Untersuchung der Grundlagen der Prägelithographie (Nanoimprinting) im Hinblick auf die Herstellung von optischen Quantenbauelementen

Ein neues Verfahren zur Erzeugung von Strukturen bis herab in den nm-Bereich ist die Prägelithographie（Nanoimprinting）.在一种聚合物中，您可以根据压力和温度测量一种结构，这在一种结构上是可行的。Im Gegenplatz zum Elektronenstrahlschreiben stelt das Prägen einen kostengünstigen pronezeplatz dar. Für die Beurteilung der Einsatzfähigkeit dieses neuen Verfahrens ist die Untersuchung und Optimierung des Gesamtprozesses（Prägen und nachfolgendes Trockenätzen）im Zusammenhang mit der Materialoptimierung（viskoelastische Eigenschaften und Ätzresistenz des Polymers）erforderlich。这是一个温度很低的问题，也是一个很难解决的问题。Dabei ist zu untersuchen，inwieweit die für eine gute <$kation erforderlichen Drücke zu Streetheim zu strukturierenden Halbleitermaterial führen.一般的碎片韦尔登是在使用光学全息元件时产生的。最大的支撑点位于跨度自由度上，也位于各向异性上，并在纳米边界上形成自由结构。

Ein neues Verfahren zur Erzeugung von Strukturen bis herab in den nm-Bereich ist die Prägelithographie (Nanoimprinting). Sie beruht auf der Abformung eines Stempels unter Druck und Temperatur in ein Polymer, das in einem anschließenden Strukturübertragungsprozeß (Trockenätzen) als Maske dient. Im Gegensatz zum Elektronenstrahlschreiben stellt das Prägen einen kostengünstigen Parallelprozeß dar. Für die Beurteilung der Einsatzfähigkeit dieses neuen Verfahrens ist die Untersuchung und Optimierung des Gesamtprozesses (Prägen und nachfolgendes Trockenätzen) im Zusammenhang mit der Materialoptimierung (viskoelastische Eigenschaften und Ätzresistenz des Polymers) erforderlich. Ziel ist ein Prozeß bei niedriger Temperatur und insbesondere niedrigem Druck. Dabei ist zu untersuchen, inwieweit die für eine gute Replikation erforderlichen Drücke zu Streß im zu strukturierenden Halbleitermaterial führen. Die genannten Fragestellungen werden im Zusammenhang mit der Herstellung optischer Quantenbauelemente untersucht. Dies stellt höchste Anforderungen sowohl in bezug auf die Spannungsfreiheit als auch in bezug auf eine anisotrope und schädigungsfreie Strukturierung im nm-Bereich.