Preparation of uniform contact-interface applying nanocrystalline silicide with controlled crystalline grain size

采用可控晶粒尺寸的纳米晶硅化物制备均匀接触界面

• 批准号: 23560353
• 负责人: NOYA Atsushi
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Kitami Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560353/
• 关键词: 電気・電子材料; シリサイド; NiSi; NiSi2; 低温形成; Niシリサイド; Ni結晶粒; 界面平坦性; 結晶粒成長

We have examined the formation of a uniform NiSi/Si contact-interface by reducing its crystalline grain size under the appropriate preparation conditions. It is revealed that the temperature during Ni sputter-deposition on the heated Si substrate and that during the following annealing process are important to reduce the crystalline grain size. Under a certain temperature, the growth of NiSi2, a high temperature phase, occurs at a lower temperature, resulting in the degradation of the uniform interface. It is speculated that the low temperature formation of NiSi2 is owing to the formation of an interdiffused Ni-Si layer with a concentration gradient of Ni, in which NiSi2 will nucleate from an alloy region in a Si-rich composition. We confirm the NiSi2 formation in the system of Ni on SiO2/Si, in which the Ni diffusion through a thin SiO2 layer reduces the diffusivity of Ni species, resulting in the formation of a Si-rich Ni-Si alloy from which NiSi2 will nucleate.

我们已经研究了形成一个均匀的NiSi/Si接触界面，通过减少其晶粒尺寸在适当的制备条件下。结果表明，在加热的Si衬底上沉积Ni的温度和随后的退火过程中的温度对减小晶粒尺寸是重要的。在一定温度下，高温相NiSi 2在较低温度下生长，导致均匀界面退化。推测低温下NiSi 2的形成是由于形成了具有Ni浓度梯度的Ni-Si互扩散层，其中NiSi 2将从富Si成分的合金区形核。我们确认NiSi 2形成在系统中的Ni SiO2/Si，其中Ni扩散通过薄的SiO2层降低了Ni物种的扩散率，导致形成富Si的Ni-Si合金，NiSi 2将成核。

项目成果

Ni/Si固相反応におけるNiSi-NiSi2相の低温での共存形成

Ni/Si固相反应中低温共存形成NiSi-NiSi2相

• 发表时间: 2012
• 作者: 野矢;佐藤;武山
• 通讯作者: 武山

Ni/Si固相反応系におけるNiSi-NiSi2相の低温での共存形成

Ni/Si固相反应体系低温共存形成NiSi-NiSi2相

• 发表时间: 2012
• 作者: 野矢厚;佐藤勝;武山真弓
• 通讯作者: 武山真弓

Ni/Si系におけるNiSi2相の低温形成

Ni/Si体系中NiSi2相的低温形成

• 发表时间: 2014
• 作者: 野矢;武山
• 通讯作者: 武山

NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用

NiSi相的形成及其在Cu触点中的应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 武山;佐藤;野矢
• 通讯作者: 野矢

Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成

Ni/Si体系中单硅化物和二硅化物的多相形成

• 发表时间: 2012
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告
• 作者: 野矢厚;武山真弓;佐藤勝;徳田奨
• 通讯作者: 徳田奨