Control of physical properties induced in silicon nanostructure and device applications

控制硅纳米结构和器件应用中引起的物理特性

基本信息

  • 批准号:
    18063007
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 26.62万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The physical properties induced in quantum-sized silicon have been studied, including their applications. Major results are summarized as follows.(1) Luminescence: The blue emission was enhanced by high quality oxidation, and then bluephosphorescence was generated. As a related photonic effect, avalanche photoconduction was observed.(2) Ballistic electron emission: The usefulness has been confirmed in various media: parallel EBlithography and highly sensitive image-pickup in vacuum, VUV light emission in atmospheric pressureXe gas ambience, and hydrogen gas generation and thin solid film deposition in solutions.(3) Sound emission: It was demonstrated that the emitter is compatible with the use as 3-D objectsensing probe, non-contact actuator, digital speaker, and bio-acoustic communication.
已经研究了在量子大小的硅中诱导的物理特性,包括其应用。 (1)发光:通过高质量氧化增强了蓝色发射,然后产生蓝磷光。作为相关的光子效应,观察到雪崩光导数。(2)弹道电子的发射:在各种媒体中已经确认了有用性:在真空中的平行e蓝图和高度敏感的图像中,vuv光发射的光线发射在大气压力上的光发射量和氢气产生和固体膜在解决方案中的固定膜的产生。探测器,非接触式执行器,数字扬声器和生物声音交流。

项目成果

期刊论文数量(199)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Specific spectral features in electron emission from nanocrystalline poly-silicon quasi-ballistic cold cathode detected by an angle-resolved high resolution analyzer
角分辨高分辨率分析仪检测纳米晶多晶硅准弹道冷阴极电子发射的特定光谱特征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Hamada;M.Toyofuku;T.Miyano;T.Nakafjima-Kambe;H.Uchiyama;N.Nomura.;豊福雅典;Masanori Toyofuku;Masanori Toyofuku;A.Kojima;T. Ohta;關義親;D. Sakai
  • 通讯作者:
    D. Sakai
Control of Channel Resistance on Metal Nanowires by Electromigration Patterning Method
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Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si treated by high pressure water vapor annealing
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  • DOI:
    10.1143/jjap.48.04c119
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    B. Gelloz;R. Mentek;and N. Koshida
  • 通讯作者:
    and N. Koshida
ナノシリコン電子源-電子加速機能と応用展開(招待講演)
纳米硅电子源——电子加速功能及应用开发(特邀报告)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    越田信義N;太田敢行;B. ジェローズ
  • 通讯作者:
    B. ジェローズ
Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon
基于纳米晶硅的光子、电子和声学器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. Koshida;B. Gelloz
  • 通讯作者:
    B. Gelloz
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  • 通讯作者:
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    2009
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    $ 26.62万
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    $ 26.62万
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    $ 26.62万
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    1996
  • 资助金额:
    $ 26.62万
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    07405016
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 26.62万
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    1989
  • 资助金额:
    $ 26.62万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

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  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 26.62万
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