気液混相型マイクロフォーム電解質の開拓と低環境負荷めっきプロセスへの応用
気液混相型マイクロフォーム電解質の開拓と低環境負荷めっきプロセスへの応用
批准号:
21656204
负责人:
臼井 博明
金额:
$2.05万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2010
中文摘要
電気めっきでは還元反応で金属を析出すると同時に水が還元されて水素気泡が発生し、ピンホール欠陥を持ちやすい。また、皮膜硬度や表面平滑性などの物性を改善するために、結晶粒径の制御が求められている。さらに、めっきが環境汚染の原因となり、その削減が求められている。そこで本研究では、液体状めっき液に替え、多量の気体を含むフォーム状電解質中でめっきを行うことにより、これらの問題の解決を試みた。本研究では電解液としてワット浴を用い、ニッケル皮膜を形成した。これに界面活性剤として0.1wt%のドデシル硫酸ナトリウムを添加しためっき液500mlに対し、窒素ガスを400ml/minの速度でフィルターを通して混入し、フォーム状の電解質を形成した。さらにフォームを撹拌することで、気泡粒径を1~0.1mmの範囲で制御した。得られた皮膜を電子顕微鏡観察及びX線回折分析した結果、フォームの気泡粒径を微細化することによって皮膜の結晶粒径が微細化され、皮膜の平坦性が向上することが観察された。これに伴い膜の硬度も増大し、最大644Hvの硬度を持つニッケル皮膜が形成された。ピンホール低減を確認するためにフェロキシル試験を行った結果、微細なフォーム状電解質を用いることによって腐食斑点密度を3.0個/cm^2まで低下できることが見出された。ピンホール低減の機構を検討する目的で、フォーム状電解質中で基板表面に付着した微細な気泡の動きを動画観察した結果、フォームが流動することで基板表面の水素気泡を押し流す形で除去できることが見出された。以上のように、フォーム状電解質を用いて電気めっきを行うと、ピンホールが少なく、結晶粒子が緻密で硬度の高い皮膜を得られるため、従来のクロムめっきをニッケルで置き換えられる可能性がある。また実質的に必要なめっき液の量も削減でき、新規低環境負荷プロセスとして有望である。
英文摘要
電気めっきでは還元反応で金属を析出すると同時に水が還元されて水素気泡が発生し、ピンホール欠陥を持ちやすい。また、皮膜硬度や表面平滑性などの物性を改善するために、結晶粒径の制御が求められている。さらに、めっきが環境汚染の原因となり、その削減が求められている。そこで本研究では、液体状めっき液に替え、多量の気体を含むフォーム状電解質中でめっきを行うことにより、これらの問題の解決を試みた。本研究では電解液としてワット浴を用い、ニッケル皮膜を形成した。これに界面活性剤として0.1wt%のドデシル硫酸ナトリウムを添加しためっき液500mlに対し、窒素ガスを400ml/minの速度でフィルターを通して混入し、フォーム状の電解質を形成した。さらにフォームを撹拌することで、気泡粒径を1~0.1mmの範囲で制御した。得られた皮膜を電子顕微鏡観察及びX線回折分析した結果、フォームの気泡粒径を微細化することによって皮膜の結晶粒径が微細化され、皮膜の平坦性が向上することが観察された。これに伴い膜の硬度も増大し、最大644Hvの硬度を持つニッケル皮膜が形成された。ピンホール低減を確認するためにフェロキシル試験を行った結果、微細なフォーム状電解質を用いることによって腐食斑点密度を3.0個/cm^2まで低下できることが見出された。ピンホール低減の機構を検討する目的で、フォーム状電解質中で基板表面に付着した微細な気泡の動きを動画観察した結果、フォームが流動することで基板表面の水素気泡を押し流す形で除去できることが見出された。以上のように、フォーム状電解質を用いて電気めっきを行うと、ピンホールが少なく、結晶粒子が緻密で硬度の高い皮膜を得られるため、従来のクロムめっきをニッケルで置き換えられる可能性がある。また実質的に必要なめっき液の量も削減でき、新規低環境負荷プロセスとして有望である。
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ロール to ロール事例集
卷对卷案例研究合集
DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Yamada, et al., 菅原友浩, 臼井博明]
通讯作者:
臼井博明
泡沫状電解液を用いた電気めっき技術の開発
泡沫电解液电镀技术的发展
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Yamada, et al., 菅原友浩]
通讯作者:
菅原友浩
A Novel Electroplating Method Using Foam of Electrolyte
一种利用电解液泡沫的新型电镀方法
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Yamada, et al.]
通讯作者:
et al.
Novel Electroplating Method Using Foam of an Electrolyte Solution
使用电解质溶液泡沫的新型电镀方法
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
Journal of Chemical Engineering of Japan
影响因子:
0.8
作者:
[Y.Yamada, et al.]
通讯作者:
et al.
泡沫状電解質を用いた電気めっき皮膜の硬度評価
使用泡沫电解液评价电镀膜的硬度
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Yamada, et al., 菅原友浩]
通讯作者:
菅原友浩
物理蒸着法による真空中でのポリペプチド薄膜の形成と表面プラズモンによる評価
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批准号:16651059
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2004
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负责人:臼井 博明
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依托单位:
イオン化蒸着法による重合薄膜形成と配向制御
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批准号:09217213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1997
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负责人:臼井 博明
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依托单位:
表面プラズモンによるイオン化蒸着有機薄膜の評価
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批准号:08231218
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:臼井 博明
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依托单位:
イオン化蒸着重合による非線形光学高分子薄膜のin-situ電場配向合成
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批准号:08236212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:臼井 博明
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依托单位:
イオン化蒸着法を用いて作製した低損失光導波路変調素子の開発
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批准号:07246213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1995
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负责人:臼井 博明
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依托单位:
イオンビーム蒸着法による有機エレクトロルミネセンス薄膜の安定化
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批准号:05750007
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1993
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负责人:臼井 博明
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依托单位:
イオンビームによる有機材料の薄膜形成機構に関する研究
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批准号:01750265
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1989
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负责人:臼井 博明
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依托单位:
国内基金
海外基金
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基于渗流效应的高磁电耦合铁电/铁磁多铁复相薄膜形成及其机理研究
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批准号:51772269
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项目类别:面上项目
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资助金额:60.0万元
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批准年份:2017
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负责人:杜丕一
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依托单位:
基于新型TiN-X底层和晶态氧化物掺杂的高垂直磁各向异性柱状FePt薄膜形成机理研究
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批准号:51501168
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:22.0万元
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批准年份:2015
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负责人:董凯锋
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依托单位:
掺杂元素对单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜形成的影响
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批准号:51562031
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项目类别:地区科学基金项目
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资助金额:40.0万元
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批准年份:2015
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负责人:刘学杰
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依托单位:
薄膜形成,流动特性和传质基础研究
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批准号:20976118
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项目类别:面上项目
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资助金额:35.0万元
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批准年份:2009
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负责人:许松林
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依托单位:
高分子薄膜形成动力学与微观机理的耗散粒子动力学模拟研究
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批准号:20904007
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:21.0万元
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批准年份:2009
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负责人:王晓琳
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依托单位:
Al-Cu-Fe准晶薄膜形成机理研究
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批准号:19874018
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项目类别:面上项目
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资助金额:16.0万元
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批准年份:1998
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负责人:赵立华
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依托单位:
直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
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批准号:59471016
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项目类别:面上项目
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资助金额:7.5万元
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批准年份:1994
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负责人:吴大兴
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依托单位:
立方氮化硼薄膜形成机理及其光学性质的研究
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批准号:19174017
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项目类别:面上项目
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资助金额:4.0万元
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批准年份:1991
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负责人:廖克俊
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依托单位:
Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜形成机理及其性能研究
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批准号:69076409
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项目类别:面上项目
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资助金额:4.3万元
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批准年份:1990
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负责人:王万录
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依托单位: