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Development of miniaturized electron sources for electron and imaging device with radiation tolerance of 10 MGy and temperature of 300 degrees in Celsius

Development of miniaturized electron sources for electron and imaging device with radiation tolerance of 10 MGy and temperature of 300 degrees in Celsius
开发用于电子和成像设备的小型电子源,耐辐射能力为10 MGy,温度为300摄氏度
批准号:
16H04631
负责人:
GOTOH Yasuhito
金额:
$10.9万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31

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发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [後藤康仁, 辻 博司, 長尾昌善, 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典, 岡本 保, 秋吉優史, 佐藤信浩, 高木郁二]
通讯作者: 高木郁二
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DOI: --
发表时间: 2016
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影响因子: --
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通讯作者: 後藤康仁
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发表时间: 2016
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发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [後藤康仁, 長尾昌善, 増澤智昭, 根尾陽一郎, 三村秀典, 岡本保, 秋吉優史, 佐藤信浩, 高木郁二]
通讯作者: 高木郁二
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    Development of in situ analyzer of field emitters and analysis of variation in field emission properties
    • 批准号:
      19560024
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.91万
    • 财政年份:
      2007
    • 负责人:
      GOTOH Yasuhito
    • 依托单位:
    DEVELOPMENT OF GATED TRANSITION METAL NITRIDE FIELD EMITTER ARRAYS
    • 批准号:
      11555006
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
    • 资助金额:
      $2.3万
    • 财政年份:
      1999
    • 负责人:
      GOTOH Yasuhito
    • 依托单位:
    海外基金