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Development of multi-scale dislocation dynamics and conversion of basal plane dislocation to threading edge dislocation in SiC film growth process

Development of multi-scale dislocation dynamics and conversion of basal plane dislocation to threading edge dislocation in SiC film growth process
SiC薄膜生长过程中多尺度位错动力学的发展以及基面位错到穿透刃型位错的转换
批准号：
16K05967
负责人：
Izumi Satoshi
金额：
$2.66万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K05967/
关键词：
分子動力学4H-SiC転位ナノマイクロ材料力学

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4H-SiCにおける基底面部分転位の貫通刃状転位への変換現象に関する反応経路解析
4H-SiC基面部分位错向穿透刃位错转化现象的反应路径分析
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Hiroyuki Usui, Yasuhiro Domi, Kohei Fujiwara, Masahiro Shimizu, Takayuki Yamamoto, Toshiyuki Nohira, Rika Hagiwara, and Hiroki Sakaguchi, 松田哲也, 田村陽平，榊間大輝， 波田野明日可，泉聡志, 本田嵐士，青野祐子，平田敦, 薄井洋行，道見康弘，大西真也，山中和美，森本直樹，小林恵太，坂口裕樹, 田村 陽平，榊間 大輝， 波田野 明日可，泉 聡志]
通讯作者： 田村 陽平，榊間 大輝， 波田野 明日可，泉 聡志
4H-SiCにおける基底面らせん転位の貫通刃状転位への変換現象に関する反応経路解析
4H-SiC基面螺型位错向螺纹刃型位错转化现象的反应路径分析
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Hiroyuki Usui, Yasuhiro Domi, Kohei Fujiwara, Masahiro Shimizu, Takayuki Yamamoto, Toshiyuki Nohira, Rika Hagiwara, and Hiroki Sakaguchi, 松田哲也, 田村陽平，榊間大輝， 波田野明日可，泉聡志]
通讯作者： 田村陽平，榊間大輝， 波田野明日可，泉聡志
Charge-transfer interatomic potential for investigation of the thermal-oxidation growth process of silicon
DOI： 10.1063/1.4965863
发表时间： 2016-10
期刊： Journal of Applied Physics
影响因子： 3.2
作者： [So Takamoto;T. Kumagai;T. Yamasaki;T. Ohno;C. Kaneta;Asuka Hatano;S. Izumi]
通讯作者： So Takamoto;T. Kumagai;T. Yamasaki;T. Ohno;C. Kaneta;Asuka Hatano;S. Izumi
転位動力学シミュレーションに基づく4H-SiCの積層欠陥形状形成の再現
基于位错动力学模拟再现 4H-SiC 中堆垛层错形状的形成
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [榊間輝, 波田野明日可, 泉聡志, 牛流章弘, 廣畑賢治]
通讯作者： 廣畑賢治
共 6 条
    Development of interatomic potential for polymer/solid interface and its application to the tribochemical reacted film
    • 批准号：
      20K04173
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Izumi Satoshi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    国内基金
    海外基金
    高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
    • 批准号：
      2024JJ5044
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      吴丽娟
    • 依托单位：
      长沙理工大学
    4H-SiC 基光电神经突触器件及其紫外视觉感 知应用
    • 批准号：
      Q24F040030
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      刘晓
    • 依托单位：
      杭州电子科技大学
    基于碰撞电离各向异性的4H-SiC超结导通电阻-击穿电压理论极限
    石墨烯/4H-SiC PIN探测器及其辐照性能研究
    • 批准号：
      12305207
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      王聪聪
    • 依托单位：
      中国科学院高能物理研究所