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Radiation test of SOI detector for the particle physics experiment Belle2

Radiation test of SOI detector for the particle physics experiment Belle2
粒子物理实验Belle2 SOI探测器辐射测试
批准号:
22740136
负责人:
ONUKI Yoshiyuki
金额:
$2.66万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2011

项目摘要

项目成果

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英文摘要
We had achieved various radiation tests with the semi-conductor radiation detector with Silicon On Insulator(SOI) technology. In 2010, we performed X-ray irradiation test on the various kinds of SOI MOSFETs. In this test, we found the BPW(Buried P-Well) underneath the SiO2 insulator helps to increase radiation tolerance. In the same year, we succeeded first tracking of positron beam at the Research Center for Electron and Photon Science of Tohoku University with SOI detector which consists of 3 layers. In 2011, we also succeeded tracking of 120 GeV hadron beam at CERN with updated SOI detector which consists of 4 layers. Using the data, we evaluated the SOI detector, intrinsic resolution and detection efficiency and so on.
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会议论文
SOI検出器におけるX線損傷TID効果の軽減に関する研究
SOI探测器中减少X射线损伤TID效应的研究
DOI: --
发表时间: 2010
期刊:
影响因子: --
作者: [小野善将, 小貫良行]
通讯作者: 小貫良行
CERN120GeVハドロンビームを用いたSOIピクセル検出器のビーム試験
使用 CERN120GeV 强子束进行 SOI 像素探测器的束流测试
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [松田太一, 他, 小森文夫, I.Hamada, Antonino Flachi, 小貫良行]
通讯作者: 小貫良行
日本物理学会誌第65巻第9号実験技術SOI技術を用いた放射線イメージセンサーの開発
日本物理学会杂志第65卷第9期使用SOI技术的辐射图像传感器的实验技术开发
DOI: --
发表时间: 2010
期刊:
影响因子: --
作者: [新井康夫, 三好達也, 一宮亮, 小貫良行]
通讯作者: 小貫良行
高エネルギー加速器実験に向けてのSOI検出器PIXOR1の試験評価
用于高能加速器实验的SOI探测器PIXOR1的测试评估
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [A.Yoshimi, K.Asahi, et al., 田村宏之, 小野善将]
通讯作者: 小野善将
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    国内基金
    海外基金
    超薄SOI横向集成功率器件背偏电压自适应优化技术研究
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
    • 依托单位:
    面向量子计算应用的SOI-FinFET器件低温机理及模型研究
    • 批准号:
      62374174
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      48.00万元
    • 批准年份:
      2023
    • 负责人:
      卜建辉
    • 依托单位:
    22nm FD-SOI nMOSFET电离总剂量与热载流子协同损伤效应研究
    兆级抗辐射应用的新型超薄叠层SOI材料可控制备及低温辐射效应研究