Development of miniaturized electron sources for electron and imaging device with radiation tolerance of 10 MGy and temperature of 300 degrees in Celsius
开发用于电子和成像设备的小型电子源,耐辐射能力为10 MGy,温度为300摄氏度
基本信息
- 批准号:16H04631
- 负责人:
- 金额:$ 10.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
耐放射線微小真空例陰極撮像素子のガンマ線照射に対する耐久性
耐辐射微真空示例:阴极图像传感器对伽马射线照射的耐久性
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:後藤康仁;辻 博司;長尾昌善;増澤智昭;根尾陽一郎;三村秀典;岡本 保;秋吉優史;佐藤信浩;高木郁二
- 通讯作者:高木郁二
ミニマルファブを活用した微小電子源の作製
使用最小的晶圆厂制造微电子源
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長尾昌善;村上勝久;辰巳憲之;クンプアンソマワン;原史朗;後藤康仁
- 通讯作者:後藤康仁
ミニマルファブを利用したスピント型フィールドエミッタアレイの試作
使用最小的晶圆厂生产 Spindt 场发射器阵列的原型
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長尾昌善;辰巳憲之;村上勝久;クンプアンソマワン;原史朗;後藤康仁
- 通讯作者:後藤康仁
フィールドエミッタアレイとCdTe系光電変換膜を用いた小型撮像素子の耐放射線性能
采用场发射阵列和CdTe光电转换膜的小型图像传感器的耐辐射性能
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:後藤康仁;長尾昌善;増澤智昭;根尾陽一郎;三村秀典;岡本保;秋吉優史;佐藤信浩;高木郁二
- 通讯作者:高木郁二
ボルケーノ構造ダブルゲートスピント型フィールドエミッタアレイの電子放出特性とミニマルファブによる試作例
具有火山结构的双栅极 Spindt 场发射器阵列的电子发射特性以及使用最小晶圆厂的原型示例
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長尾昌善;村上勝久;クンプアンソマワン;原史朗
- 通讯作者:原史朗
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
GOTOH Yasuhito其他文献
GOTOH Yasuhito的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('GOTOH Yasuhito', 18)}}的其他基金
Development of in situ analyzer of field emitters and analysis of variation in field emission properties
场发射器原位分析仪的研制及场发射特性变化分析
- 批准号:
19560024 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
DEVELOPMENT OF GATED TRANSITION METAL NITRIDE FIELD EMITTER ARRAYS
门控过渡金属氮化物场发射极阵列的开发
- 批准号:
11555006 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
相似海外基金
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
- 批准号:
24K08270 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
複合励起分子を用いた炭化ケイ素表面絶縁膜のリアルタイム反応制御と高品質化
利用复杂激发分子对碳化硅表面绝缘膜进行实时反应控制和质量改进
- 批准号:
24K07572 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
光電融合LSIへ向けた絶縁膜上におけるGe系光学材料の結晶成長と光電デバイス応用
用于光电集成LSI和光电器件应用的绝缘膜上Ge基光学材料的晶体生长
- 批准号:
23K13370 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
感光性絶縁膜を用いた有機CMOS増幅回路の高性能化と超柔軟生体センサへの応用
利用光敏绝缘薄膜提高有机CMOS放大器电路的性能并将其应用于超柔性生物传感器
- 批准号:
22KJ2170 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
エレクトレット絶縁膜による半導体ナノワイヤの熱電性能増強への挑戦
使用驻极体绝缘膜增强半导体纳米线热电性能的挑战
- 批准号:
23K17881 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用
栅绝缘膜转移法二维层状材料界面控制及纳米电子器件应用
- 批准号:
20K04616 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強誘電体ゲート絶縁膜を用いた低消費電力で高移動度な超高性能薄膜トランジスタの研究
利用铁电栅极绝缘膜的低功耗高迁移率超高性能薄膜晶体管的研究
- 批准号:
18J14689 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
電界効果トランジスタゲートスタック絶縁膜形成機構と絶縁破壊機構統合モデルの研究
场效应晶体管栅叠层绝缘膜形成机理与介质击穿机理集成模型研究
- 批准号:
14J04955 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
次世代半導体ゲート絶縁膜用の高誘電率材料における欠陥構造と絶縁破壊機構の解明
阐明下一代半导体栅极绝缘膜高介电常数材料中的缺陷结构和介电击穿机制
- 批准号:
13J03090 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
低消費電力デバイス向け化合物半導体と高誘電率絶縁膜及び金属電極の界面設計指針創出
为低功耗器件的化合物半导体、高介电常数绝缘膜和金属电极制定界面设计指南
- 批准号:
13J08817 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows














{{item.name}}会员




