课题基金 / 基金详情

膜形成の基礎研究

膜形成の基礎研究
成膜基础研究
批准号：
04223102
负责人：
高橋 清
金额：
$23.42万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04223102/
关键词：
水銀増感光CVD法ハイブリッド励起CVD法表面光干渉法アトミックレジストデュアルビーム法

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究は、成膜時に光を照射する光CVD法により各種半導体・金属・絶縁膜などの成膜を行ない、光CVD法の基礎メカニズムを解明することを目的として遂行された。その結果、以下に示す研究成果が得られた。水銀増感光CVD法により得られた超高濃度ドーピング膜の熱アニール特性を説明するために提案した複合欠陥(v-P_4)の妥当性を陽電子消滅法により実験的に確認した。さらに、SiH_2Cl_2を用いたSiの低温エピタキシャル成長を試み、250℃における結晶成長に成功した。光CVD法により作製したTa_2O_5膜の表面や内部の組成及び結合状態の分析をXPS(X線光電子分光)法を用いて行ない、リーク電流の低減にとって基板のSi原子の拡散が重要であるとの知見を得た。超LSI配線金属AlCVD技術として、気相中で原料ガスをプラズマ励起し、表面反応促進に紫外線照射を行なう、ハイブリッド励起CVD技術を開発した。さらに、Si表面の水素終端を積極的に利用したアトミックレジストプロセスを提案、Alの極微細線の形成に成功した。低温成膜した窒化Si膜の高品質化を図るため、エキシマレーザ照射を試みた。その結果、レーザ照射により絶縁特性が改善されることが明らかとなった。有機金属を用いた光MOMBEにおける、原料ガスの分解過程を観察する新しい手法としてSPI(表面光干渉)法を開発した。その結果、基板であるZnSe中で光誘起された過剰キャリアが表面反応に関与しているとの知見を得た。
英文摘要
本研究は、成膜時に光を照射する光CVD法により各種半導体・金属・絶縁膜などの成膜を行ない、光CVD法の基礎メカニズムを解明することを目的として遂行された。その結果、以下に示す研究成果が得られた。水銀増感光CVD法により得られた超高濃度ドーピング膜の熱アニール特性を説明するために提案した複合欠陥(v-P_4)の妥当性を陽電子消滅法により実験的に確認した。さらに、SiH_2Cl_2を用いたSiの低温エピタキシャル成長を試み、250℃における結晶成長に成功した。光CVD法により作製したTa_2O_5膜の表面や内部の組成及び結合状態の分析をXPS(X線光電子分光)法を用いて行ない、リーク電流の低減にとって基板のSi原子の拡散が重要であるとの知見を得た。超LSI配線金属AlCVD技術として、気相中で原料ガスをプラズマ励起し、表面反応促進に紫外線照射を行なう、ハイブリッド励起CVD技術を開発した。さらに、Si表面の水素終端を積極的に利用したアトミックレジストプロセスを提案、Alの極微細線の形成に成功した。低温成膜した窒化Si膜の高品質化を図るため、エキシマレーザ照射を試みた。その結果、レーザ照射により絶縁特性が改善されることが明らかとなった。有機金属を用いた光MOMBEにおける、原料ガスの分解過程を観察する新しい手法としてSPI(表面光干渉)法を開発した。その結果、基板であるZnSe中で光誘起された過剰キャリアが表面反応に関与しているとの知見を得た。
期刊论文(12)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
K.Shimizu: "High Mobility Poly-Si Thin-Film Transistors Fabricated by a Novel Excimer Laser Crystallization Method" IEEE Trans.Electron Dev.40. 112-117 (1993)
K.Shimizu：“采用新型准分子激光结晶方法制造的高迁移率多晶硅薄膜晶体管”IEEE Trans.Electron Dev.40。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Tanimoto: "Investigation on Leakage Current Reduction of Photo-CVD Tantalum Oxide Films Accomplished by Active Oxygen Annealing" J.Electrochem.Soc.139. 320-328 (1992)
S.Tanimoto：“通过活性氧退火实现光 CVD 氧化钽薄膜漏电流降低的研究”J.Electrochem.Soc.139。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Noriaki Itoh: "Radiation Damage in Non-Metallic Solids under Dense Electronic Excitation" Nucl.Inst.and Methods. B65. (1992)
Noriaki Itoh：“密集电子激励下非金属固体的辐射损伤”Nucl.Inst.and 方法。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
J.P.Simko: "Direct Observation of Self-Limiting Gallium Deposition on GaAs during Laser-Atomic Layer Epitaxial Proccessing" Jpn.J.Appl.Phys.31. L1518-L1521 (1992)
J.P.Simko：“激光原子层外延加工期间 GaAs 上自限镓沉积的直接观察”Jpn.J.Appl.Phys.31。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 6 条
    自転車の総合的な走行空間維持管理のための評価指標の体系化
    • 批准号：
      24K07695
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2024
    • 负责人：
      高橋 清
    • 依托单位：
      Kitami Institute of Technology
    自転車走行環境の多様性を考慮した乗り心地評価システムの構築
    • 批准号：
      21K04298
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      高橋 清
    • 依托单位：
      Kitami Institute of Technology
    イネ科植物の茎の構造と組織形成における傾斜構造の解析
    • 批准号：
      09229211
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $1.09万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      高橋 清
    • 依托单位：
      Tohoku University
    ベイジアンアプローチを用いた人口停滞下における交通量推計手法に関する研究
    • 批准号：
      08750673
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $0.64万
    • 财政年份：
      1996
    • 负责人：
      高橋 清
    • 依托单位：
      The University of Tokyo