New ways of forming combined quantum wire/dot structures and investigation of their photoconductive functions

形成组合量子线/点结构的新方法及其光电导功能的研究

• 批准号: 20360163
• 负责人: SAKAKI Hiroyuki
• 金额: $ 10.82万
• 依托单位: Toyota Technological Institute
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360163/
• 关键词: 量子デバイス; スピンデバイス; 量子ナノ構造; 量子ドット; 量子細線; 1次元電子; 光伝導; 光検出器

New ways are developed to form nanostructures in which one or more quantum dots (QDs) are placed near a channel consisting of a single or plural quantum wires. When the structures are illuminated to generate carriers, electrons or holes are captured by QDs and affect the channel conductance, bringing forth the photoconductive functions. To form these structures, QDs were made by employing self assembly techniques, while wire structures are made by such methods as (1) the formation of multi-atomic steps on a vicinal GaAs substrate, (2) the stacking of multiple QDs, and (3) lithography.

开发了形成纳米结构的新方法，其中一个或多个量子点（QD）被放置在由单个或多个量子线组成的通道附近。当量子点被光照产生载流子时，电子或空穴被量子点捕获并影响沟道电导，从而产生光电导功能。为了形成这些结构，通过采用自组装技术来制造QD，而线结构通过诸如（1）在邻近GaAs衬底上形成多原子台阶、（2）堆叠多个QD和（3）光刻的方法来制造。

项目成果

Electron scatterings in selectively doped n-AlGaAs∕GaAs heterojunctions with high density self-assembled InAlAs antidots

• DOI: 10.1063/1.2996414
• 发表时间: 2008-10
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: T. Kawazu;H. Sakaki

液滴エピタキシーによるInGaAs/InP上InAsリング構造の作製

液滴外延法在 InGaAs/InP 上制备 InAs 环结构

• 发表时间: 2010
• 作者: 野田武司;他
• 通讯作者: 他

InAs量子ドット系における光励起キャリアの発光再結合と濡れ層での拡散課程

InAs量子点体系中光生载流子的发射复合及润湿层扩散过程

• 发表时间: 2009
• 作者: 田中;伊熊;津田;小出,飯尾,栗原,岩田,山本;高橋一真
• 通讯作者: 高橋一真

Thermal annealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy

液滴外延形成的 GaAs 中 GaSb 量子点的热退火

• 发表时间: 2010
• 期刊: Physica E-Low-Dimensional Systems & Nano-structures
• 作者: H. Fuiiwara;T. Takeuchi;Y. Otake;M. Yoshimoto;H. Kawaguchi;T.Kawazu
• 通讯作者: T.Kawazu

Effects of interface grading on electronic states and optical transitions in GaSb type-II quantum dots in GaAs

界面分级对GaAs中GaSb II型量子点电子态和光学跃迁的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: 川津琢也;榊裕之
• 通讯作者: 榊裕之