Research on ultraviolet and blue light emitting MOS device with rare earth oxide compatible with LSI process

兼容LSI工艺的稀土氧化物紫外、蓝光发射MOS器件的研究

• 批准号: 16K06270
• 负责人: Matsuda Toshihiro
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Toyama Prefectural University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06270/
• 关键词: シリコン; MOS; 発光; 半導体; 希土類; ＭＯＳ; 電気・電子材料

项目成果

Blue/pink/purple electroluminescence from metal-oxide-semiconductor devices fabricated by spin-coating of [tantalum:(gadolinium/praseodymium)] and (praseodymium:cerium) organic compounds on silicon

通过在硅上旋涂[钽：（钆/镨）]和（镨：铈）有机化合物制造的金属氧化物半导体器件产生蓝色/粉红色/紫色电致发光

• DOI: 10.7567/jjap.55.082102
• 发表时间: 2016
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: T. Ohzone;T. Matsuda;R. Fukuoka;F. Hattoriand and H. Iwata
• 通讯作者: F. Hattoriand and H. Iwata

Electroluminescence Characteristics of Rare Earth Doped Silicon Based Light Emitting Device

稀土掺杂硅基发光器件的电致发光特性

• 发表时间: 2017
• 作者: F. Hattori;H. Iwata;T. Matsuda and T. Ohzone
• 通讯作者: T. Matsuda and T. Ohzone

Electroluminescence of Si Based MOS Device with Ternary Rare Earth Doped Oxide

三元稀土掺杂氧化物硅基MOS器件的电致发光

• 发表时间: 2020
• 期刊: Proc. IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)
• 作者: T. Tomita;T. Matsuda;H. Iwata;and T. Ohzone
• 通讯作者: and T. Ohzone

複数の元素を導入した希土類MOS型発光素子の特性解析

多元素稀土MOS型发光器件特性分析

• 发表时间: 2018
• 作者: 冨田匠;服部史空;松田敏弘;岩田栄之;大曽根隆志
• 通讯作者: 大曽根隆志

Electroluminescence color tuning between green and red from metal-oxide-semiconductor devices fabricated by spin-coating of rare-earth (terbium + europium) organic compounds on silicon

通过在硅上旋涂稀土（铽铕）有机化合物制造的金属氧化物半导体器件，在绿色和红色之间进行电致发光颜色调节

• DOI: 10.7567/jjap.57.04fh05
• 发表时间: 2018
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Matsuda Toshihiro;Hattori Fumihiro;Iwata Hideyuki;Ohzone Takashi
• 通讯作者: Ohzone Takashi