Radiation test of SOI detector for the particle physics experiment Belle2
Radiation test of SOI detector for the particle physics experiment Belle2
批准号:
22740136
负责人:
ONUKI Yoshiyuki
金额:
$2.66万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2011
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英文摘要
We had achieved various radiation tests with the semi-conductor radiation detector with Silicon On Insulator(SOI) technology. In 2010, we performed X-ray irradiation test on the various kinds of SOI MOSFETs. In this test, we found the BPW(Buried P-Well) underneath the SiO2 insulator helps to increase radiation tolerance. In the same year, we succeeded first tracking of positron beam at the Research Center for Electron and Photon Science of Tohoku University with SOI detector which consists of 3 layers. In 2011, we also succeeded tracking of 120 GeV hadron beam at CERN with updated SOI detector which consists of 4 layers. Using the data, we evaluated the SOI detector, intrinsic resolution and detection efficiency and so on.
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SOI検出器におけるX線損傷TID効果の軽減に関する研究
SOI探测器中减少X射线损伤TID效应的研究
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小野善将, 小貫良行]
通讯作者:
小貫良行
CERN120GeVハドロンビームを用いたSOIピクセル検出器のビーム試験
使用 CERN120GeV 强子束进行 SOI 像素探测器的束流测试
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松田太一, 他, 小森文夫, I.Hamada, Antonino Flachi, 小貫良行]
通讯作者:
小貫良行
日本物理学会誌第65巻第9号実験技術SOI技術を用いた放射線イメージセンサーの開発
日本物理学会杂志第65卷第9期使用SOI技术的辐射图像传感器的实验技术开发
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[新井康夫, 三好達也, 一宮亮, 小貫良行]
通讯作者:
小貫良行
高エネルギー加速器実験に向けてのSOI検出器PIXOR1の試験評価
用于高能加速器实验的SOI探测器PIXOR1的测试评估
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A.Yoshimi, K.Asahi, et al., 田村宏之, 小野善将]
通讯作者:
小野善将
高エネルギー荷電粒子検出器SOIピクセル検出器の開発
高能带电粒子探测器SOI像素探测器的研制
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Toba, Y. et al., 新庄康平]
通讯作者:
新庄康平
共 9 条
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超薄SOI横向集成功率器件背偏电压自适应优化技术研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
面向量子计算应用的SOI-FinFET器件低温机理及模型研究
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批准号:62374174
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项目类别:面上项目
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资助金额:48.00万元
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批准年份:2023
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负责人:卜建辉
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依托单位:
22nm FD-SOI nMOSFET电离总剂量与热载流子协同损伤效应研究
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批准号:12305312
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30.00万元
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批准年份:2023
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负责人:周航
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依托单位:
兆级抗辐射应用的新型超薄叠层SOI材料可控制备及低温辐射效应研究
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批准号:62304232
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30.00万元
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批准年份:2023
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负责人:常永伟
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依托单位:
SOI高压LDMOS器件逆调制场抗辐射加固新技术与新结构研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2022
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负责人:周锌
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依托单位:
SOI高压结型屏蔽器件辐射复合场调制机理与新结构研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:53万元
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批准年份:2022
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负责人:周锌
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依托单位:
基于SOI衬底的无结纳米片GAA器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:59万元
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批准年份:2022
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负责人:母志强
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依托单位:
SOI基横向多缓冲区SAM雪崩光电二极管特性研究与SPICE 模型构建
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批准号:2021JJ30739
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2021
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负责人:谢海情
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依托单位:
基于SOI片上光互连的等离子体准连续谱束缚态光学传感研究
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批准号:62105158
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项目类别:青年科学基金项目(C类)
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2021
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负责人:戚志鹏
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依托单位:
具有分区极化电荷自平衡的超低Ron,sp 高k SOI pLDMOS 模型与新结构研究
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批准号:2021JJ30738
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2021
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负责人:吴丽娟
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依托单位: