Graphen auf SiC: Herstellung, elektronische Struktur und Anwendungen als Transistor

石墨烯学家Ebene dreifach koordinierter Kohlenstoffatome， gewissermaßen eine monoolage von Graphit。vortwa drei Jahren konnne einzelne Graphenschicht erstals durch wiederholtes Spalten von graphicit präpariert werden and werden in reiner von graphichen erregenden Experimenten zeigten siine außergewöhnlichen Eigenschaften。augrground seiner strukturs stellen作为理想的三维电子系统雷达，das zudem oberflächensensitiven characterterisierungsmethod zugänglich list。Wegen der bersonderheiten der Bandstruktur verhalten siktronen and Löcher Wegen der bersonderheiten derbandstruktur verhalten Elektronen and Löcher Wegen der ruhemassselose Teilchen。Die wellenfunkfunction ist zweikomponentig， Die man es von Dirac-Teilchen是她的肯特。所有这些数据都来自于<s:1>量子力学与量子力学之间的关系，并来自于<s:1>量子力学与量子力学之间的关系，来自于<s:1>量子力学与量子力学之间的关系。石墨基Feldeffekttransistor realisiisierwerden (SiC)-石墨基Feldeffekttransistor)疾病定性研究新进展öffnet die Möglichkeit [r] .实验与研究进展。气体传感技术的研究进展与应用前景。[3] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [2]德国Zugkraft公司在德国Tatsache公司生产了更先进的feldeffekt晶体管，德国Realisierung公司生产了gängiger halbleitertechnology公司生产的晶体管，德国Zugkraft公司生产了更先进的feldeffekt晶体管。碳化硅材料制备技术（SiC）：材料材料<s:1> r模großflächige，热控技术（热控技术）。在SiC风下，有栅极隔离器（Gateisolator verwendet），在栅极趋势下有石墨烯隔离器（Graphenschicht von dem Gate trend），在栅极风下有凹槽植入（welches durch flash Implantation）。Mit unserer langjährigen Erfahrung Mit SiC als Halbleitermaterial, und unseren vooreexperiment， denen beste Probenqualität证明材料在aussichtsreicher age， die qualativetesten Materialien in diesem stark umkämpften Gebiet beitragen zu können，是ohne Zweifel ein schl<s:1> ssel zu einer reichhaltigen neuen Physik und Technologie werden nature。

Graphen ist eine Ebene dreifach koordinierter Kohlenstoffatome, gewissermaßen eine Monolage von Graphit. Vor etwa drei Jahren konnte eine einzelne Graphenschicht erstmals durch wiederholtes Spalten von Graphit präpariert werden und in einer Reihe von Aufsehen erregenden Experimenten zeigten sich seine außergewöhnlichen Eigenschaften. Aufgrund seiner Struktur stellt Graphen das ideale zweidimensionale Elektronensystem dar, das zudem oberflächensensitiven Charakterisierungsmethoden zugänglich ist. Wegen der Besonderheiten der Bandstruktur verhalten sich Elektronen und Löcher wie ruhemasselose Teilchen. Die Wellenfunktion ist zweikomponentig, wie man es von Dirac-Teilchen her kennt. All das führt nicht nur zu einem Reichtum ausgefallener physikalischer Eigenschaften, sondern macht Graphen mit der Möglichkeit des ambipolaren Transports und Ladungsträgerbeweglichkeiten von mindestens 60.000 cm2V-1s-1 auch zu einem außergewöhnlichen Material für elektronische Anwendungen. Auf der Grundlage umfangreicher eigener Vorarbeiten zur Synthese von Graphen auf Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallen soll in diesem Projekt ein neuartiger Graphen-basierter Feldeffekttransistor realisiert werden. Diese qualitativ neue Grundlagenentwicklung öffnet die Möglichkeit für eine Vielzahl von Experimenten und Anwendungen. Bei der Anwendung als Gassensor werden Empfindlichkeiten zum Nachweis einzelner Gasmoleküle erwartet. Beim Kondoeffekt mit spintragenden Molekülen wird die Wechselwirkung zwischen Molekülen und zweidimensionalem Elektronengas in einem neuen Kontext untersucht. Die Zugkraft des hier avisierten Feldeffekttransistors liegt in der Tatsache, dass seine Realisierung auf gängiger Halbleitertechnologie beruht, angewandt auf SiC. SiC dient dabei nicht nur als Ausgangsmaterial für die großflächige, thermisch kontrollierte Synthese ein- oder mehrlagiger Graphenschichten. Undotiertes SiC wird auch als Gateisolator verwendet, das die Graphenschicht von dem Gate trennt, welches durch flache Implantation unter die Oberfläche erzeugt wird. Mit unserer langjährigen Erfahrung mit SiC als Halbleitermaterial, und unseren Vorexperimenten, denen beste Probenqualität attestiert wird sehen wir uns in aussichtsreicher Lage, die qualitativ besten Materialien in diesem stark umkämpften Gebiet beitragen zu können, was ohne Zweifel ein Schlüssel zu einer reichhaltigen neuen Physik und Technologie werden wird.