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Resistive switches (RRAM) and memristive behaviour in silicon-rich silicon oxides

富硅氧化硅中的电阻开关 (RRAM) 和忆阻行为

基本信息

批准号：
EP/K016776/1
负责人：
Asen Asenov
金额：
$ 55.92万
依托单位：
University of Glasgow
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2013
资助国家：
英国
起止时间：
2013 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FK016776%2F1
关键词：
Resistive switches RRAM memristive behaviour

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（9）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Advanced physical modeling of SiOx resistive random access memories

DOI：
10.1109/sispad.2016.7605169
发表时间：
2016
期刊：
2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
影响因子：
0
作者：
T. Sadi;Liping Wang;D. Gao;A. Mehonic;L. Montesi;M. Buckwell;A. Kenyon;A. Shluger;A. Asenov
通讯作者：
T. Sadi;Liping Wang;D. Gao;A. Mehonic;L. Montesi;M. Buckwell;A. Kenyon;A. Shluger;A. Asenov

Numerical Methods and Applications - 9th International Conference, NMA 2018, Borovets, Bulgaria, August 20-24, 2018, Revised Selected Papers

数值方法与应用 - 第九届国际会议，NMA 2018，保加利亚波罗维茨，2018 年 8 月 20-24 日，修订选录论文

DOI：
10.1007/978-3-030-10692-8_46
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Houghton M
通讯作者：
Houghton M

Multi-scale electrothermal simulation and modelling of resistive random access memory devices

电阻式随机存取存储器件的多尺度电热仿真和建模

DOI：
10.1109/patmos.2016.7833422
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sadi T
通讯作者：
Sadi T

Self-consistent physical modeling of SiOx-based RRAM structures

基于 SiOx 的 RRAM 结构的自洽物理建模

DOI：
10.1109/iwce.2015.7301981
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sadi T
通讯作者：
Sadi T

Large-Scale Scientific Computing - 12th International Conference, LSSC 2019, Sozopol, Bulgaria, June 10-14, 2019, Revised Selected Papers

大规模科学计算 - 第 12 届国际会议，LSSC 2019，保加利亚索佐波尔，2019 年 6 月 10-14 日，修订后的精选论文

DOI：
10.1007/978-3-030-41032-2_49
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sadi T
通讯作者：
Sadi T

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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Asen Asenov其他文献

Study of gate current in advanced MOS architectures

DOI：
10.1016/j.sse.2022.108345
发表时间：
2022-08-01
期刊：
Research article
影响因子：
作者：
Ghulam Ali Gauhar;Abhishek Chenchety;Hashish Yenugula;Vihar Georgiev;Asen Asenov;Oves Badami
通讯作者：
Oves Badami

Stability and <math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si57.svg" class="math"><mrow><msub><mrow><mi>V</mi></mrow><mrow><mi mathvariant="normal">min</mi></mrow></msub></mrow></math> analysis of ferroelectric negative capacitance FinFET based SRAM in the presence of variability

DOI：
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Research article
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Tapas Dutta;Vihar Georgiev;Asen Asenov
通讯作者：
Asen Asenov

Mobility Variations in Ultra Small Devices due to Random Discrete Dopants

DOI：
10.1023/b:jcel.0000011439.27939.e3
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2003-12-01
期刊：
Journal of Computational Electronics
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2.500
作者：
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通讯作者：
Asen Asenov

Numerical analysis of the new Implant-Free Quantum-Well CMOS: DualLogic approach

DOI：
10.1016/j.sse.2011.05.006
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2011-09-01
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作者：
Brahim Benbakhti;KahHou Chan;Ewan Towie;Karol Kalna;Craig Riddet;Xingsheng Wang;Geert Eneman;Geert Hellings;Kristin De Meyer;Marc Meuris;Asen Asenov
通讯作者：
Asen Asenov

Stochastic analysis of surface roughness models in quantum wires

DOI：
10.1016/j.cpc.2018.03.010
发表时间：
2018-07-01
期刊：
Research article
影响因子：
作者：
Mihail Nedjalkov;Paul Ellinghaus;Josef Weinbub;Toufik Sadi;Asen Asenov;Ivan Dimov;Siegfried Selberherr
通讯作者：
Siegfried Selberherr