太陽電池の高効率化に関する研究
太陽電池の高効率化に関する研究
批准号:
01603009
负责人:
高橋 清
金额:
$23.04万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
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英文摘要
バルク形で30%、薄膜形で20%以上の変換効率を現実するための基礎研究を行ない、以下の結果を得た。1.30%以上の超高効率を得るための研究(1)ボトムセル開発:2.0OeV、1.43eV、1.0eVの禁制帯幅をもつ3層タンデムでは、理論的に40%の変換効率が見込まれる。本年度は、1.0eV付近のボトムセルについて検討したところ、キャップ層を持つInAlAs/InGaAs構造で最も優れた特性が得られた。(2)GaAs/Siタンデム太陽電池材料の高品質化:歪超格子の採用や成長条件の最適化により、エッチピット密度が10^6cm^<-2>台でキャリア濃度の低GaAs/SiのMOCVD成長ま成功した。2.薄膜で20%以上の変換効率を得るための研究(1)アモルファスSi薄膜太陽電池の高効率化:aーSiの高品質化を目指し、光CVD法による成膜機構を解明した。次に光CVD法によるアンドープ層や微結晶層の膜質改善を図るとともに、デルタドーピングなどの新構造を提案し、0.9V以上と従来よりも高い開放電圧を得た。またデバイス特性に大きな影響のある透明導電膜アモルファス界面の障壁高さの評価を行なった。(2)CuInSe_2薄膜の高品質化:セレン化法によるCuInSe_2薄膜の形成を行ない、粒系を3μm得た。また、この手法によればCu/In比を精度よく制御できる見通しが得られた。3.新型太陽電池の研究超微細な金属アイランドを施した半導体を用いる湿式太陽電池は、従来のpn接合形太陽電池よりも高い性能を示すこと、また同じ原理を適用して新しい型の固体太陽電池を作製できることを明らかにした。また、湿式太陽電池の電極・溶液界面のinーsitu測定に初めて成功した。この他、太陽エネルギーの化学的エネルギーへの効率的な変換のために、半導体光触媒反応の効率を決める因子について考察した。
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K.Sakamaki,et al.: "Imaging the Phenol Molecule Adsorbed on TiO_2 by Scanning Tunneling Micorscopy" Surface Sci.219. 531-536 (1989)
K.Sakamaki 等人:“通过扫描隧道显微镜对 TiO_2 上吸附的苯酚分子进行成像”Surface Sci.219。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hirosi Tsubomura: "Silicon Electrodes Coated with Extremely Small Platinum Islands for Efficient Solar Energy Conversion" Journal of The Electrochemical Society. Vol.136 No.8. 2280-2285 (1989)
Hirosi Tsubomura:“涂有极小铂岛的硅电极可实现高效太阳能转换”电化学学会杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Mizukawa,K.Sato,K.Yasuhiro,M.Isawa,K.Kuroiwa and Y.Tarui: "Optical Studies of Doping-Characteristion in Boron-Doped a-Si:H Films Prepared by the Photo-CVD Technique" Japanese Journal of Applied Physics. Vol.28. 961 (1989)
S.Mizukawa、K.Sato、K.Yasuhiro、M.Isawa、K.Kuroiwa 和 Y.Tarui:“用光 CVD 技术制备的掺硼 a-Si:H 薄膜中掺杂特性的光学研究” 日语
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Umeno,T.Jimbo and T.Soga: "High Quality GaAs and Gap on Si with III-V Alloy SLS Buffer Layer" Jounrnal Crystal Grouth. Vol.98. 188-194 (1988)
M.Umeno、T.Jimbo 和 T.Soga:“高质量 GaAs 和带有 III-V 合金 SLS 缓冲层的 Si 上的间隙”Junrnal Crystal Grouth。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Kazama,K.Seki,W.Kim,S.Yamanaka,M.Konagai,K.Takahashi: "High Efficiency Amorphous Silicon Solar Cells with"Delta-Doped"P-Layer" Japanese Journal of Applied Physics. Vol.28 No.7. 1160-1164 (1989)
Y.Kazama、K.Seki、W.Kim、S.Yamanaka、M.Konagai、K.Takahashi:“具有“Delta 掺杂”P 层的高效非晶硅太阳能电池”日本应用物理学杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
自転車の総合的な走行空間維持管理のための評価指標の体系化
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批准号:24K07695
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.83万
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财政年份:2024
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负责人:高橋 清
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依托单位:
自転車走行環境の多様性を考慮した乗り心地評価システムの構築
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批准号:21K04298
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2021
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负责人:高橋 清
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依托单位:
イネ科植物の茎の構造と組織形成における傾斜構造の解析
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批准号:09229211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1997
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负责人:高橋 清
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依托单位:
ベイジアンアプローチを用いた人口停滞下における交通量推計手法に関する研究
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批准号:08750673
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:高橋 清
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依托单位:
イネ科植物の茎の構造と組織形成における傾斜構造の発達過程の解析
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批准号:08243213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1996
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负责人:高橋 清
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依托单位:
モアレ干渉法による高速破壊解析システムとその応用
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批准号:07455044
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1995
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负责人:高橋 清
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依托单位:
複合材料界面における動的破壊の制止効果の評価
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批准号:06452321
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1994
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
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批准号:04223103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.84万
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财政年份:1993
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负责人:高橋 清
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依托单位:
交通計画におけるポートフォリオ理論の適用に関する研究
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批准号:04855105
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1992
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负责人:高橋 清
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依托单位:
膜形成の基礎研究
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批准号:04223102
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$23.42万
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财政年份:1992
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
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批准号:03239104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1991
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负责人:高橋 清
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依托单位:
膜形成の基礎研究
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批准号:03239103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$21.12万
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财政年份:1991
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)
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批准号:02253104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1990
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负责人:高橋 清
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依托单位:
膜形成の基礎研究
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批准号:02253103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$38.72万
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财政年份:1990
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负责人:高橋 清
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依托单位:
半導体における光励起プロセスの基礎
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批准号:01306033
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1989
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负责人:高橋 清
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依托单位:
太陽電池の高効率化に関する研究
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批准号:63603009
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$25.66万
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财政年份:1988
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负责人:高橋 清
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依托单位:
太陽電池の高効率化に関する研究
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批准号:62603010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$24.32万
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财政年份:1987
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负责人:高橋 清
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依托单位:
光発電素子の高効率化とシステム設計
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批准号:60040021
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$12.8万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 清
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依托单位:
光励起プロセスの基礎と半導体デバイスへの応用に関する調査研究
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批准号:60306014
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 清
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依托单位:
新しい材料評価法としての超音波フラクトグラフィーの基礎と応用に関する研究
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批准号:60212017
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 清
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依托单位:
海外基金