课题基金 / 基金详情

大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ

大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
用于大容量通信的硅纳米棒栅封闭晶体管
批准号：
10F00779
负责人：
小田 俊理
金额：
$0.9万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10F00779/
关键词：
シリコンナノワイヤゲート包囲型トランジスタゲート絶縁膜金粒子触媒CVD法ゲルマニウムナノワイヤボトムアップ形成技術

项目摘要

项目成果

小田 俊理的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
シリコンCMOS集積回路は寸法縮小化により性能を向上してきたが、縮小化により端部効果が顕著になり、電界分布の理想からのずれが顕著になってきた。そこで2重ゲート構造や3重ゲート構造の提案がされている。シリコンナノワイヤ(ナノロッド)構造の周囲にゲート酸化膜と電極を有する構造は、円筒型形状のため円対称的な電界分布により縮小化されたMOSトランジスタでは理想的な性能を発揮することが期待される。本研究の目的は、シリコン基板上にボトムアップ技術でゲート包囲型のトランジスタを作製し、ゲート電圧の制御により中央のチャネル部の電子を蓄積状態および空乏状態にできることを確認すること、ワイヤ径やドーピング濃度などのパラメータの変化に対して量子効果を観測すること、そして室温動作を目指して、デバイス構造を最適化することである。本年度は、まず、デバイスの形状と予想される電流特性をシミュレーションにより解析し、作製すべきナノロッド構造の設計を行った。寸法などのパラメータとプロセスフローを検討した。シリコンナノワイヤは、シリコン基板上に、金粒子を成長核としてCVD成長させた。シリコンより高移動度のゲルマニウムの低温成長を行い、テーパー形状になる問題を解決し、直径5nm以下のナノワイヤの形成に成功した。(111)シリコン基板を用いて、基板に対して垂直に成長させる条件を探索した。ゲート酸化膜には、自然酸化膜以外に種々の絶縁膜を検討した。
英文摘要
シリコンCMOS集積回路は寸法縮小化により性能を向上してきたが、縮小化により端部効果が顕著になり、電界分布の理想からのずれが顕著になってきた。そこで2重ゲート構造や3重ゲート構造の提案がされている。シリコンナノワイヤ(ナノロッド)構造の周囲にゲート酸化膜と電極を有する構造は、円筒型形状のため円対称的な電界分布により縮小化されたMOSトランジスタでは理想的な性能を発揮することが期待される。本研究の目的は、シリコン基板上にボトムアップ技術でゲート包囲型のトランジスタを作製し、ゲート電圧の制御により中央のチャネル部の電子を蓄積状態および空乏状態にできることを確認すること、ワイヤ径やドーピング濃度などのパラメータの変化に対して量子効果を観測すること、そして室温動作を目指して、デバイス構造を最適化することである。本年度は、まず、デバイスの形状と予想される電流特性をシミュレーションにより解析し、作製すべきナノロッド構造の設計を行った。寸法などのパラメータとプロセスフローを検討した。シリコンナノワイヤは、シリコン基板上に、金粒子を成長核としてCVD成長させた。シリコンより高移動度のゲルマニウムの低温成長を行い、テーパー形状になる問題を解決し、直径5nm以下のナノワイヤの形成に成功した。(111)シリコン基板を用いて、基板に対して垂直に成長させる条件を探索した。ゲート酸化膜には、自然酸化膜以外に種々の絶縁膜を検討した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
トップダウンとボトムアッププロセスを融合したシリコン量子構造デバイス
结合自上而下和自下而上工艺的硅量子结构器件
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [Louvet E, Silberberg Y, Murata K, Suzuki Y, Takahashi H, Kumeta M, Takeyasu K, 小田俊理]
通讯作者： 小田俊理
高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
  • 批准号：
    14F04797
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
  • 批准号：
    07F07107
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ネオシリコン量子情報デバイス
  • 批准号：
    04F04348
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
機能性酸化物高度プロセス研究
  • 批准号：
    10142103
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $74.24万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology