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原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価

原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
原子层CVD法高温超导选择性外延多层异质结的制备与表征
批准号：
06216224
负责人：
小田 俊理
金额：
$1.92万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1994
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1994 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06216224/
关键词：
酸化物高温超伝導体MOCVD法表面モフォロジー超薄膜原子層結晶成長超伝導特性超伝導臨界電流

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
1.原子層MOCVDによる結晶成長YBCO膜の有機金属プレカーサには,DPM金属錯体を用いた。Ba原料が劣化しやすいという問題に対しては、フェナントロリンをアダクツとして添加することにより解決した。コンピュータの指令により空気作動バルブが開閉し、原料ガスバルブは原子層毎に所定時間だけ供給される。基板にはSrTiO_3を用いた。基板温度は650℃で堆積を行った。2.原子間力顕微鏡による表面モフォロジー観察成長表面の断面プロファイルを観察すると、YBCOのc軸長(1.2nm)に相当する階段状の構造が得られた。原子層レベルで平滑なテラス幅は、原料同時供給法では100nm程度であるのに対し、原子層MOCVD法の場合、STO基板で330nm、NGO基板で660nmという大きな値が得られた。多層ヘテロエピタキシャル構造のデバイス作製に最適な作製法であることが分かった。3.超伝導特性膜厚が40nmのYBCO膜の超伝導臨界電流密度はは4.2Kで3x10^7A/cm^2、77Kで3x10^6A/cm^2という高い値が得られた。膜厚が12nmという超薄膜試料でも臨界温度が80Kの超伝導特性が得られており、MOCVD法で作製した膜の均一性が高いことを示している。
英文摘要
1.原子層MOCVDによる結晶成長YBCO膜の有機金属プレカーサには,DPM金属錯体を用いた。Ba原料が劣化しやすいという問題に対しては、フェナントロリンをアダクツとして添加することにより解決した。コンピュータの指令により空気作動バルブが開閉し、原料ガスバルブは原子層毎に所定時間だけ供給される。基板にはSrTiO_3を用いた。基板温度は650℃で堆積を行った。2.原子間力顕微鏡による表面モフォロジー観察成長表面の断面プロファイルを観察すると、YBCOのc軸長(1.2nm)に相当する階段状の構造が得られた。原子層レベルで平滑なテラス幅は、原料同時供給法では100nm程度であるのに対し、原子層MOCVD法の場合、STO基板で330nm、NGO基板で660nmという大きな値が得られた。多層ヘテロエピタキシャル構造のデバイス作製に最適な作製法であることが分かった。3.超伝導特性膜厚が40nmのYBCO膜の超伝導臨界電流密度はは4.2Kで3x10^7A/cm^2、77Kで3x10^6A/cm^2という高い値が得られた。膜厚が12nmという超薄膜試料でも臨界温度が80Kの超伝導特性が得られており、MOCVD法で作製した膜の均一性が高いことを示している。
期刊论文(20)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Hideaki Zama: "High Quality YBaCuO Thin Film Growth by Low-Temperature Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Nitrous Oxide" Materials Research Society Symposium Proceedings. 335. 291-296 (1994)
Hideaki Zama：“使用一氧化二氮进行低温金属有机化学气相沉积实现高质量 YBaCuO 薄膜生长”材料研究学会研讨会论文集。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Shunri Oda: "Atomic Layer Controlled Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Superconducting YBa2Cu30x Films" Journal of Crystal Growth. 145. 223-236 (1994)
Shunri Oda：“超导 YBa2Cu30x 薄膜的原子层控制金属有机化学气相沉积”晶体生长杂志。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Shuuidhirou Yamamoto: "Advances in Superconductivity VII" Springer-Verlag. Tokyo (in press), (1995)
Shuuidhirou Yamamoto：“超导进展 VII”Springer-Verlag。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
小田 俊理: "酸化物超伝導体の原子層MOCVD法における光学的その場成長モニター" 日本結晶成長学会誌. 21. S325-S332 (1994)
Toshiri Oda：“氧化物超导体原子层 MOCVD 的光学原位生长监视器”日本晶体生长学会杂志 21. S325-S332 (1994)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 10 条
    高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
    • 批准号：
      14F04797
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
    • 批准号：
      10F00779
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $0.9万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
    • 批准号：
      07F07107
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    ネオシリコン量子情報デバイス
    • 批准号：
      04F04348
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    国内基金
    海外基金
    MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制
    • 批准号：
      60176026
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      24.0万元
    • 批准年份：
      2001
    • 负责人：
      杜国同
    • 依托单位：
      吉林大学
    MOCVD法铟磷上生长做FET的砷化镓及器件应用