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Design and Development of semiconductor-supported catalyst for save and recycle of rare elements for catalysis

半导体负载催化剂的设计与开发，用于催化稀有元素的保存和回收

基本信息

批准号：
20560021
负责人：
ISHII Akira
金额：
$ 2.08万
依托单位：
Tottori University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2010
项目状态：
已结题

项目摘要

The Pd catalyst on sulfur-covered GaAs (001) surface reported to work as catalyst for the Heck reaction and Suzuki-Miyaura coupling reaction is calculated using the first principles calculation to clarify the atomic structure and the electronic states. The calculated results agrees well with experiments. The role of sulfur is to make the binding between Pd and substrate stronger and to make the valence of Pd to be zero. The similar calculation is done for the Pd catalyst on sulfur-covered Au substrate observed by the group of Hokkaido University to be the catalyst for the Heck reaction and Suzuki-Miyaura coupling reaction. The role of sulfur is to make the binding between Pd and substrate stronger and to make the valence of Pd to be zero. In the research of JST-Ikusei independent from this project, we perform the similar calculation for the Pd catalyst on sulfur-covered GaN (0001) substrate and we found the similar result on it. Therefore, the Pd catalyst on sulfur-covered substrates shows similar behavior. The research on this subject should be continued.

本文采用第一性原理计算方法对硫包GaAs（001）表面钯催化剂进行了计算，以阐明其原子结构和电子态。计算结果与实验结果吻合较好。硫的作用是使Pd与底物之间的结合更强，并使Pd的价电子为零。北海道大学的研究小组观察到，钯催化剂作为Heck反应和Suzuki-Miyaura偶联反应的催化剂，在硫覆盖的Au衬底上进行了类似的计算。硫的作用是使Pd与底物之间的结合更强，并使Pd的价电子为零。在独立于本项目的JST-Ikusei的研究中，我们对含硫GaN（0001）衬底上的Pd催化剂进行了类似的计算，并发现了类似的结果。因此，钯催化剂在含硫底物上表现出类似的行为。对这个问题的研究应该继续下去。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Structure determination of Pd-catalyst supported on S-terminated GaAs(001) using DFT calculation

使用 DFT 计算确定 S 端接 GaAs(001) 负载的 Pd 催化剂的结构

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
Physica Status Solidi C : Current Topics in Solid State Physics 7
影响因子：
0
作者：
Akira Ishii;Hiroki Asano;Mami Yokoyama;Shiro Tsukamoto;Satoshi Shuto;Mitsuhiro Arisawa
通讯作者：
Mitsuhiro Arisawa

密度汎関数法計算による硫黄終端GaAs(001)基板上のパラジウムの研究

利用密度泛函理论计算研究硫封端GaAs(001)衬底上的钯

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
石井晃;浅野裕基
通讯作者：
浅野裕基

Structure determination of Pd-catalyst supported on S-terminated GaN (0001) using DFT calculation

使用 DFT 计算确定 S 端接 GaN (0001) 上负载的 Pd 催化剂的结构

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
横山真美;石井晃
通讯作者：
石井晃

DFT calculation for Pd catalyst supported on S-terminated Au

S-封端 Au 负载 Pd 催化剂的 DFT 计算

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
横山真美;石井晃
通讯作者：
石井晃

DFT calculation for Green Chemical Catalyst Supported on S-terminated GaN

S 端接 GaN 上支持的绿色化学催化剂的 DFT 计算

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
横山真美;石井晃
通讯作者：
石井晃

DOI：
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ISHII Akira其他文献

Therapeutic Strategy for Carotid Artery Stenosis Based on Vessel Wall Imaging

基于血管壁成像的颈动脉狭窄治疗策略

DOI：
10.2335/scs.47.121
发表时间：
2019
期刊：
Surgery for Cerebral Stroke
影响因子：
0
作者：
YOSHIDA Kazumichi;FUNAKI Takeshi;KIKUCHI Takayuki;TAKENOBU Yohei;ISHII Akira;TAKAGI Yasushi;MIYAMOTO Susumu
通讯作者：
MIYAMOTO Susumu