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Development of electric field assisted lapping technology for SiC semiconductor substrate
SiC半导体衬底电场辅助研磨技术开发
基本信息
- 批准号：26420068
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
炭化ケイ素研磨材を用いた電界砥粒制御技術の基礎検討 ‐第3報-
使用碳化硅磨料的电场磨料控制技术的基础研究-第三次报告-
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：久住孝幸;佐藤安弘;池田洋;赤上陽一;梅原徳次;久住孝幸;久住孝幸;久住孝幸;中村竜太;久住孝幸
- 通讯作者：久住孝幸
新たな酸化セリウム砥粒再生技術及び再生装置の開発
新型氧化铈磨粒再生技术及再生设备的开发
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：久住孝幸; 池田洋; 越後谷正見;中村竜太;赤上陽一;久住孝幸;久住孝幸 赤上陽一 松下大作 佐々木健二 照井伸太朗;久住孝幸，赤上陽一，松下大作，佐々木健二，照井伸太朗
- 通讯作者：久住孝幸，赤上陽一，松下大作，佐々木健二，照井伸太朗
新たな酸化セリウム砥粒再生技術及び再生装置の開発 -第3報-
新型氧化铈磨粒再生技术及再生设备的开发-第三次报告-
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：久住孝幸;池田洋;中村竜太;赤上陽一;松下大作;照井伸太朗
- 通讯作者：照井伸太朗
電界砥粒制御技術を用いた単結晶サファイア基板の高効率研磨加工―第２報―
利用电场磨料控制技术对单晶蓝宝石衬底进行高效抛光-第二次报告-
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：久住孝幸; 池田洋; 越後谷正見;中村竜太;赤上陽一;久住孝幸;久住孝幸 赤上陽一 松下大作 佐々木健二 照井伸太朗;久住孝幸，赤上陽一，松下大作，佐々木健二，照井伸太朗;池田洋，久住孝幸，中村竜太，赤上陽一，千葉翔梧，伊賀美里
- 通讯作者：池田洋，久住孝幸，中村竜太，赤上陽一，千葉翔梧，伊賀美里
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Development of Electric Field-assisted Slicing (EFS) that realizes innovative cutting processing for next-generation wide gap semiconductors
开发电场辅助切片（EFS），实现下一代宽禁带半导体的创新切割加工
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