刷新
{{item.name}}会员
Complementary vertical tunnel FET aiming for low voltage and high speed operation by heterostructure design and miniaturization
通过异质结构设计和小型化实现低电压和高速运行的互补垂直隧道 FET
基本信息
- 批准号：26249046
- 负责人：
- 金额：$ 26.54万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（45）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
AlTiO/AlGaN/GaN 金属-绝缘体-半导体异质结场效应晶体管中的低频噪声
- DOI：10.1063/1.4952386
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：S. P. Le;T. Ui;T. Q. Nguyen;H.-A. Shih;and T. Suzuki
- 通讯作者：and T. Suzuki
Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs
高性能 InGaAs MOSFET 的生长工艺
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Miyamoto;T. Kanazawa;Y. Yonai;K. Ohsawa;Y. Mishima;T. Irisawa;M. Oda;and T. Tezuka
- 通讯作者：and T. Tezuka
Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain
具有再生源极/漏极的 InGaAs 沟道 FinFET 的栅极可控性与鳍片宽度的关系
- DOI：10.1016/j.sse.2016.09.009
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：N. Kise,H. Kinoshita;A. Yukimachi;T. Kanazawa and Y. Miyamoto
- 通讯作者：T. Kanazawa and Y. Miyamoto
短チャネルTFETにおけるソース-ドレイン間直接トンネリングのオフ電流への寄与
直接源极-漏极隧道效应对短沟道 TFET 关断电流的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：林文博;岩田真次郎;福田浩一，宮本恭幸
- 通讯作者：福田浩一，宮本恭幸
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
MIYAMOTO Yasuyuki其他文献
Simulation of the Short Channel Effect in GaN HEMT with a Combined Thin Undoped Channel and Semi-Insulating Layer
结合薄未掺杂沟道和半绝缘层的 GaN HEMT 中的短沟道效应仿真
- DOI：
10.1587/transele.2019fus0002 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0.5
- 作者：
MIYAMOTO Yasuyuki;GOTOW Takahiro - 通讯作者：
GOTOW Takahiro
Vacuum Annealing and Passivation of HfS<sub>2</sub> FET for Mitigation of Atmospheric Degradation
HfS<sub>2</sub> FET 的真空退火和钝化缓解大气退化
- DOI：
10.1587/transele.e100.c.453 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0.5
- 作者：
UPADHYAYA Vikrant;KANAZAWA Toru;MIYAMOTO Yasuyuki - 通讯作者：
MIYAMOTO Yasuyuki
MIYAMOTO Yasuyuki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('MIYAMOTO Yasuyuki', 18)}}的其他基金
Research on vertical InP-related hot electron transistors with insulated gate
垂直InP型绝缘栅热电子晶体管研究
- 批准号：
19206038 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Research for ultra-fast operation of InP HBT by ballistic transportation in collector
InP HBT在收集器中弹道输运超快运行研究
- 批准号：
16360170 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Ultrafine/High-speed electron devices based on buried nano-metal-wires in compound semiconductors
基于化合物半导体中埋入式纳米金属线的超细/高速电子器件
- 批准号：
14350182 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Improving Crystal Conditions of Compound Semiconductors Laterally Grown on Metal Wire
改善金属线上横向生长的化合物半导体的晶体条件
- 批准号：
11450006 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Ultra High-Speed Operation of Ultra-Fine GaInAs/InP HBT by Suppressing Recombination Current at Mesa Sidewall
通过抑制台面侧壁复合电流实现超细 GaInAs/InP HBT 的超高速运行
- 批准号：
11555092 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
ヘテロ接合型薄膜デバイスへの応用に向けた酸化インジウム化合物のバンド構造制御
氧化铟化合物的能带结构控制在异质结薄膜器件中的应用
- 批准号：
24K01585 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
二次元半導体のヘテロ接合を用いた高性能P型トンネルトランジスタの開発
利用二维半导体异质结开发高性能P型隧道晶体管
- 批准号：
24K17584 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
低次元物質/強誘電体ヘテロ接合を用いた新メカニズム太陽電池の創出
使用低维材料/铁电异质结创建新机制太阳能电池
- 批准号：
23K26145 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ヘテロ接合界面を有するタンデム型太陽電池のバンド構造を考慮した透明導電膜の開発
考虑异质结界面串联太阳能电池能带结构的透明导电薄膜的开发
- 批准号：
22KJ2854 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機/無機2次元半導体接合を機軸としたトポロジカル絶縁体/超伝導ヘテロ接合の創出
基于有机/无机二维半导体结的拓扑绝缘体/超导异质结的构建
- 批准号：
22KJ2628 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
原子層ヘテロ接合を用いたヘリカル超伝導体の実証と機能創出
使用原子层异质结的螺旋超导体的演示和功能创建
- 批准号：
23KJ1502 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
低次元物質/強誘電体ヘテロ接合を用いた新メカニズム太陽電池の創出
使用低维材料/铁电异质结创建新机制太阳能电池
- 批准号：
23H01451 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ナノ結晶GaN/CsPbBr3-xClxヘテロ接合のキャリア輸送特性の解明
阐明纳米晶 GaN/CsPbBr3-xClx 异质结的载流子传输特性
- 批准号：
22K04195 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用
化合物半导体横向异质结的制备及其在电子器件中的应用
- 批准号：
21H01384 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高配向CNT結晶膜で明らかにするCNT-Siヘテロ接合太陽電池の発電メカニズム
利用高取向CNT晶体薄膜揭示CNT-Si异质结太阳能电池的发电机制
- 批准号：
21K04141 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 26.54万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)