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ゼオライトナノスペースヘテロ接合場の特殊反応場としての利用

利用沸石纳米空间异质结场作为特殊反应场

基本信息

批准号：
09218216
负责人：
大久保達也
金额：
$ 1.02万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究の目的は・種々の評価や応用が可能なセンチメーターレベルのゼオライト単結晶の合成・異なる細孔を接合させるための単結晶上でのゼオライト薄膜のエピタキシャル成長の2点である。十分大きな単結晶の合成とこれを基板とした薄膜化技術を開発することができれば、一次元の分子レベルの細孔を三次元の細孔とつなぎその先で封止するというような究極の構造制御、およびこれをもとにした特殊反応場の創出が可能となる。昨年までの検討により、テストチューブを用いた貴金属カプセル法により、高温高圧の水熱合成法で、種結晶を用いない自発的核発生により最大1mm径のソーダライトの単結晶が得られた。そこでこの知見を踏まえて、テストチューブ内容積全体を反応場として用いることを検討した。具体的には金ライナーを用いて、テストチューブ内壁をすべて金で被うことにより、反応場の体積を20倍に増加させることができた。カプセル法では再現性の確認できる領域は〜0.5mm出会ったが、反応場体積を飛躍的に向上させることにより、再現性よくミリメーターサイズの単結晶合成が可能になった。また合成操作を繰り返すことにより、最大3mmの品質のよい単結晶合成が可能となった。薄膜合成に関しては、種結晶合成時に温度を変化させたところ、ソーダライト単結晶上にカンクリナイト単結晶成長したサンプルを得ることができた。そこで、この条件を種結晶存在下で実現すべく、種々の条件を変えて現在も検討を行っている。また3mmの結晶では目的とする結晶面があらわれていないので、この面を切り出したうえでの、カンクリナイトのヘテロエピタキシャル成長を検討している。

The purpose of this study is to evaluate the possibility of using a single crystal to synthesize a thin film on a single crystal. The synthesis of very large crystals and the development of thin film technology are possible through the creation of special reflection fields in the first order and the first order molecules and pores in the third order. In the past year, the research and development of rare earth metals, rare earth metals, rare earth metals, All the contents of this article are subject to investigation. The volume of the reaction field is increased by 20 times. The reproducibility of the method is confirmed by the field size of ~ 0.5mm, and the volume of the reflection field is greatly increased. The crystal synthesis is possible with a maximum quality of 3 mm. Film synthesis is related to the temperature change of seed crystal synthesis. In the presence of crystals, the conditions of crystallization are discussed. The crystal plane of the crystal of 3mm is cut out from the crystal plane, and the crystal plane is cut out from the crystal plane.