Fabrication of low-loss diamond power FET using giant poralization of ferroelectrics

利用铁电体的大极化制造低损耗金刚石功率 FET

• 批准号: 17H03248
• 负责人: KAWAE TAKESHI
• 金额: $ 11.48万
• 依托单位: Kanazawa University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H03248/
• 关键词: 電界効果トランジスタ; ワイドギャップ半導体; パワーデバイス; ダイヤモンド; 強誘電体; Pb(Zr,Ti)O3; キャリアオフセット

项目成果

Influence of precursor concentration and growth time on the surface morphology and crystallinity of α-Ga₂O₃ thin films fabricated by mist chemical vapor deposition

前驱体浓度和生长时间对雾气化学气相沉积α-Ga₂O₃薄膜表面形貌和结晶度的影响

• DOI: 10.2109/jcersj2.18082
• 发表时间: 2018
• 期刊: Journal of the Ceramic Society of Japan
• 影响因子: 1.1
• 作者: NAKABAYASHI Yuji;YAMADA Satoru;ITOH Satoshi;KAWAE Takeshi
• 通讯作者: KAWAE Takeshi

ダイヤモンドFeFETに対する残留分極を用いた疑似ノーマリオフ動作に関する検証

使用金刚石 FeFET 的残余极化验证伪正常关闭操作

• 发表时间: 2020
• 作者: 玉村達哉;山田 樹;松本 翼;中嶋宇史;徳田規夫;川江 健
• 通讯作者: 川江 健

強誘電体の残留分極を用いたダイヤモンド表面伝導層の空乏化に関する検証

利用铁电材料的残余极化验证金刚石表面导电层的耗尽

• 发表时间: 2018
• 作者: 庄司駿輔;玉村達哉;中嶋宇史;松本翼;徳田規夫;川江 健
• 通讯作者: 川江 健

P(VDF-TrFE)をゲートとしたボロンドープダイヤモンドFET

具有 P(VDF-TrFE) 栅极的硼掺杂金刚石 FET

• 发表时间: 2017
• 作者: 森 陽介;柄谷涼太;馬場一気;吉田稜;中嶋宇史;松本翼;徳田規夫;川江 健
• 通讯作者: 川江 健

Inspection of pseudo normally-off operation of ferroelectric gate diamond FET with partially O-terminated channel structure

具有部分 O 端接沟道结构的铁电栅极金刚石 FET 的伪常关操作检查

• 发表时间: 2019
• 作者: 吉岡 希利子;木野 彩子;松浦 祐司;Takeshi Kawae
• 通讯作者: Takeshi Kawae