Fabrication of red light-emitting devices using the rare-earth doped nitride semiconductors and the elucidation of luminescence mechanism

稀土掺杂氮化物半导体红色发光器件的制备及发光机理的阐明

• 批准号: 21760007
• 负责人: NISHIKAWA Atsushi
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760007/
• 关键词: 窒化物半導体; ユウロピウム; 赤色発光ダイオード; OMVPE法; 窒化ガリウム; 有機金属気相エピタキシャル法; 赤色発光; フォトルミネセンス; 4f殻内遷移; LED; 電流注入型デバイス

We have succeeded in the growth of Eu-doped GaN layer grown by organometallic vapor phase epitaxy and demonstrated the first operation of current-injected red emission from a Eu-doped GaN LED. We have found strong influence of growth temperature and pressure on Eu luminescence intensity. As a result, improved light output power of 17 μW was achieved.

我们成功地用金属有机气相外延方法生长了掺Eu的GaN层，并首次实现了掺Eu的GaN发光二极管的电流注入红光发射。我们发现生长温度和压力对Eu的发光强度有很大的影响。结果，提高了17μW的光输出功率。

项目成果

Room-temperature red emission from light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy

• DOI: 10.1016/j.optmat.2010.10.010
• 发表时间: 2011-05-01
• 期刊: OPTICAL MATERIALS
• 影响因子: 3.9
• 作者: Nishikawa, A.;Furukawa, N.;Fujiwara, Y.
• 通讯作者: Fujiwara, Y.

Eu添加GaNにおけるMg共添加によるEu発光強度の増大

Eu 掺杂 GaN 中的 Mg 共掺杂提高了 Eu 发射强度

• 发表时间: 2011
• 作者: 李東建;西川敦;古川直樹;川〓昂佑;寺井慶和;藤原康文
• 通讯作者: 藤原康文

Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature

有机金属气相外延生长Eu掺杂GaN及其在室温红色发光二极管中的应用

• 发表时间: 2010
• 作者: Y.Fujiwara;A.Nishikawa;Y.Terai
• 通讯作者: Y.Terai

Atmospheric pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy

• DOI: 10.1002/pssa.201000598
• 发表时间: 2011-02-01
• 期刊: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
• 影响因子: 2
• 作者: Furukawa, Naoki;Nishikawa, Atsushi;Fujiwara, Yasufumi
• 通讯作者: Fujiwara, Yasufumi

赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法

红色发光半导体器件及其制造方法

• 发表时间: 2010