膜形成の基礎研究
膜形成の基礎研究
批准号:
02253103
负责人:
高橋 清
金额:
$38.72万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
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本研究は,光CVD法により各種半導体・金属・絶縁膜などの成膜を行ない,膜形成に関する基礎デ-タを蓄積し,光CVD法の基礎メカニズムを解明することを目的として遂行された.その結果,本年度は以下に示す研究成果が得られた.膜形成温度の最適化及び膜の高品質化を図るため,水銀増感光CVD法によるSi低温エピタキシャル成長時に重水素を添加し,その効果について詳細に検討した.その結果,重水素添加により約100℃の成長温度の向上が見られ,また同温度において成膜した場合,重水素添加の膜の方が水素添加の膜に比べ膜質が優れていることを明らかにした.水銀増感反応を用いて生成した水素ラジカル中で多結晶Siをアニ-ルすることにより,Si薄膜内の欠陥密度が大幅に低減できることを,光導電率測定及び薄膜トランジスタ特性より明らかにした.超LSI用Al形成技術して,原料ガスにジメチルアルミニウムハイドライドと水素を用いたハイブリッド励起CVD技術において,プラズマからの電子供給によって選択/非選択成長制御を可能とし,サブミクロンビアホ-ルの完全平坦化堆積に初めて成功した.また,Al選択成長について,表面の自由電子の関与した「表面電気化学反応によるタ-ミネ-トH原子の遺伝情報伝達」モデルを提案した.TaCl_5と酸素とでSi基板上に光堆積したTa_2O_5が,続く光酸素アニ-ルで改善される機構を明らかにし,これを用いてTaCl_5とオゾンによる光CVD技術を開発・確立した.ZnSeのArレ-ザ励起MOVPEにおいて,少数キャリアの表面再結合速度が成膜に与える影響を,GaAsとInPのように異なる基板材料を用いて検討し,これまで提案してきたバンドモデルを用いて良く説明できることを示した.
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Makoto Konagai: "Metallic pーtype GaAs and InGaAs Grown by MOMBE" Journal of Crystal Growth. 105. 359-365 (1990)
Makoto Konagai:“MOMBE 生长的金属 p 型 GaAs 和 InGaAs”《晶体生长杂志》105. 359-365 (1990)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Masakiyo Matsumura: "Hydrogen RadicalーAnnealing of ChemicalーVaporーDeposited Amorphous Silicon Films" Jpn.J.Appl.Phys.29. L2171-L2174 (1990)
Masakiyo Matsumura:“氢自由基-化学退火-气相沉积非晶硅薄膜”Jpn.J.Appl.Phys.29 (1990)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Kazuo Tsubouchi: "Complete Planarization of Via Holes with Aluminum by Selective and Nonselective Chemical Vapor Deposition" Appl.Phys.Lett.57. 1221-1223 (1990)
Kazuo Tsubouchi:“通过选择性和非选择性化学气相沉积对铝通孔进行完全平面化”Appl.Phys.Lett.57。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Akihiko Yoshikawa: "Ar ion LaserーAssisted MOVPE of ZnSe Using DMZn and DMSe as Reactants" Jpn.J.Appl.Phys.29. L225-L227 (1990)
Akihiko Yoshikawa:“Ar离子激光-使用DMZn和DMSe作为反应物辅助ZnSe的MOVPE”Jpn.J.Appl.Phys.29 (1990)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
AKira Yamada: "Heavily Pーdoped (>10^<21>cm^<ー3>) Si and SiGe Films Grown by PhotoーCVD at 250℃" Journal of Electronic Materials. 19. 1083-1087 (1990)
AKira Yamada:“在 250℃ 下通过光 CVD 生长的重磷掺杂 (>10^<21>cm^<-3>) Si 和 SiGe 薄膜”《电子材料杂志》19. 1083-1087 (1990)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
自転車の総合的な走行空間維持管理のための評価指標の体系化
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批准号:24K07695
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.83万
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财政年份:2024
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负责人:高橋 清
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依托单位:
自転車走行環境の多様性を考慮した乗り心地評価システムの構築
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批准号:21K04298
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2021
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负责人:高橋 清
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依托单位:
イネ科植物の茎の構造と組織形成における傾斜構造の解析
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批准号:09229211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1997
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负责人:高橋 清
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依托单位:
ベイジアンアプローチを用いた人口停滞下における交通量推計手法に関する研究
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批准号:08750673
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:高橋 清
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依托单位:
イネ科植物の茎の構造と組織形成における傾斜構造の発達過程の解析
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批准号:08243213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1996
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负责人:高橋 清
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依托单位:
モアレ干渉法による高速破壊解析システムとその応用
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批准号:07455044
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1995
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负责人:高橋 清
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依托单位:
複合材料界面における動的破壊の制止効果の評価
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批准号:06452321
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1994
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
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批准号:04223103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.84万
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财政年份:1993
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负责人:高橋 清
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依托单位:
交通計画におけるポートフォリオ理論の適用に関する研究
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批准号:04855105
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1992
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负责人:高橋 清
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依托单位:
膜形成の基礎研究
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批准号:04223102
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$23.42万
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财政年份:1992
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
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批准号:03239104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1991
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负责人:高橋 清
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依托单位:
膜形成の基礎研究
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批准号:03239103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$21.12万
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财政年份:1991
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
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批准号:02253104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1990
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎
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批准号:01306033
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1989
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负责人:高橋 清
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依托单位:
太陽電池の高効率化に関する研究
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批准号:01603009
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$23.04万
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财政年份:1989
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负责人:高橋 清
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依托单位:
太陽電池の高効率化に関する研究
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批准号:63603009
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$25.66万
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财政年份:1988
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负责人:高橋 清
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依托单位:
太陽電池の高効率化に関する研究
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批准号:62603010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$24.32万
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财政年份:1987
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负责人:高橋 清
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依托单位:
光発電素子の高効率化とシステム設計
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批准号:60040021
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$12.8万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 清
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依托单位:
光励起プロセスの基礎と半導体デバイスへの応用に関する調査研究
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批准号:60306014
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 清
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依托单位:
新しい材料評価法としての超音波フラクトグラフィーの基礎と応用に関する研究
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批准号:60212017
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 清
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依托单位: