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Complementary vertical tunnel FET aiming for low voltage and high speed operation by heterostructure design and miniaturization

Complementary vertical tunnel FET aiming for low voltage and high speed operation by heterostructure design and miniaturization
通过异质结构设计和小型化实现低电压和高速运行的互补垂直隧道 FET
批准号:
26249046
负责人:
MIYAMOTO Yasuyuki
金额:
$26.54万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2017-03-31

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发表时间: 2016
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    Research on vertical InP-related hot electron transistors with insulated gate
    • 批准号:
      19206038
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额:
      $26.21万
    • 财政年份:
      2007
    • 负责人:
      MIYAMOTO Yasuyuki
    • 依托单位:
    Research for ultra-fast operation of InP HBT by ballistic transportation in collector
    • 批准号:
      16360170
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $9.54万
    • 财政年份:
      2004
    • 负责人:
      MIYAMOTO Yasuyuki
    • 依托单位:
    Ultrafine/High-speed electron devices based on buried nano-metal-wires in compound semiconductors
    • 批准号:
      14350182
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $9.66万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      MIYAMOTO Yasuyuki
    • 依托单位:
    Improving Crystal Conditions of Compound Semiconductors Laterally Grown on Metal Wire
    • 批准号:
      11450006
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $8.83万
    • 财政年份:
      1999
    • 负责人:
      MIYAMOTO Yasuyuki
    • 依托单位:
    海外基金