课题基金 / 基金详情

原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製

原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
原子层MOCVD法制备超低至超高介电多层超晶格氧化物薄膜
批准号：
07248205
负责人：
小田 俊理
金额：
$1.6万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1995 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07248205/
关键词：
高誘電体MOCVD法原子層結晶成長シミュレーション表面モフォロジーX線回折

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
1.酸化物多層超格子の誘電特性のシミュレーション:歪超格子構造による原子配列の変位に対応する誘電特性の変化を予想する目的で、分子軌道法による計算機シミュレーション法を開発した。ペロブスカイト型酸化物に対するクラスターモデルを作製し、DV-Xα法により電子状態を求め、電界印加時の電子波動関数の重心位置のずれを計算して原子の分極を求めた。2.原子層制御MOCVD酸化物多層超格子誘電体薄膜製造装置の製作:予備実験に使用したMOCVD装置を改造して、原料供給機構と超音波式原料供給モニターを装備した。3.原子層MOCVD法によるSrTiO_3薄膜の堆積:原料同時供給法と比較して、原料を交互に供給する原子層制御MOCVD法は原子のマイグレーションが促進されるので、表面モフォロジーの平滑な薄膜を堆積できることを、原子間力顕微鏡観察により確かめた。4.歪による原子配列の変位:格子定数の異なる基板上への超薄膜の堆積により、原子配列に歪を与えて自然の場合とは格子間隔の異なる結晶を作製できることを、X線回折により確かめた。5.シリコン基板上への酸化物薄膜堆積:酸化剤を間欠的に供給する方法により、シリコン基板が酸化されてアモルファス層を形成することを極力抑えて結晶性酸化物薄膜を堆積することができることを明らかにした。6.誘電体薄膜の電気特性:シリコン基板上に蒸着した白金電極上に、SrTiO_3薄膜を50ナノメートル堆積し、その上に金電極を蒸着して、電気特性を測定した。誘電率は1KHzから5MHzにわたって一定で80であった。
英文摘要
1.酸化物多層超格子の誘電特性のシミュレーション:歪超格子構造による原子配列の変位に対応する誘電特性の変化を予想する目的で、分子軌道法による計算機シミュレーション法を開発した。ペロブスカイト型酸化物に対するクラスターモデルを作製し、DV-Xα法により電子状態を求め、電界印加時の電子波動関数の重心位置のずれを計算して原子の分極を求めた。2.原子層制御MOCVD酸化物多層超格子誘電体薄膜製造装置の製作:予備実験に使用したMOCVD装置を改造して、原料供給機構と超音波式原料供給モニターを装備した。3.原子層MOCVD法によるSrTiO_3薄膜の堆積:原料同時供給法と比較して、原料を交互に供給する原子層制御MOCVD法は原子のマイグレーションが促進されるので、表面モフォロジーの平滑な薄膜を堆積できることを、原子間力顕微鏡観察により確かめた。4.歪による原子配列の変位:格子定数の異なる基板上への超薄膜の堆積により、原子配列に歪を与えて自然の場合とは格子間隔の異なる結晶を作製できることを、X線回折により確かめた。5.シリコン基板上への酸化物薄膜堆積:酸化剤を間欠的に供給する方法により、シリコン基板が酸化されてアモルファス層を形成することを極力抑えて結晶性酸化物薄膜を堆積することができることを明らかにした。6.誘電体薄膜の電気特性:シリコン基板上に蒸着した白金電極上に、SrTiO_3薄膜を50ナノメートル堆積し、その上に金電極を蒸着して、電気特性を測定した。誘電率は1KHzから5MHzにわたって一定で80であった。
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
S. Yamamoto: "Advances in Superconductivity VII" Springer-Verlag, Tokyo, 979-982 (1995)
S. Yamamoto：“超导进展 VII”Springer-Verlag，东京，979-982 (1995)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S. Oda: "Superconductivity and Surface Morphology of YBCO Thin Films Prepared by Metal-organic Chemical Vapor Deposition" IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 5. 1801-1804 (1995)
S. Oda：“金属有机化学气相沉积制备的 YBCO 薄膜的超导性和表面形态”IEEE 应用超导汇刊。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S. Oda: "Atomic Layer-by-Layer MOCVD of Oxide Superconductors" Journal de Physique IV. C5. 379-390 (1995)
S. Oda：“氧化物超导体的原子逐层 MOCVD”Journal de Physique IV。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
  • 批准号：
    14F04797
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
  • 批准号：
    10F00779
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.9万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
  • 批准号：
    07F07107
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ネオシリコン量子情報デバイス
  • 批准号：
    04F04348
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    小田 俊理
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
国内基金
海外基金
MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制
  • 批准号：
    60176026
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2001
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
MOCVD法铟磷上生长做FET的砷化镓及器件应用