权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

精密欠陥制御による高品質SiGe仮想基板の形成

通过精确的缺陷控制形成高质量的 SiGe 虚拟衬底

基本信息

批准号：
06F06114
负责人：
中島寛
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2007
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06F06114/
关键词：
歪Si SiGe フォトルミネッセンス断面TEM 平面TEM 欠陥

项目摘要

本研究では、高品質かつ高い歪緩和率のSiGeが形成できる酸化濃縮法について、酸化濃縮過程で生成する欠陥の発生と歪緩和機構を解明し、歪緩和過程における欠陥の役割を明らかにすると共に、高品質SiGe on Insulator基板形成の基礎技術を確立することを目指している。平成19年度に得られた成果は、以下の通りである。(1)酸化濃縮法を用いて140nm膜厚のBOX層上にGe濃度20%、膜厚70nmのSiGe層を形成し、これを初期試料とした。これらの試料から小片を切り出し、高濃度SiGe層形成のための酸化濃縮法(温度プロファイル)を最適化し、Ge濃度が50、75、100%試料を作成した。この作成プロセスを構築した。(2)作成した高濃度SiGe層をHall効果測定により評価した。その結果、Ge濃度が50%以上の試料で、キャリア濃度が急激に増加すること、Hall移動度が単調に増加することを見いだした。また、Pseudo-MOSFET法によりSiGe/BOX界面でのチャネル移動度を評価し、Ge高濃度化に伴い移動度が向上することを見いだした。(3)作成した高濃度SiGe層のTEM観察を行った。その結果、Ge濃度50%試料では転移が発生していないが、Ge濃度75%では転移(積層欠陥)が観測され、その密度は、Ge濃度100%試料では減少するとの知見を得た。今後の課題は、キャリア密度を増加させている欠陥の生成機構を解明し、低欠陥化を目指す。

This study aims to establish the basic technology for the formation of high-quality SiGe on Insulator substrates by acid concentration method, explaining the formation of defects in acid concentration process, explaining the formation of defects in acid concentration process, and establishing the basic technology for the formation of high-quality SiGe on Insulator substrates. In the 19th year of Heisei, the results were obtained, and the following were passed. (1)The acid concentration method was used to form a SiGe layer with a Ge concentration of 20% and a film thickness of 70nm on a BOX layer with a film thickness of 140nm. The samples were prepared with Ge concentrations of 50, 75, and 100% by the acid concentration method (temperature optimization) for the formation of high concentration SiGe layers. This is the first time I've ever seen a woman. (2)High concentration SiGe layer was fabricated and evaluated. The results showed that the concentration of Ge was higher than 50%, and the concentration of Ge was higher than 50%. The pseudo-MOSFET method is used to evaluate the mobility of SiGe/BOX interface, and the Ge concentration is increased. (3)TEM observation of high concentration SiGe layer As a result, the samples with Ge concentration of 50%, 75%, In the future, the problem is to increase the density of air pollution, and to improve the quality of air pollution.