刷新
{{item.name}}会员
Low temperature deposition of barrierless insulating film applicable to 3D and 2.5 D-IC
适用于3D和2.5D-IC的无阻挡绝缘薄膜的低温沉积
基本信息
- 批准号：15K05975
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Relationship between TiN films with different orientations and their barrier properties
不同取向TiN薄膜与其阻隔性能的关系
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：宮坂日和;井口傑;三島裕樹;井口 傑，三島 裕樹;三島 裕樹，井口 傑;井口傑，三島裕樹;三島裕樹，井口傑;Masaru Sato and Mayumi B. Takeyama
- 通讯作者：Masaru Sato and Mayumi B. Takeyama
Barrierproperties of TiHfN ternary alloy films against Cu diffusion in Cu/Si contact system
TiHfN三元合金薄膜对Cu/Si接触体系中Cu扩散的阻挡性能
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Sato;E. Aoyagi;and M. B. Takeyama
- 通讯作者：and M. B. Takeyama
Characterization of TiHfN ternary alloy films as a new barrier
TiHfN三元合金薄膜作为新型势垒的表征
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐藤勝;武山真弓;Mayumi B. Takeyama and Masaru Sato
- 通讯作者：Mayumi B. Takeyama and Masaru Sato
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Takeyama Mayumi B.其他文献
Mapping of a Ni/SiN x /n-SiC structure using scanning internal photoemission microscopy
使用扫描内部光电子显微镜绘制 Ni/SiN x /n-SiC 结构图
- DOI：
10.7567/1347-4065/aafd99 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Shiojima Kenji;Hashizume Takanori;Sato Masaru;Takeyama Mayumi B. - 通讯作者：
Takeyama Mayumi B.
XRD and EBSD analysis of Cu film on randomly oriented ZrN x film as the underlying materials
作为底层材料的随机取向 ZrN x 薄膜上的 Cu 薄膜的 XRD 和 EBSD 分析
- DOI：
10.35848/1347-4065/ab7f57 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Sato Masaru;Yasuda Mitsunobu;Takeyama Mayumi B. - 通讯作者：
Takeyama Mayumi B.
Takeyama Mayumi B.的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Takeyama Mayumi B.', 18)}}的其他基金
Orientation control applicable Cu interconnect on the cutting edge of 3D devices and 3D-LSI
3D器件和3D-LSI尖端的方向控制适用Cu互连
- 批准号：
18K04223 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
- 批准号：
24K08270 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
複合励起分子を用いた炭化ケイ素表面絶縁膜のリアルタイム反応制御と高品質化
利用复杂激发分子对碳化硅表面绝缘膜进行实时反应控制和质量改进
- 批准号：
24K07572 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
光電融合LSIへ向けた絶縁膜上におけるGe系光学材料の結晶成長と光電デバイス応用
用于光电集成LSI和光电器件应用的绝缘膜上Ge基光学材料的晶体生长
- 批准号：
23K13370 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
感光性絶縁膜を用いた有機CMOS増幅回路の高性能化と超柔軟生体センサへの応用
利用光敏绝缘薄膜提高有机CMOS放大器电路的性能并将其应用于超柔性生物传感器
- 批准号：
22KJ2170 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
エレクトレット絶縁膜による半導体ナノワイヤの熱電性能増強への挑戦
使用驻极体绝缘膜增强半导体纳米线热电性能的挑战
- 批准号：
23K17881 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用
栅绝缘膜转移法二维层状材料界面控制及纳米电子器件应用
- 批准号：
20K04616 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強誘電体ゲート絶縁膜を用いた低消費電力で高移動度な超高性能薄膜トランジスタの研究
利用铁电栅极绝缘膜的低功耗高迁移率超高性能薄膜晶体管的研究
- 批准号：
18J14689 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
電界効果トランジスタゲートスタック絶縁膜形成機構と絶縁破壊機構統合モデルの研究
场效应晶体管栅叠层绝缘膜形成机理与介质击穿机理集成模型研究
- 批准号：
14J04955 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
次世代半導体ゲート絶縁膜用の高誘電率材料における欠陥構造と絶縁破壊機構の解明
阐明下一代半导体栅极绝缘膜高介电常数材料中的缺陷结构和介电击穿机制
- 批准号：
13J03090 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
低消費電力デバイス向け化合物半導体と高誘電率絶縁膜及び金属電極の界面設計指針創出
为低功耗器件的化合物半导体、高介电常数绝缘膜和金属电极制定界面设计指南
- 批准号：
13J08817 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows