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Ultrasonic Microspectroscopy of Wide Bandgap Semiconductor Materials

宽带隙半导体材料的超声显微光谱

基本信息

批准号：
23246075
负责人：
KUSHIBIKI Jun-ichi
金额：
$ 30.53万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

To realize highly efficient and long life devices using wide bandgap semiconductors, such as AlN, ZnO, SiC, and GaN, it is necessary to employ homogeneous bulk single crystal substrates as well as proper fabrication processes for making homogeneous and high-quality films. To do so, we developed a new method for evaluating semiconductor materials using ultrasonic micro-spectroscopy (UMS) technology as an accurate evaluation technology. Although characterization of epitaxial film is generally difficult because of their elastic anisotropy, we demonstrated usefulness of the evaluation method through measuring velocities of leaky surface acoustic waves by the UMS technology and measuring density based on the Archimedes' principle for Sc doped AlN film specimens.

为了使用宽带隙半导体（例如AlN、ZnO、SiC和GaN）实现高效和长寿命的器件，必须采用均匀的块状单晶衬底以及用于制造均匀和高质量膜的适当的制造工艺。为此，我们开发了一种使用超声显微光谱（UMS）技术作为准确评估技术来评估半导体材料的新方法。虽然外延膜的表征通常是困难的，因为它们的弹性各向异性，我们证明了有用的评估方法，通过测量速度的泄漏表面声波的UMS技术和测量密度的基础上的阿基米德原理的Sc掺杂AlN薄膜试样。

项目成果

期刊论文数量（13）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Surface Acoustic Wave Properties of Amorphous Ta_2O_5 and Nb_2O_5 Thin Films Prepared by Radio Frequency Sputtering

射频溅射制备非晶Ta_2O_5和Nb_2O_5薄膜的表面声波性能

DOI：
10.1143/jjap.51.07ga01
发表时间：
2012
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
S.Kakio;K.Hosaka;M.Arakawa;Y.Ohashi;and J.Kushibiki
通讯作者：
and J.Kushibiki

Determination Method of Acoustical Physical Constants and Their Temperature Coefficients of La_3Ta_<0.5>Ga_<5.3>Al_<0.2>O_<14> Single Crystal

La_3Ta_<0.5>Ga_<5.3>Al_<0.2>O_<14>单晶声学物理常数及其温度系数的测定方法

DOI：
10.1109/ultsym.2012.0686
发表时间：
2012
期刊：
Proc. 2012 IEEE International Ultrason. Symp.
影响因子：
0
作者：
Y.Ohashi;T.Karaki;T.Lv;H.Yoshida;M.Arakawa;M.Adachi and J.Kushibiki
通讯作者：
M.Adachi and J.Kushibiki

超音波計測と電気電子材料

超声波测量与电子电气材料

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
櫛引淳一
通讯作者：
櫛引淳一

Analyzing Crystals by Ultrasonic Microspectroscopy

通过超声波显微光谱分析晶体

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuji Ohashi;Mototaka Arakawa;and Jun-ichi Kushibiki
通讯作者：
and Jun-ichi Kushibiki

Evaluation of Acoustical Properties for GaN Single Crystal by the Ultrasonic Microspectroscopy Technology

超声显微光谱技术评价GaN单晶的声学特性

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shintaro Hisatake;and Tadao Nagatsuma;Jae-Young Kim and Katsuhiro Ajito;Yuji Ohashi and Jun-ichi Kushibiki
通讯作者：
Yuji Ohashi and Jun-ichi Kushibiki