原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製

原子层MOCVD法制备超低至超高介电多层超晶格氧化物薄膜

• 批准号: 08238206
• 负责人: 小田 俊理
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08238206/
• 关键词: 高誘電体; MOCVD法; 原子層結晶成長; 第3世代MO原料; 超音波式混合ガス濃度計; エピタキシャル下部電極; バッファ層

1.原子層MOCVD薄膜成長において、液体状態で使用できる第3世代MO原料としてテトラエンを会合させたβジケトン金属錯体がを用いることにより、蒸気圧の経時変化のない安定した成長が可能になることを示した。2.MOCVD結晶成長用混合ガス原料濃度モニターのため、250℃の高温と150Torrの低圧で使用できる超音波式MO原料モニターを開発した。原料溜の温度制御を精密に行うことにより、再現性の高い高誘電体薄膜成膜が可能になることを見いだした。3.酸化物高誘電体の成長中に下地金属が酸化されてしまい、低誘電体層が形成する問題と、高誘電体超薄膜で、誘電率が結晶粒径で決定されて低く抑えられてしまう問題を解決するために、エピタキシャル酸化物電極を検討した。その結果、SrRuO3とYBa2Cu3O7が有望であることを見いだした。4.シリコン基板上に、酸化物高誘電体および下部電極エピタキシャル薄膜を成長するためのバッファ層を検討して、」CaF2、イットリア安定化ジルコニアなどが有望であることを見いだした。

1. The growth of atomic MOCVD thin films, the growth of liquid state, the use of the third generation of MO raw materials, the convergence of β-phase metal, the use of carbon dioxide and steaming temperature, the growth of thermal stability and stability may be demonstrated. 2.MOCVD results show that the temperature of long-term mixed raw materials is high temperature, the temperature range is 250C, the temperature range is 250C, and the low temperature temperature is 250C. The MO raw materials of ultrasonic type are used to test the temperature and temperature of MO. Temperature control of raw materials, precision temperature control, high temperature control, high temperature control, temperature control, temperature control 3. In the growth of acidified high power electronics, the metal in the ground is acidified, the problem is formed in low power generation, the ultra-thin film of high power electrons is formed, and the grain size of the ultra-thin film of high power electronics is determined by the grain size of thermal energy tester. The results show that SrRuO3 YBa2Cu3O7 is expected to have a negative impact on the results. 4. The growth of thin films on the substrate and the lower part of the high-voltage electrical power system is expected to improve the stability of the film, the stability of the substrate, the stability of the film, the stability of the substrate, the stability of the substrate, the stability of the film, the growth of the film, the growth of the film, the stability of the substrate, the stability of the film, the stability of the substrate, the stability of the film, the stability of the film, the stability of the substrate, the stability of the film, the growth of the film, the stability of the substrate, the stability of the film, the growth of the film, the growth of the film, the stability of the substrate, the stabilization

项目成果

S.Oda: "Atomic layer-by-layer MOCVD of thinfilms of Oxide superconductors" Int.Workshop on Chemical Designing and Processing of High-Tc Superconductors II. (1996)

S.Oda：“氧化物超导体薄膜的原子逐层MOCVD”国际高温超导体化学设计与加工研讨会II。

S.Yamamoto: "Preparation of Thin Films of YBa2Cu3Ox with a Smooth Surface by Atomic Layer MOCVD" Mat.Sci.Eng.B. 41. 87-92 (1996)

S.Yamamoto：“通过原子层 MOCVD 制备具有光滑表面的 YBa2Cu3Ox 薄膜”Mat.Sci.Eng.B。

S.Yamamoto: "Atomic layer-by-layer epitaxy of oxide superconductors by MOCVD" Applied Surface Science. (in press). (1996)

S.Yamamoto：“通过 MOCVD 进行氧化物超导体的原子层层外延”应用表面科学。