半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)

半导体光激发过程的基础(一般组)

基本信息

  • 批准号:
    04223103
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.84万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

文部省科学研究費重点領域研究「光励起プロセス」の、3年間にわたる研究が平成5年3月に終了した。そこで本年度は本重点領域の3年間の研究成果の集大成として、本研究成果を外国にも公表すると同時に、広く研究内容を討論することを目的として、国内の関係研究者は勿論、国外のこの分野の研究者にも参加を呼びかけ、下記のように最終報告会を開催した。尚海外からの参加者も多かったので、研究報告等はすべて英語で行った。日時:平成5年10月13日〜15日の3日間場所:仙台国際センター参加国数:10カ国参加者数:137名(内 国内113名、国外24名)講演件数:97件(内 大学70、国公立研究機関11、民間企業16)Proceedings 用提出論文:81編(内招待講演11、一般論文70)研究報告内容は、光励起プロセスの物理、表面反応機構、結晶成長機構、評価法、などの広い範囲にわたっている。最終日には、光励起プロセスの応用分野に焦点を絞って報告会を行った。当日は英文の研究報告概要を作成し、参加者に配布した。また後日、国内・国外の参加者の研究報告ならびに講演内容も含めて約600ページにわたる英文最終報告書をElsevierから出版した。更に本重点領域研究の成果を、広く一般の方々にも利用していただく意味で本研究成果を骨子とした内容の「光励起プロセスの基礎」と題した成書を、工業調査会から出版した。
Ministry of Education, Science and Technology Research Fund Key Areas Research "Light from the beginning of the year", 3 years of research ended in March 2005 This year, the research results of this key field in the past three years will be summarized, the results of this research will be publicly presented, the research content will be discussed, the purpose will be discussed, the relationship between domestic researchers and foreign researchers will be discussed, and the final report will be held. Many participants from overseas, research reports, etc. Date: October 13 - 15, 2005, 3 Day Venue: Sendai International Conference Number of participants:137 (113 domestic and 24 foreign) Number of lectures:97 (70 domestic universities, 11 national public research institutions, and 16 private companies)Proceedings Presented papers:81 series (11 domestic lectures, and 70 general papers) Research report contents: Physics of light excitation, surface reaction mechanism, crystal growth mechanism, evaluation method, and The final report will be held on the basis of the division of the field of light and excitation. A summary of the research report was prepared and distributed by the participants. About 600 presentations were made by participants at home and abroad, and the final report was published in English. In addition, the research results in this key field are generally used in various ways, and the research results are published in books and industrial research conferences.

项目成果

期刊论文数量(26)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ying JIA: "Annealing characterization of heavily p-doped Si epitaxial films at low temperature" 21st International Conference on the Physics of Semiconductors. (1992)
贾颖:“低温下重p掺杂硅外延薄膜的退火表征”第21届国际半导体物理会议。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
高橋 清 他: "光励起プロセスの基礎" 工業調査会, 350 (1993)
Kiyoshi Takahashi 等人:“光激发过程的基础”工业研究协会,350(1993)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Kiyoshi TAKAHASHI: "Atomic Layer Epitaxy of ZnSe on GaAs by MBE" J.Crystal Growth. 116. 283-288 (1992)
Kiyoshi TAKAHASHI:“通过 MBE 在 GaAs 上进行 ZnSe 原子层外延”J.Crystal Growth。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Makoto KONAGAI: "Photo-CVD processing for amorphous silicon solar cells" 6th International Photovoltaic Science and Engineering Conference. (1992)
Makoto KONAGAI:“非晶硅太阳能电池的光CVD处理”第六届国际光伏科学与工程会议。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Makoto KONAGAI: "Defect Evaluation of P^+-doped Si Films at Low Temp." Jpn.J.A.Phys.32. 1884-1888 (1993)
Makoto KONAGAI:“低温下 P^ 掺杂硅薄膜的缺陷评估”。
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  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
    西村 正治

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知道了