Integrated Circuit Design for Robust Operation under Low Supply Voltage

低电源电压下稳健运行的集成电路设计

• 批准号: 22300016
• 负责人: ONODERA Hidetoshi
• 金额: $ 11.81万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22300016/
• 关键词: 低消費電力化; 低電圧動作; 耐ばらつき設計; ディペンダブル VLSI; LSI設計技術; 低消費電力設計; ばらつき考慮設計; ディペンダブルLSI; システムオンチップ; 製造容易化設計

We have investigated on a design method that achieves robust circuit operation under low supply voltage of around 0.7 V. In particular, we have worked onthree topics:(1) built-in self monitor and compensation of die-to-die variation(2) sequential logic gates tolerating for within-die variation(3) evaluation of dynamic performance variation under low supply voltage.We have successfully developed variation-tolerant D-FFs, all-digital monitors and body-bias generator circuits for performance compensation, and accurate evaluation of delay fluctuation due to Random Telegraph Noise.

我们研究了在0.7 V左右的低电源电压下实现电路稳定工作的设计方法。特别是，我们在三个主题上进行了工作：（1）内置自监控和芯片间变化补偿（2）容忍芯片内变化的时序逻辑门（3）评估低电源电压下的动态性能变化。我们成功地开发了用于性能补偿的容变D-FF，全数字监控器和体偏置发生器电路，并精确评估了随机电报噪声引起的延迟波动。

项目成果

A Body Bias Generator Compatible with Cell-based Design Flow for Within-die Variability Compensation

与基于单元的设计流程兼容的体偏置发生器，用于芯片内变异性补偿

• 发表时间: 2012
• 作者: Norihiro Kamae;Akira Tsuchiya;Hidetoshi Onodera
• 通讯作者: Hidetoshi Onodera

ランダム・テレグラフ・ノイズに起因したディジタル回路遅延ゆらぎについて

关于随机电报噪声引起的数字电路延迟波动

• 发表时间: 2011
• 作者: 松本高士;伊東恭佑;小林和淑;小野寺秀俊
• 通讯作者: 小野寺秀俊

トランジスタレベルでの経年劣化補償技術におけるNBTI回復特性の利用について

浅谈NBTI恢复特性在晶体管级老化补偿技术中的应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 松本高士;牧野裕明;小林和淑;小野寺秀俊
• 通讯作者: 小野寺秀俊

A Standard Cell Optimization Method for Near-Threshold Voltage Operations

近阈值电压操作的标准电池优化方法

• 作者: Y.Ichinomiya;Motoki Amagasaki;M.Kuga;Toshinori Sueyoshi;Masahiro Kondo
• 通讯作者: Masahiro Kondo

NBTI・RTNが論理回路およびSRAMの信頼性に与える影響について

关于NBTI/RTN对逻辑电路和SRAM可靠性的影响

• 作者: Y.Minami;Y.Koizumi;S.Arakawa;T.Miyamura;et al;松本高士
• 通讯作者: 松本高士