半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
批准号:
04223103
负责人:
高橋 清
金额:
$3.84万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1993
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1993 至 --
关键词:
中文摘要
文部省科学研究費重点領域研究「光励起プロセス」の、3年間にわたる研究が平成5年3月に終了した。そこで本年度は本重点領域の3年間の研究成果の集大成として、本研究成果を外国にも公表すると同時に、広く研究内容を討論することを目的として、国内の関係研究者は勿論、国外のこの分野の研究者にも参加を呼びかけ、下記のように最終報告会を開催した。尚海外からの参加者も多かったので、研究報告等はすべて英語で行った。日時:平成5年10月13日〜15日の3日間場所:仙台国際センター参加国数:10カ国参加者数:137名(内 国内113名、国外24名)講演件数:97件(内 大学70、国公立研究機関11、民間企業16)Proceedings 用提出論文:81編(内招待講演11、一般論文70)研究報告内容は、光励起プロセスの物理、表面反応機構、結晶成長機構、評価法、などの広い範囲にわたっている。最終日には、光励起プロセスの応用分野に焦点を絞って報告会を行った。当日は英文の研究報告概要を作成し、参加者に配布した。また後日、国内・国外の参加者の研究報告ならびに講演内容も含めて約600ページにわたる英文最終報告書をElsevierから出版した。更に本重点領域研究の成果を、広く一般の方々にも利用していただく意味で本研究成果を骨子とした内容の「光励起プロセスの基礎」と題した成書を、工業調査会から出版した。
英文摘要
文部省科学研究費重点領域研究「光励起プロセス」の、3年間にわたる研究が平成5年3月に終了した。そこで本年度は本重点領域の3年間の研究成果の集大成として、本研究成果を外国にも公表すると同時に、広く研究内容を討論することを目的として、国内の関係研究者は勿論、国外のこの分野の研究者にも参加を呼びかけ、下記のように最終報告会を開催した。尚海外からの参加者も多かったので、研究報告等はすべて英語で行った。日時:平成5年10月13日〜15日の3日間場所:仙台国際センター参加国数:10カ国参加者数:137名(内 国内113名、国外24名)講演件数:97件(内 大学70、国公立研究機関11、民間企業16)Proceedings 用提出論文:81編(内招待講演11、一般論文70)研究報告内容は、光励起プロセスの物理、表面反応機構、結晶成長機構、評価法、などの広い範囲にわたっている。最終日には、光励起プロセスの応用分野に焦点を絞って報告会を行った。当日は英文の研究報告概要を作成し、参加者に配布した。また後日、国内・国外の参加者の研究報告ならびに講演内容も含めて約600ページにわたる英文最終報告書をElsevierから出版した。更に本重点領域研究の成果を、広く一般の方々にも利用していただく意味で本研究成果を骨子とした内容の「光励起プロセスの基礎」と題した成書を、工業調査会から出版した。
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Ying JIA: "Annealing characterization of heavily p-doped Si epitaxial films at low temperature" 21st International Conference on the Physics of Semiconductors. (1992)
贾颖:“低温下重p掺杂硅外延薄膜的退火表征”第21届国际半导体物理会议。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
高橋 清 他: "光励起プロセスの基礎" 工業調査会, 350 (1993)
Kiyoshi Takahashi 等人:“光激发过程的基础”工业研究协会,350(1993)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Kiyoshi TAKAHASHI: "Atomic Layer Epitaxy of ZnSe on GaAs by MBE" J.Crystal Growth. 116. 283-288 (1992)
Kiyoshi TAKAHASHI:“通过 MBE 在 GaAs 上进行 ZnSe 原子层外延”J.Crystal Growth。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Makoto KONAGAI: "Photo-CVD processing for amorphous silicon solar cells" 6th International Photovoltaic Science and Engineering Conference. (1992)
Makoto KONAGAI:“非晶硅太阳能电池的光CVD处理”第六届国际光伏科学与工程会议。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Makoto KONAGAI: "Defect Evaluation of P^+-doped Si Films at Low Temp." Jpn.J.A.Phys.32. 1884-1888 (1993)
Makoto KONAGAI:“低温下 P^ 掺杂硅薄膜的缺陷评估”。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 13 条
自転車の総合的な走行空間維持管理のための評価指標の体系化
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批准号:24K07695
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.83万
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财政年份:2024
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负责人:高橋 清
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依托单位:
自転車走行環境の多様性を考慮した乗り心地評価システムの構築
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批准号:21K04298
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2021
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负责人:高橋 清
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依托单位:
イネ科植物の茎の構造と組織形成における傾斜構造の解析
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批准号:09229211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1997
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负责人:高橋 清
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依托单位:
ベイジアンアプローチを用いた人口停滞下における交通量推計手法に関する研究
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批准号:08750673
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:高橋 清
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依托单位:
イネ科植物の茎の構造と組織形成における傾斜構造の発達過程の解析
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批准号:08243213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1996
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负责人:高橋 清
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依托单位:
モアレ干渉法による高速破壊解析システムとその応用
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批准号:07455044
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1995
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负责人:高橋 清
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依托单位:
複合材料界面における動的破壊の制止効果の評価
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批准号:06452321
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1994
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负责人:高橋 清
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依托单位:
交通計画におけるポートフォリオ理論の適用に関する研究
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批准号:04855105
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1992
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负责人:高橋 清
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依托单位:
膜形成の基礎研究
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批准号:04223102
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$23.42万
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财政年份:1992
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
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批准号:03239104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1991
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负责人:高橋 清
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依托单位:
膜形成の基礎研究
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批准号:03239103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$21.12万
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财政年份:1991
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
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批准号:02253104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1990
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负责人:高橋 清
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依托单位:
膜形成の基礎研究
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批准号:02253103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$38.72万
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财政年份:1990
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎
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批准号:01306033
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1989
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负责人:高橋 清
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依托单位:
太陽電池の高効率化に関する研究
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批准号:01603009
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$23.04万
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财政年份:1989
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负责人:高橋 清
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依托单位:
太陽電池の高効率化に関する研究
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批准号:63603009
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$25.66万
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财政年份:1988
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负责人:高橋 清
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依托单位:
太陽電池の高効率化に関する研究
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批准号:62603010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$24.32万
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财政年份:1987
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负责人:高橋 清
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依托单位:
光発電素子の高効率化とシステム設計
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批准号:60040021
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$12.8万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 清
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依托单位:
光励起プロセスの基礎と半導体デバイスへの応用に関する調査研究
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批准号:60306014
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 清
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依托单位:
新しい材料評価法としての超音波フラクトグラフィーの基礎と応用に関する研究
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批准号:60212017
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 清
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依托单位:
海外基金