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Development of multi-scale dislocation dynamics and conversion of basal plane dislocation to threading edge dislocation in SiC film growth process

SiC薄膜生长过程中多尺度位错动力学的发展以及基面位错到穿透刃型位错的转换

基本信息

批准号：
16K05967
负责人：
Izumi Satoshi
金额：
$ 2.66万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K05967/
关键词：
分子動力学 4H-SiC 転位ナノマイクロ材料力学

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

4H-SiCにおける基底面部分転位の貫通刃状転位への変換現象に関する反応経路解析

4H-SiC基面部分位错向穿透刃位错转化现象的反应路径分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiroyuki Usui;Yasuhiro Domi;Kohei Fujiwara;Masahiro Shimizu;Takayuki Yamamoto;Toshiyuki Nohira;Rika Hagiwara;and Hiroki Sakaguchi;松田哲也;田村陽平，榊間大輝，波田野明日可，泉聡志;本田嵐士，青野祐子，平田敦;薄井洋行，道見康弘，大西真也，山中和美，森本直樹，小林恵太，坂口裕樹;田村陽平，榊間大輝，波田野明日可，泉聡志
通讯作者：
田村陽平，榊間大輝，波田野明日可，泉聡志

4H-SiCにおける基底面らせん転位の貫通刃状転位への変換現象に関する反応経路解析

4H-SiC基面螺型位错向螺纹刃型位错转化现象的反应路径分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiroyuki Usui;Yasuhiro Domi;Kohei Fujiwara;Masahiro Shimizu;Takayuki Yamamoto;Toshiyuki Nohira;Rika Hagiwara;and Hiroki Sakaguchi;松田哲也;田村陽平，榊間大輝，波田野明日可，泉聡志
通讯作者：
田村陽平，榊間大輝，波田野明日可，泉聡志

Charge-transfer interatomic potential for investigation of the thermal-oxidation growth process of silicon

DOI：
10.1063/1.4965863
发表时间：
2016-10
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
So Takamoto;T. Kumagai;T. Yamasaki;T. Ohno;C. Kaneta;Asuka Hatano;S. Izumi
通讯作者：
So Takamoto;T. Kumagai;T. Yamasaki;T. Ohno;C. Kaneta;Asuka Hatano;S. Izumi

転位動力学シミュレーションに基づく4H-SiCの積層欠陥形状形成の再現

基于位错动力学模拟再现 4H-SiC 中堆垛层错形状的形成

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
榊間輝;波田野明日可;泉聡志;牛流章弘;廣畑賢治
通讯作者：
廣畑賢治

4H-SiCにおけるBPD-TED変換の分子動力学解析

4H-SiC 中 BPD-TED 转化的分子动力学分析

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
手塚惇平，長岡央磨，久保凱，松田哲也，後藤圭太，荒井政大;田村陽平，榊間大輝，高本聡，波田野明日可，泉聡志
通讯作者：
田村陽平，榊間大輝，高本聡，波田野明日可，泉聡志

DOI：
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作者：
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Izumi Satoshi其他文献

Comparative study of the effect of van der Waals interactions on stacking fault energies in SiC

范德华相互作用对 SiC 堆垛层错能影响的比较研究

DOI：
10.1063/5.0073402
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Sakakima Hiroki;Hatano Asuka;Izumi Satoshi
通讯作者：
Izumi Satoshi

Initial stage oxidation on nano-trenched Si(100) surface

纳米沟槽Si(100)表面的初始氧化

DOI：
10.1088/1361-6463/aa99ab
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
0
作者：
Sun Yu;Liu Yi-Lun;Izumi Satoshi;Chen Xue-Feng;Zhai Zhi;Tian Shao-Hua
通讯作者：
Tian Shao-Hua

Metabolic control of male germline differentiation and integrity

雄性种系分化和完整性的代谢控制

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Watanabe Kei;Hong Guang;Tominami Kanako;Izumi Satoshi;Hayashi Yohei;Kudo Tada-aki;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平
通讯作者：
林陽平

代謝調節を基盤とした生殖細胞の性スペクトラム

基于代谢调控的生殖细胞性别谱

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Watanabe Kei;Hong Guang;Tominami Kanako;Izumi Satoshi;Hayashi Yohei;Kudo Tada-aki;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平
通讯作者：
林陽平

Regulation of metabolic signaling in mouse primordial germ cell development

小鼠原始生殖细胞发育中代谢信号的调节

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Watanabe Kei;Hong Guang;Tominami Kanako;Izumi Satoshi;Hayashi Yohei;Kudo Tada-aki;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;林陽平;Yohei Hayashi
通讯作者：
Yohei Hayashi