Visible and ultraviolet light emitting MOS device with rare earth oxide layer

具有稀土氧化物层的可见光和紫外光发射MOS器件

• 批准号: 25420293
• 负责人: Matsuda Toshihiro
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Toyama Prefectural University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25420293/
• 关键词: シリコン; MOS; 発光; 半導体; 希土類

项目成果

UV and Visible range Electroluminescence from MOS Devices Fabricated by Spin-Coating of Gd/Dy Organic Compound Films on Silicon

硅上旋涂 Gd/Dy 有机化合物薄膜制造的 MOS 器件的紫外和可见光范围电致发光

• 发表时间: 2013
• 期刊: Ext. Abst. International Conference on Solid State Devices and Materials
• 作者: T. Matsuda;S. Saito;H. Iwata;and T. Ohzone
• 通讯作者: and T. Ohzone

Ultraviolet and white electroluminescence from metal–oxide–semiconductor devices fabricated by spin-coating of gadolinium organic compounds on silicon

通过在硅上旋涂钆有机化合物制备的金属氧化物半导体器件的紫外和白光电致发光

• DOI: 10.7567/jjap.53.014101
• 发表时间: 2014
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: T. Ohzone;T. Matsuda;S. Saito;and H. Iwata
• 通讯作者: and H. Iwata

希土類を導入したMOS型発光素子の直流および交流発光特性解析

掺入稀土元素的MOS发光器件的直流和交流发光特性分析

• 发表时间: 2014
• 作者: 藤吉孝則; 末吉哲郎; 吉村兆貢; 桑原遼，土屋啓輔，松本 明善，北口 仁;末吉哲郎，古木裕一，甲斐隆史，藤吉孝則;福岡 涼平，松田 敏弘，岩田 栄之，大曽根 隆志
• 通讯作者: 福岡 涼平，松田 敏弘，岩田 栄之，大曽根 隆志

Tb系酸化膜を持つシリコン系発光素子の発光特性解析

铽基氧化膜硅基发光器件的发光特性分析

• 发表时间: 2015
• 作者: 福岡 涼平;服部 史空;松田 敏弘;岩田 栄之;大曽根 隆志
• 通讯作者: 大曽根 隆志

Electroluminescence from MOS Devices with (Tb + Ba) Doped Oxide under DC and Pulse Voltage

直流和脉冲电压下 (Tb Ba) 掺杂氧化物 MOS 器件的电致发光

• 发表时间: 2014
• 作者: R. Fukuoka;T. Matsuda;H. Iwata;and T. Ohzone
• 通讯作者: and T. Ohzone