课题基金 / 基金详情

機能性酸化物高度プロセス研究

機能性酸化物高度プロセス研究
功能氧化物先进工艺研究
批准号：
10142103
负责人：
小田 俊理
金额：
$74.24万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2000 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10142103/
关键词：
酸化物超伝導体MOCVD法分光エリプソメトリオーロラパルスレーザ法磁性体超伝導接合サファイアバイクリスタル大型サファイア基板平面型固有ジョセフソン素子その場結晶成長観察エクリプスオーロラPLD

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本研究班のミッションは、ボルテックス薄膜プロセスの高度化である。MOCVD、レーザーアブレーション(PLD)、スパッタなど多角的な方法で高品質酸化膜薄膜結晶成長に取り組んだ。MOCVD法は高い生産性が期待できる方法であるが、原料供給の再現性や表面析出物の形成などの問題点が多かった。超音波セルによる原料濃度モニターと分光エリプソメトリによる結晶成長その場観察を導入することにより、特性や組成の再現性は飛躍的に向上した。酸素拡散により表面・界面の超伝導特性が劣化する問題に対しては、Ga添加が有望であることが提案された。PLD成長酸化物薄膜中にトラップが10^<19>/cm^3を越える密度で発生していることが判明した。良質の高温超伝導積層薄膜を得るためにプルームを制御できる新しいPLD法(オーロラ法)を開発し、その機構解明と応用について検討した。オーロラ効果は磁界によるミラー現象に基づくことが判明した。エピの低温化に成果が得られた。レーザーアブレーション法を用いてBi-Sr-Ca-Cu-O系およびSr(Ca)-Cu-O系について薄膜として成長可能な相関係について検討し、Bi-2212、Bi-2201、無限層構造、梯子型構造を持つ単相かつ結晶性に優れたエピタキシャル薄膜を作製することに成功した。スパッタ法によれば、LSGO基板上にc軸が面内で一方向に揃ったa軸配向YBCO膜の成長が可能になり、その薄膜を加工した素子の特性から平面型固有ジョセフソン素子の可能性が示された。集積化や外部回路への結合が容易であり、高出力高周波デバイスやジョセフソンメーザへの応用が期待できる。さらに、サファイア基板にバッファ層を設けて高品質YBCO膜を形成する技術も確立し、大面積超伝導基板への道を開いた。
期刊论文(63)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H.Wakana,T.Hashimoto,S.Kikuchi and O.Michikami: "Advances in Superconductivity (Springer-Verlag)"Preparation of high-Tc a-axis oriented EBCO thin films on R-sapphires with CeO2/PBCO buffer layers using DC magnetron sputtering. 906-908 (2000)
H.Wakana、T.Hashimoto、S.Kikuchi 和 O.Michikami：“超导进展 (Springer-Verlag)”使用 DC 在带有 CeO2/PBCO 缓冲层的 R 蓝宝石上制备高 Tc a 轴取向 EBCO 薄膜
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M. Sugiura, M. Tachiki, K. Uragou, Y. Furukawa and M. Nomura and T. Kobayashi: "Highly Smooth Surface of Perovskite-Type Oxide Thin Films Grown by Advanced Laser Ablation Method"Int. Conf. on Perfect Surface. (1999)
M. Sugiura、M. Tachiki、K. Uragou、Y. Furukawa、M. Nomura 和 T. Kobayashi：“通过先进激光烧蚀方法生长的钙钛矿型氧化物薄膜的高度光滑表面”Int。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Y.S. Jiang, T. Kobayashi and T. Goto: "Preparation of a-ais oritented YBCO film on CeO2 Buffered sapphire substrate"IEEE Trans. on Applied Superconductivity. 9 (2). 1657-1660 (1999)
Y.S.
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M. Moriya, T. Okamoto, K. Usami, T. Goto and T. Kobayashi: "Properties of Bi-Sr-Ca-Cu-O (2212) films deposited by sputtering on tilted substrates"IEEE Trans. on Applied Superconductivity. 9 (2). 2380-2382 (1999)
M. Moriya、T. Okamoto、K. Usami、T. Goto 和 T. Kobayashi：“在倾斜基板上溅射沉积的 Bi-Sr-Ca-Cu-O (2212) 薄膜的特性”IEEE Trans。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 62 条
    高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
    • 批准号：
      14F04797
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
    • 批准号：
      10F00779
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $0.9万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
    • 批准号：
      07F07107
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    ネオシリコン量子情報デバイス
    • 批准号：
      04F04348
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    国内基金
    海外基金
    MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制
    • 批准号：
      60176026
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      24.0万元
    • 批准年份：
      2001
    • 负责人：
      杜国同
    • 依托单位：
      吉林大学
    MOCVD法铟磷上生长做FET的砷化镓及器件应用