Plasma-Enhanced Atomic-Layer-Deposition Anlage

“Die hier beantragte等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）的分析方法”，“Die zuk<e:1> Grundlage <e:1>”，“Die zuk<e:1> nftigen”，“forschungsariten Instituts of physics der Kondensierten materials （IPKM）”和“des Instituts of Halbleitertechnik (IHT) der Technischen Universität Braunschweig darstel-len”。本文研究了三维氧化/金属和halbleiter纳米系统。纳米系统中接触点的研究与应用：纳米系统中接触点的研究与应用：纳米系统中接触点的研究。[1][1][1][1][1][2][1][1][1][3][1][3]。在berich unserer Aktivitäten和GaN纳米oled sollen Strukturen mit funcktionsschichten versehen werden。纳米孔与纳米牵拉传感器结构的研究进展[j]； [j]。Der Einsatz einer ALD mit plasmaunterst<s:1> t-zung ermöglicht eine wesentlich breitere Auswahl von Präkursoren and reaktiontemperature也eine常规ALD。Außerdem können die Probenoberflächen原位durch Plasmabehandlung speziell präpariert werden。”

„Die hier beantragte Plasma-Enhanced Atomic-Layer-Deposition (PE-ALD) Anlage wird eine wichtige Grundlage für die zukünftigen Forschungsarbeiten des Instituts für Physik der Kondensierten Materie (IPKM) und des Instituts für Halbleitertechnik (IHT) der Technischen Universität Braunschweig darstel-len. Es sollen 3- dimensionale Oxid/Metall- und Halbleiter-Nanosysteme prozessiert werden. Die be-antragte PE-ALD wird benutzt werden bei der Herstellung komplexer und funktionalisierter Aggregate von Nanokontakten, wie sie innerhalb der NTH School for Contacs in Nanosystems untersucht werden. Es ist weiterhin geplant, alternative Materialien für Solarzellen auf der Basis von oxidischen und sulfidischen Verbindungen mit Zink und Kupfer zu evaluieren. Im Bereich unserer Aktivitäten an GaN NanoLEDs sollen Strukturen mit Funktionsschichten versehen werden. Im Bereich Halbleiter-Nanoporen- und Nanodraht-Sensorstrukturen soll die Grundlage für eine effiziente Passivierung und nachfolgende Biofunktionalisierung geschaffen werden. Der Einsatz einer ALD mit Plasmaunterstüt-zung ermöglicht eine wesentlich breitere Auswahl von Präkursoren und Reaktionstemperaturen als eine konventionelle ALD. Außerdem können die Probenoberflächen in-situ durch Plasmabehandlung speziell präpariert werden.“