Radiation test of SOI detector for the particle physics experiment Belle2

粒子物理实验Belle2 SOI探测器辐射测试

• 批准号: 22740136
• 负责人: ONUKI Yoshiyuki
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: The University of Tokyo (2011)Tohoku University (2010)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22740136/
• 关键词: 素粒子物理; SOI; 半導体検出器; シリコン; 放射線検出器; 放射線

We had achieved various radiation tests with the semi-conductor radiation detector with Silicon On Insulator(SOI) technology. In 2010, we performed X-ray irradiation test on the various kinds of SOI MOSFETs. In this test, we found the BPW(Buried P-Well) underneath the SiO2 insulator helps to increase radiation tolerance. In the same year, we succeeded first tracking of positron beam at the Research Center for Electron and Photon Science of Tohoku University with SOI detector which consists of 3 layers. In 2011, we also succeeded tracking of 120 GeV hadron beam at CERN with updated SOI detector which consists of 4 layers. Using the data, we evaluated the SOI detector, intrinsic resolution and detection efficiency and so on.

我们使用绝缘体上硅（SOI）技术的半导体辐射探测器完成了各种辐射测试。2010年，我们对各种SOI mosfet进行了x射线辐照试验。在本次测试中，我们发现SiO2绝缘体下方的BPW（埋藏P-Well）有助于提高辐射耐受性。同年，我们在日本东北大学电子与光子科学研究中心首次成功利用三层SOI探测器对正电子束进行了跟踪。2011年，我们在欧洲核子研究中心用更新的SOI四层探测器成功跟踪了120 GeV强子束流。利用这些数据，我们对SOI探测器、固有分辨率和探测效率等进行了评价。

项目成果

SOI検出器におけるX線損傷TID効果の軽減に関する研究

SOI探测器中减少X射线损伤TID效应的研究

• 发表时间: 2010
• 作者: 小野善将;小貫良行
• 通讯作者: 小貫良行

CERN120GeVハドロンビームを用いたSOIピクセル検出器のビーム試験

使用 CERN120GeV 强子束进行 SOI 像素探测器的束流测试

• 作者: 松田太一;他;小森文夫;I.Hamada;Antonino Flachi;小貫良行
• 通讯作者: 小貫良行

日本物理学会誌第65巻第9号実験技術SOI技術を用いた放射線イメージセンサーの開発

日本物理学会杂志第65卷第9期使用SOI技术的辐射图像传感器的实验技术开发

• 发表时间: 2010
• 作者: 新井康夫;三好達也;一宮亮;小貫良行
• 通讯作者: 小貫良行

高エネルギー加速器実験に向けてのSOI検出器PIXOR1の試験評価

用于高能加速器实验的SOI探测器PIXOR1的测试评估

• 作者: A.Yoshimi;K.Asahi;et al.;田村宏之;小野善将
• 通讯作者: 小野善将

高エネルギー荷電粒子検出器SOIピクセル検出器の開発

高能带电粒子探测器SOI像素探测器的研制

• 发表时间: 2012
• 作者: Toba;Y. et al.;新庄康平
• 通讯作者: 新庄康平