Visible and ultraviolet light emitting MOS device with rare earth oxide layer
Visible and ultraviolet light emitting MOS device with rare earth oxide layer
批准号:
25420293
负责人:
Matsuda Toshihiro
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31
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UV and Visible range Electroluminescence from MOS Devices Fabricated by Spin-Coating of Gd/Dy Organic Compound Films on Silicon
硅上旋涂 Gd/Dy 有机化合物薄膜制造的 MOS 器件的紫外和可见光范围电致发光
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
Ext. Abst. International Conference on Solid State Devices and Materials
影响因子:
--
作者:
[T. Matsuda, S. Saito, H. Iwata, and T. Ohzone]
通讯作者:
and T. Ohzone
Ultraviolet and white electroluminescence from metal–oxide–semiconductor devices fabricated by spin-coating of gadolinium organic compounds on silicon
通过在硅上旋涂钆有机化合物制备的金属氧化物半导体器件的紫外和白光电致发光
DOI:
10.7567/jjap.53.014101
发表时间:
2014
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[T. Ohzone, T. Matsuda, S. Saito, and H. Iwata]
通讯作者:
and H. Iwata
希土類を導入したMOS型発光素子の直流および交流発光特性解析
掺入稀土元素的MOS发光器件的直流和交流发光特性分析
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[藤吉孝則, 末吉哲郎, 吉村兆貢, 桑原遼,土屋啓輔,松本 明善,北口 仁, 末吉哲郎,古木裕一,甲斐隆史,藤吉孝則, 福岡 涼平,松田 敏弘,岩田 栄之,大曽根 隆志]
通讯作者:
福岡 涼平,松田 敏弘,岩田 栄之,大曽根 隆志
Tb系酸化膜を持つシリコン系発光素子の発光特性解析
铽基氧化膜硅基发光器件的发光特性分析
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[福岡 涼平, 服部 史空, 松田 敏弘, 岩田 栄之, 大曽根 隆志]
通讯作者:
大曽根 隆志
Electroluminescence from MOS Devices with (Tb + Ba) Doped Oxide under DC and Pulse Voltage
直流和脉冲电压下 (Tb Ba) 掺杂氧化物 MOS 器件的电致发光
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[R. Fukuoka, T. Matsuda, H. Iwata, and T. Ohzone]
通讯作者:
and T. Ohzone
Research on ultraviolet and blue light emitting MOS device with rare earth oxide compatible with LSI process
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批准号:16K06270
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2016
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负责人:Matsuda Toshihiro
-
依托单位:
国内基金
海外基金
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光辅助Li-CO2电池中MoS2催化剂性能调控及机理研究
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批准号:2026JJ90008
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:赵亭亭
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依托单位:
基于霍尔解耦的二维MoS₂相梯度湿气发电电子-离子协同输运研究
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批准号:2026JJ50113
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:黄晖辉
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依托单位:
基于MoS2欧姆接触强化锂硫电池双向电催化转化机制的研究
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批准号:JCZRQNB202600380
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
(BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
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批准号:2026JJ50115
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:陈智慧
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依托单位:
基于晶圆级S-MoS2的可控构筑及芯片器件集成研究
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批准号:JCZRQNB202600234
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
基于二维MOF-MoS2 p-n结的宽光谱、快响应光电探测研究
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批准号:JCZRQN202501308
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
基于MoS2光电忆阻晶体管的视觉仿生研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
超声驱动MoS2/PCL压电支架调节骨诱导-骨免疫促进骨再生的研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:陈正荣
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依托单位:
MoS₂双晶面协同电催化氯代有机物加氢还原的构效关系研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:李敬东
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依托单位:
MoS2晶面调控活性氢定向迁移耦合硝酸盐高效加氢产氨基础研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:李敬东
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依托单位: