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原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製

原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
原子层MOCVD法制备超低至超高介电多层超晶格氧化物薄膜
批准号：
08238206
负责人：
小田 俊理
金额：
$1.28万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1996
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1996 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08238206/
关键词：
高誘電体MOCVD法原子層結晶成長第3世代MO原料超音波式混合ガス濃度計エピタキシャル下部電極バッファ層

项目摘要

项目成果

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1.原子層MOCVD薄膜成長において、液体状態で使用できる第3世代MO原料としてテトラエンを会合させたβジケトン金属錯体がを用いることにより、蒸気圧の経時変化のない安定した成長が可能になることを示した。2.MOCVD結晶成長用混合ガス原料濃度モニターのため、250℃の高温と150Torrの低圧で使用できる超音波式MO原料モニターを開発した。原料溜の温度制御を精密に行うことにより、再現性の高い高誘電体薄膜成膜が可能になることを見いだした。3.酸化物高誘電体の成長中に下地金属が酸化されてしまい、低誘電体層が形成する問題と、高誘電体超薄膜で、誘電率が結晶粒径で決定されて低く抑えられてしまう問題を解決するために、エピタキシャル酸化物電極を検討した。その結果、SrRuO3とYBa2Cu3O7が有望であることを見いだした。4.シリコン基板上に、酸化物高誘電体および下部電極エピタキシャル薄膜を成長するためのバッファ層を検討して、」CaF2、イットリア安定化ジルコニアなどが有望であることを見いだした。
期刊论文(6)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
S.Oda: "Atomic layer-by-layer MOCVD of thinfilms of Oxide superconductors" Int.Workshop on Chemical Designing and Processing of High-Tc Superconductors II. (1996)
S.Oda：“氧化物超导体薄膜的原子逐层MOCVD”国际高温超导体化学设计与加工研讨会II。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Yamamoto: "Preparation of Thin Films of YBa2Cu3Ox with a Smooth Surface by Atomic Layer MOCVD" Mat.Sci.Eng.B. 41. 87-92 (1996)
S.Yamamoto：“通过原子层 MOCVD 制备具有光滑表面的 YBa2Cu3Ox 薄膜”Mat.Sci.Eng.B。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Yamamoto: "Atomic layer-by-layer epitaxy of oxide superconductors by MOCVD" Applied Surface Science. (in press). (1996)
S.Yamamoto：“通过 MOCVD 进行氧化物超导体的原子层层外延”应用表面科学。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
  • 批准号：
    14F04797
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
  • 批准号：
    10F00779
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.9万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
  • 批准号：
    07F07107
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ネオシリコン量子情報デバイス
  • 批准号：
    04F04348
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
国内基金
海外基金
MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制
  • 批准号：
    60176026
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2001
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
MOCVD法铟磷上生长做FET的砷化镓及器件应用