号:11555092
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$8.19万
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财政年份:1999
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负责人:MIYAMOTO Yasuyuki
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依托单位:
海外基金