课题基金 / 基金详情

原子層MOCVDによる超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製

原子層MOCVDによる超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
原子层MOCVD制备超低至超高介电多层超晶格氧化物薄膜
批准号：
09224207
负责人：
小田 俊理
金额：
$1.54万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1997 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09224207/
关键词：
高誘電体MOCVD法原子層結晶成長第3世代MO原料超音波式混合ガス濃度計分光エリプソメトリX線回折スペクトル

项目摘要

项目成果

小田 俊理的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
1.原子層MOCVD法により再現性良く高誘電体超薄膜を形成するための検討を行った。第3世代MO原料としてテロラエンを会合させたβジケトン金属錯体を用いると原料の劣化が少なく、長時間にわたって安定した結晶成長が可能であることを明らかにした。超音波式混合ガス濃度計を用いてMO原料の供給量を正確に制御すること、分光エリプソメトリにより結晶成長のその場観察を行うことが結晶成長の再現性向上に効果的であることを明らかにした。2.高誘電体結晶SrTiO3薄膜のX線回折スペクトルを詳細に測定し、ファイスキャンスペクトルの対称性からMgO基板上にエピタキシャル成長を実現できていること、ロックインカーブの半値幅は0.18度ですでに報告されているどの値よりも鋭く、高品質の薄膜結晶が得られていることを明らかにした。また、薄膜の格子定数は、歪みの効果によりバルクの値より伸びていることを明らかにした。3.酸化剤N2Oの分圧を変化させて薄膜結晶成長を行い、得られた薄膜の結晶性をX線回折により評価し、表面平滑性を原子間力顕微鏡により評価した。この結果、最適成長条件を見出した。また、原料供給法について原子層パルス制御法と同時供給法の比較を行った結果、原子層制御MOCVD法では成長表面上のマイグレーションが促進されている結果、平滑で結晶性の高い薄膜が得られることを明らかにした。
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Z.Wang and S.Oda: "Atomic Layer-by-Layer Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of SrTiO3 Films with a Very smooth Surface" Japanese Journal of Applied Physics. 37(in press). (1998)
Z.Wang 和 S.Oda：“具有非常光滑表面的 SrTiO3 薄膜的原子层层金属有机化学气相沉积”日本应用物理学杂志。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Oda: "Growth Mechanism of YBCO thinfilms by MOCVD" Int. Workshop on Superconductivity. 39-42 (1997)
S.Oda：“MOCVD 法 YBCO 薄膜的生长机制” Int。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Yamamoto, A.Kawaguchi, and S.Oda: "Atomiclayer-by-layer epitaxy of oxide superconductorsby MOCVD" Applied Surface Science. 112. 30-37 (1997)
S.Yamamoto、A.Kawaguchi 和 S.Oda：“MOCVD 氧化物超导体的原子层外延”应用表面科学。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
  • 批准号：
    14F04797
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
  • 批准号：
    10F00779
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.9万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
  • 批准号：
    07F07107
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ネオシリコン量子情報デバイス
  • 批准号：
    04F04348
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
国内基金
海外基金
MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制
  • 批准号：
    60176026
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2001
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
MOCVD法铟磷上生长做FET的砷化镓及器件应用