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Development of electric field assisted lapping technology for SiC semiconductor substrate

Development of electric field assisted lapping technology for SiC semiconductor substrate
SiC半导体衬底电场辅助研磨技术开发
批准号:
26420068
负责人:
KUSUMI Takayuki
金额:
$3.24万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2017-03-31

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炭化ケイ素研磨材を用いた電界砥粒制御技術の基礎検討 ‐第3報-
使用碳化硅磨料的电场磨料控制技术的基础研究-第三次报告-
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [久住孝幸, 佐藤安弘, 池田洋, 赤上陽一, 梅原徳次, 久住孝幸, 久住孝幸, 久住孝幸, 中村竜太, 久住孝幸]
通讯作者: 久住孝幸
新たな酸化セリウム砥粒再生技術及び再生装置の開発
新型氧化铈磨粒再生技术及再生设备的开发
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [久住孝幸, 池田洋, 越後谷正見, 中村竜太, 赤上陽一, 久住孝幸, 久住孝幸 赤上陽一 松下大作 佐々木健二 照井伸太朗, 久住孝幸,赤上陽一,松下大作,佐々木健二,照井伸太朗]
通讯作者: 久住孝幸,赤上陽一,松下大作,佐々木健二,照井伸太朗
新たな酸化セリウム砥粒再生技術及び再生装置の開発 -第3報-
新型氧化铈磨粒再生技术及再生设备的开发-第三次报告-
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [久住孝幸, 池田洋, 中村竜太, 赤上陽一, 松下大作, 照井伸太朗]
通讯作者: 照井伸太朗
電界砥粒制御技術を用いた単結晶サファイア基板の高効率研磨加工―第2報―
利用电场磨料控制技术对单晶蓝宝石衬底进行高效抛光-第二次报告-
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [久住孝幸, 池田洋, 越後谷正見, 中村竜太, 赤上陽一, 久住孝幸, 久住孝幸 赤上陽一 松下大作 佐々木健二 照井伸太朗, 久住孝幸,赤上陽一,松下大作,佐々木健二,照井伸太朗, 池田洋,久住孝幸,中村竜太,赤上陽一,千葉翔梧,伊賀美里]
通讯作者: 池田洋,久住孝幸,中村竜太,赤上陽一,千葉翔梧,伊賀美里
共 9 条
    Development of Electric Field-assisted Slicing (EFS) that realizes innovative cutting processing for next-generation wide gap semiconductors
    • 批准号:
      17K06106
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $3.08万
    • 财政年份:
      2017
    • 负责人:
      KUSUMI Takayuki
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金
    小型自动频动研磨装置设计优化
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      刘萍萍
    • 依托单位:
    软磁材料研磨工艺优化研究及研磨控制系统开发
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      廖华勇
    • 依托单位:
    基于磁粒研磨的超精密加工技术及其工艺开发
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      陈晓明
    • 依托单位:
    晶圆表面微凸体-研磨液耦合的微观接触 力学行为及动态磨损机理研究
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      10.0万元
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      孙韵韵
    • 依托单位: