高周波ナノ秒パルスレーザ照射による大口径シリコンウエハ加工変質層の完全修復
高周波ナノ秒パルスレーザ照射による大口径シリコンウエハ加工変質層の完全修復
批准号:
20656023
负责人:
閻 紀旺
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2008
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2008 至 2009
中文摘要
本研究では,加工変質層の形成された大口径Siウエハに高周波ナノ秒パルスNd:YAGレーザの連続照射を行うことで加工変質層における相変態や転位などを一括して完全な単結晶構造に修復することを研究目的とする.平成21年度では,照射装置の構築,高速移動照射条件の検討および砥粒加工面の変質層修復などを行った.具体的な研究内容および研究成果を以下に記す.(1)高速移動・回転照射装置の構築:レーザ照射ユニットをリニアモータ駆動・空気静圧支持のXYZステージへ搭載し,Siウエハを真空チャック付きの高速回転テーブルに吸着することで,3次元高速移動照射装置を構築した.本装置はXYZθの同時4軸制御となっており,直径300mmの大口径Siウエハ表面へ任意方式のレーザ照射が可能である.(2)ウエハ面方向に均一の結晶性が得られるため高速移動照射条件の実験検討:ステージ移動速度,テーブル回転数,レーザパルス周波数,照射痕オーバーラップ方式等を変化させて照射実験を行い,ウエハ面方向の結晶構造の分布を調べことで,結晶性ムラのない照射条件を特定することができた.(3)砥粒加工面の変質層修復への展開:ダイヤモンドバイトを用いた切削加工面のほかに,ダイヤモンド砥石による研削加工面を実験対象としてレーザ照射を行い,加工変質層の修復および表面粗さの改善効果を検証した.その結果,直径300mmの大口径Si研削ウエハの全面修復を可能とした.これらの成果は,大口径Siウエハの新しい製造プロセスの確立に重要指針を与えるものと考えられる.
英文摘要
本研究では,加工変質層の形成された大口径Siウエハに高周波ナノ秒パルスNd:YAGレーザの連続照射を行うことで加工変質層における相変態や転位などを一括して完全な単結晶構造に修復することを研究目的とする.平成21年度では,照射装置の構築,高速移動照射条件の検討および砥粒加工面の変質層修復などを行った.具体的な研究内容および研究成果を以下に記す.(1)高速移動・回転照射装置の構築:レーザ照射ユニットをリニアモータ駆動・空気静圧支持のXYZステージへ搭載し,Siウエハを真空チャック付きの高速回転テーブルに吸着することで,3次元高速移動照射装置を構築した.本装置はXYZθの同時4軸制御となっており,直径300mmの大口径Siウエハ表面へ任意方式のレーザ照射が可能である.(2)ウエハ面方向に均一の結晶性が得られるため高速移動照射条件の実験検討:ステージ移動速度,テーブル回転数,レーザパルス周波数,照射痕オーバーラップ方式等を変化させて照射実験を行い,ウエハ面方向の結晶構造の分布を調べことで,結晶性ムラのない照射条件を特定することができた.(3)砥粒加工面の変質層修復への展開:ダイヤモンドバイトを用いた切削加工面のほかに,ダイヤモンド砥石による研削加工面を実験対象としてレーザ照射を行い,加工変質層の修復および表面粗さの改善効果を検証した.その結果,直径300mmの大口径Si研削ウエハの全面修復を可能とした.これらの成果は,大口径Siウエハの新しい製造プロセスの確立に重要指針を与えるものと考えられる.
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DOI:
10.1088/0268-1242/24/10/105018
发表时间:
2009-10-01
期刊:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
影响因子:
1.9
作者:
[Yan, Jiwang, Sakai, Shin, Izunome, Koji]
通讯作者:
Izunome, Koji
レーザ照射による単結晶シリコン加工変質層の完全修復
激光照射完全修复单晶硅加工损伤层
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tadao Kiriyama, Hirofumi Harada, Jiwang Yan, 閻紀旺, 武藤聖也]
通讯作者:
武藤聖也
Fundamental investigation on subsurface damage in single crystalline silicon caused by diamond machining
金刚石加工引起的单晶硅亚表面损伤的基础研究
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Precision Engineering 33
影响因子:
--
作者:
[J.Yan, T.Asami, H.Harada, T.Kuriyagawa]
通讯作者:
T.Kuriyagawa
DOI:
10.1088/0268-1242/24/2/025014
发表时间:
2009-02
期刊:
Semiconductor Science and Technology
影响因子:
1.9
作者:
[Tadao Kiriyama;H. Harada;Jiwang Yan]
通讯作者:
Tadao Kiriyama;H. Harada;Jiwang Yan
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Advanced Material Research 76-78
影响因子:
--
作者:
[J.Yan, S.Muto, T.Kuriyagawa]
通讯作者:
T.Kuriyagawa
共 10 条
SiC金型切削とナノ構造形成およびグラフェン成膜による高機能ガラス光学素子成形
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批准号:21H01230
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.48万
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财政年份:2021
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负责人:閻 紀旺
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依托单位:
マイクロ・ナノ構造光学素子の大面積ガラス成形における原子スケールの界面制御
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批准号:20F20368
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2020
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负责人:閻 紀旺
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依托单位:
微細構造表面創成のための圧電駆動式その場ナノインデンテーションに関する研究
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批准号:14F04048
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2014
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负责人:閻 紀旺
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依托单位:
先端LSIの高密度実装を可能にする金バンプ・レジスト薄膜の超精密切削平担化技術
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批准号:17760097
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2005
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负责人:閻 紀旺
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依托单位:
単結晶フッ化カルシウムの超微細溝切削による高精度フレネルレンズの加工
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批准号:15760073
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:2003
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负责人:閻 紀旺
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依托单位:
単結晶シリコン製大口径赤外線非球面レンズの新しい超精密切削法の開発
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批准号:13750090
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2001
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负责人:閻 紀旺
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依托单位:
海外基金