LSI design methodology that enables robust operation under the supply as low as threshold voltage by self-compensating performance variability

LSI 设计方法可通过自我补偿性能变化，在低至阈值电压的电源下实现稳健运行

基本信息

  • 批准号：
    25280014
  • 负责人：
    ONODERA Hidetoshi
  • 金额：
    $ 11.65万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2013
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2013-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（27）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
On-Chip Detection of Process Shift and Process Spread for Post-Silicon Diagnosis and Model-Hardware Correlation
工艺偏移和工艺扩展的片上检测，用于硅后诊断和模型硬件关联
Characterization and compensation of performance variability using on-chip monitors
使用片上监视器表征和补偿性能变化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    A.K.M. Mahfuzul Islam;and Hidetoshi Onodera
  • 通讯作者：
    and Hidetoshi Onodera
Standard Cell Structure with Flexible P/N Well Boundaries for Near-Threshold Voltage Operation
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Dependable VLSI Platform with Variability and Soft-Error Resilience
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ryo Emoto;Atsushi Kawaguchi;Hisako Yoshida;Shigeyuki Matsui;Hidetoshi Onodera
  • 通讯作者：
    Hidetoshi Onodera
Computer Simulation of Radiation-Induced Clock-Perturbation in Phase-Locked Loop with Analog Behavioral Model
用模拟行为模型对锁相环中辐射引起的时钟扰动进行计算机仿真
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tomohiro Fujita;SinNyoung Kim;and Hidetoshi Onodera
  • 通讯作者：
    and Hidetoshi Onodera
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  • 通讯作者：
    ONODERA Hidetoshi

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  • 通讯作者：
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    1994
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    $ 11.65万
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    $ 11.65万
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  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 11.65万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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